一种提高钙钛矿晶体生长质量的方法及太阳能电池器件技术

技术编号:13547930 阅读:58 留言:0更新日期:2016-08-18 13:44
本发明专利技术公开了一种提高钙钛矿晶体生长质量的方法及太阳能电池器件,该方法为:将无机盐的醇溶液覆盖于已结晶的钙钛矿多晶薄膜上,使其晶粒尺寸变大,同时多晶薄膜的光电性能提高。本发明专利技术的太阳能电池器件包括依次叠加的基片、透明阳极、空穴传输层、钙钛矿多晶薄膜层、电子传输层、空穴阻挡层和阴极。本发明专利技术的方法能够使钙钛矿晶体尺寸生长到现有技术的4~5倍,工艺简单,结晶迅速,稳定性和重复率高,对环境的依赖度低,成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
201610247656

【技术保护点】
一种提高钙钛矿晶体生长质量的方法,其特征在于,将无机盐的醇溶液覆盖于已结晶的钙钛矿多晶薄膜上,使其晶粒尺寸变大,同时多晶薄膜的光电性能提高。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴朝新郗俊董化焦博侯洵
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:陕西;61

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