一种降低ZnO晶粒电阻率的压敏电阻陶瓷制备方法技术

一种降低ZnO晶粒电阻率的压敏电阻陶瓷制备方法，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铟晶体In(NO3)3·9H2O,制备步骤包括籽晶粗制步骤、初次烧结步骤、籽晶精致步骤、原料混合步骤、二次烧结步骤。其有益效果是：本发明专利技术通过严格改变烧制工艺流程和控制工艺参数，可以人为地控制该材料在制备过程中的结构成分和结构变化，在降低晶粒电阻率和降低ZnO压敏电阻残压的同时，又抑制了泄漏电流的增长和非线性系数的下降。从而使该材料具有更高的性能和更适于工业应用。

【技术实现步骤摘要】
201610210523

【技术保护点】
一种降低ZnO晶粒电阻率的压敏电阻陶瓷制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铟晶体In(NO3)3·9H2O,制备步骤包括籽晶粗制步骤、初次烧结步骤、籽晶精致步骤、原料混合步骤、二次烧结步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡军，何金良，孟鹏飞，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11