【技术实现步骤摘要】
201610335266
【技术保护点】
一种4H‑SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管,包括从下到上依次层叠设置的P型集电极区,N型漂移区,N型的电流增强层,P型基体区,P型体接触区,N型发射区、发射极金属和集电极金属;其特征在于,还包括第一沟槽与第二沟槽,所述第一沟槽与第二沟槽自器件的上表面穿透P型基体区终止在N型漂移区内;所述第一沟槽内填充第一氧化层和第一多晶硅,形成槽栅结构;所述第二沟槽内的第二多晶硅底部被重掺杂的P型区与N型漂移区隔开,侧面被第二氧化层与P型体接触区、P型基体区及N型漂移区隔开;所述的重掺杂屏蔽区通过第二多晶硅与发射极连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王颖,刘彦娟,曹菲,于成浩,
申请(专利权)人:杭州电子科技大学,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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