【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
在半导体
，低压驱动下的互补性金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)场效应晶体管(以下简称低压晶体管)和高压驱动下的高压金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称高压晶体管)，可以集成在一个半导体衬底上。由于高压晶体管，如横向双扩散金属氧化物半导体(Lateraldouble-diffusionMetal-Oxide-semiconductor，LDMOS)场效应晶体管，具有较高击穿电压，满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，被广泛应用于高压功率集成电路，如作为逻辑元件器件。现有的集成有低压晶体管和高压晶体管的半导体器件的形成方法包括：参照图1，提供半导体衬底1，在半导体衬底1上形成有：位于第一阱区10的高压晶体管2、3及位于第二区20中的低压晶体管4，第一阱区10与第二阱区20通过浅沟槽隔离结构5绝缘隔离；以高压晶体管2为例，高压晶体管2具有栅极20，在栅极20上形成有硬掩模层6，在栅极20及硬掩模层6侧壁形成有侧墙7。参照图2，在半导体衬底1上、硬掩模层6上和侧墙7侧壁形成半导体材料层8；半导体材料层8分为：半导体衬底1上的第一部分81、和硬掩模层6上的第二部分82和侧墙7侧壁的第三部分83。参照图3，在半导体材料层8上形成图形化的掩膜层9，定义出对应源...
【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一栅极；在所述第一栅极侧壁形成侧墙；在所述半导体衬底上、第一栅极上和侧墙上形成半导体材料层，所述半导体材料层的上表面高于第一栅极上表面；去除高于所述第一栅极上表面的半导体材料层部分；在去除高于所述第一栅极上表面的半导体材料层部分后，对剩余的半导体材料层部分进行回刻蚀，至去除覆盖在所述侧墙上的半导体材料层部分；在对剩余半导体材料层部分进行回刻蚀后，对剩余半导体材料层部分进行图形化，在所述第一栅极两侧的半导体衬底上形成两第一接出部；对两第一接出部及其下的半导体衬底进行离子注入，在两第一接出部下方的半导体衬底中形成第一源极和第一漏极。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成第一栅极；
在所述第一栅极侧壁形成侧墙；
在所述半导体衬底上、第一栅极上和侧墙上形成半导体材料层，所述半
导体材料层的上表面高于第一栅极上表面；
去除高于所述第一栅极上表面的半导体材料层部分；
在去除高于所述第一栅极上表面的半导体材料层部分后，对剩余的半导
体材料层部分进行回刻蚀，至去除覆盖在所述侧墙上的半导体材料层部分；
在对剩余半导体材料层部分进行回刻蚀后，对剩余半导体材料层部分进
行图形化，在所述第一栅极两侧的半导体衬底上形成两第一接出部；
对两第一接出部及其下的半导体衬底进行离子注入，在两第一接出部下
方的半导体衬底中形成第一源极和第一漏极。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，使用化学机械
研磨工艺，去除高于所述第一栅极上表面的半导体材料层部分。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体材
料层的材料为多晶硅。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料
为氧化硅。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一栅
极侧壁形成侧墙的方法包括：
在所述半导体衬底上和第一栅极上形成侧墙材料层；
对所述侧墙材料层进行回刻蚀，至露出所述第一栅极的上表面。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体
衬底上、第一栅极上和侧墙上形成半导体材料层之前，在所述第一栅极上
形成硬掩模层；
所述侧墙还位于所述硬掩模层侧壁。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅极
为高压晶体管中的栅极或低压晶体管中的栅极。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第
一栅极、第一源极和第一漏极时，同时在所述半导体衬底上形成第三栅极、
所述第三栅极两侧的第三源极和第三漏极；
所述第一栅极和第三栅极其中之一为高压晶体管中的栅极，另一为低
压晶体管中的栅极。
9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅极
为高压晶体管的栅极，在形成所述第一栅极之前，还包括：
对所述半导体衬底进行第一型离子注入以形成第一阱区，所述第一型离
子与半导体衬底的掺杂类型反型；
对第一阱区进行第二型离子注入以形成第二阱区，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪波，蔡建祥，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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