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一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成第一栅极；在第一栅极侧壁形成侧墙；在半导体衬底、第一栅极和侧墙上形成半导体材料层，半导体材料层的上表面高于第一栅极上表面；去除高于第一栅极的半导体材料层；对剩余半导体材料层进行回刻蚀，至去除...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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