一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法技术

一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝晶体Al(NO3)3·9H2O、硝酸镓Ga(NO3)3·9H2O,制备步骤包括籽晶粗制步骤、初次烧结步骤、籽晶精致步骤、原料混合步骤、二次烧结步骤。其有益效果是：本发明专利技术通过严格改变烧制工艺流程和控制工艺参数，可以人为地控制该材料在制备过程中的结构成分和结构变化，在降低晶粒电阻率和降低ZnO压敏电阻残压的同时，又抑制了泄漏电流的增长和非线性系数的下降。从而使该材料具有更高的性能和更适于工业应用。

【技术实现步骤摘要】
201610211309

【技术保护点】
一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝晶体Al(NO3)3·9H2O、硝酸镓Ga(NO3)3·9H2O,制备步骤包括籽晶粗制步骤、初次烧结步骤、籽晶精致步骤、原料混合步骤、二次烧结步骤。

【技术特征摘要】
1.一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝晶体Al(NO3)3·9H2O、硝酸镓Ga(NO3)3·9H2O,制备步骤包括籽晶粗制步骤、初次烧结步骤、籽晶精致步骤、原料混合步骤、二次烧结步骤。2.根据权利要求1中所述的低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法，其特征在于，制备籽晶步骤中，籽晶制备原料及其制备质量分数比为ZnO：Bi2O3：Al(NO3)3：Ga(NO3)3·9H2O＝20-50：0.01-0.18：0.1-0.4：0.1-1，籽晶粗制步骤方法为：将上述用于制备籽晶的原料加入去离子水、酒精后球磨8-12h，形成籽晶悬浊液，将籽晶悬浊液烘干，制成籽晶原料。3.根据权利要求2中所述的低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法，其特征在于，所述初次烧结步骤中，采用高温电路对所述籽晶悬浊液进行烧结，烧结温度为1200-1350℃，烧结时间为3-6h，烧结后恢复至常温，支撑籽晶硬块。4.根据权利要求3中所述的低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法，其特征在于，籽晶精致步骤中，向籽晶硬块中加入去离子水、酒精，研磨4-8h...

【专利技术属性】
技术研发人员：何金良，胡军，孟鹏飞，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11