N型薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底的表面蒸镀一氧化镁层；对所述氧化镁层进行酸化处理，形成一第一介质层；在所述形成有第一介质层的绝缘基底的表面形成一半导体碳纳米管层，并覆盖所述第一介质层；形成间隔设置的一源极和一漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；在所述半导体碳纳米管层远离所述绝缘基底的表面形成一第二介质层；以及在所述第二介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。

【技术实现步骤摘要】
N型薄膜晶体管的制备方法
本专利技术涉及一种薄膜晶体管的制备方法，尤其涉及一种基于氧化镁双介质层的N型薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
碳纳米管由于其优异的电学、光学和力学性质成为了新一代半导体材料的有力竞争者，目前已经广泛用于薄膜晶体管的制备和研究。科学研究表明，碳纳米管本身表现为本征半导体，但在通常情况下如空气中碳纳米管表现为P型半导体特征，所以容易制备P型薄膜晶体管。但仅有P型薄膜晶体管会极大降低集成电路的相关性能，增加损耗。现有技术中，基于碳纳米管的N型薄膜晶体管的制备方法主要有化学掺杂、选择低功函数金属做电极材料等。然而这些方法也存在一些问题，如使用化学掺杂的方法无法保持器件性能长期稳定，而且存在掺杂扩散污染的潜在缺点；选择低功函数金属做电极材料，对于N型单极性特征表现不明显。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种制备方法简单、性能稳定的N型薄膜晶体管。一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底的表面蒸镀一氧化镁层；对所述氧化镁层进行酸化处理，形成一第一介质层；在所述形成有第一介质层的绝缘基底的表面形成一半导体碳纳米管层，并覆盖所述第一介质层；形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底的表面蒸镀一氧化镁层；对所述氧化镁层进行酸化处理，形成一第一介质层；在所述形成有第一介质层的绝缘基底的表面形成一半导体碳纳米管层，并覆盖所述第一介质层；形成间隔设置的一源极和一漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；在所述半导体碳纳米管层远离所述绝缘基底的表面形成一第二介质层；以及在所述第二介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。

【技术特征摘要】
1.一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底的表面蒸镀一氧化镁层；对所述氧化镁层进行酸化处理，至少部分的氧化镁层被酸腐蚀，从而使得处理后的氧化镁层逐渐呈现不连续的状态，形成一第一介质层；在所述形成有第一介质层的绝缘基底的表面形成一半导体碳纳米管层，并覆盖所述第一介质层；形成间隔设置的一源极和一漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；在所述半导体碳纳米管层远离所述绝缘基底的表面形成一第二介质层，所述第二介质层在所述第一介质层的作用之下，能够对该半导体碳纳米管层进行电子掺杂，并具有良好的绝缘效果和隔绝空气中的氧气和水分子的作用；以及在所述第二介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。2.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化镁层通过磁控溅射法、蒸镀法或电子束沉积法形成于所述绝缘基底的表面。3.如权利要求2所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化镁层连续的附着于所述绝缘基底的整个表面，所述氧化镁层的厚度大于10纳米。4.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化镁层利用盐酸、硫酸或硝酸中的至少一种进行处理。5.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述半导体碳纳米管层设置于所述第一介质层的覆盖范围之内，且与所述第一介质层直接接触设置。6.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述半导体碳纳米管层通过以下方式形成于所述绝缘基底的表面：提供半导体性碳纳米管颗粒；将所述半导体性碳纳米管颗粒与溶剂混合，得到一碳纳米管悬浮液；将所述碳纳米管悬浮液中的碳纳米管沉积于所述设置有第一介质层的绝缘基底的表面，形成一半导体碳纳米管层。7.如权利要求6所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述半导体碳纳米管层中的多个半导体性碳纳米管颗粒形成一导电网络结构。8.如权利要求6所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管通过以下方式沉积于所述绝缘基底的表面：将所述绝缘基底预...

【专利技术属性】
技术研发人员：李关红，李群庆，金元浩，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11