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一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝晶体Al(NO3)3·9H2O...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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