一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及薄膜晶体管领域，提供了一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法，由基底、沟道层、介质层、栅(G)电极层、源/漏电极层组成，所述源/漏电极层是由两层透明导电氧化物(TCO)膜及夹在两层透明导电氧化物(TCO)膜之间银(Ag)膜构成的银基透明导电多层膜；其中，透明导电氧化物是包含Sn元素和M元素的高价态掺杂氧化锡基的氧化物SnO2:M；其中，氧化物SnO2:M中M元素的原子量为M/(M+Sn)＝0～0.1，M元素为Cr、Mo、W中至少一种，本发明专利技术提供的非晶氧化物薄膜晶体管具备制备工艺温度与柔性透明基底兼容、高可见光透过率，以及良好的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
201610265046

【技术保护点】
一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管，由基底、沟道层、介质层、栅(G)电极层、源/漏电极层组成，其特征在于，所述源/漏电极层是由两层透明导电氧化物(TCO)膜及夹在两层透明导电氧化物(TCO)膜之间银(Ag)膜构成的银基透明导电多层膜；所述透明导电氧化物(TCO)，是包含Sn元素和M元素的高价态掺杂氧化锡基的氧化物SnO2：M；其中，氧化物SnO2：M中M元素的原子量为M/(M+Sn)＝0～0.1，M元素为Cr、Mo、W中至少一种。

【技术特征摘要】
1.一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管，由基底、沟道层、介质层、栅(G)电极层、源/漏电极层组成，其特征在于，所述源/漏电极层是由两层透明导电氧化物(TCO)膜及夹在两层透明导电氧化物(TCO)膜之间银(Ag)膜构成的银基透明导电多层膜；所述透明导电氧化物(TCO)，是包含Sn元素和M元素的高价态掺杂氧化锡基的氧化物SnO2：M；其中，氧化物SnO2：M中M元素的原子量为M/(M+Sn)＝0～0.1，M元素为Cr、Mo、W中至少一种。2.如权利要求1所述的柔性全透明非晶体氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述透明导电氧化物(TCO)膜利用射频磁控溅射制作而成，其厚度为10nm～50nm。3.如权利要求1所述的柔性全透明非晶体氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述银(Ag)膜是利用直流磁控溅射或热蒸发制作而成，其厚度为8nm～20nm。4.一种如权利要求1-3任一项所述的柔性全透明非晶体氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，选用柔性透明材料作为基底，以非晶氧化物作为沟道层，以可见光透过率≥90％的材料作为介质层，以传统TCO薄膜作为栅电极层，以银基透明导电多层膜作为源/漏电极层，制备共面结构。5.如权利要求4所述的柔性全透明非晶体氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述的源/漏电极层的工艺温度≤150℃。6.如权利要求4所述的柔性全透明非晶体氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳兰，孟繁新，任达森，
申请(专利权)人：贵州民族大学，
类型：发明
国别省市：贵州;52