一种PERC太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种PERC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：制绒、扩散、背抛光、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积钝化叠层膜、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷正背面金属浆料、烧结；其中，所述背面沉积钝化叠层膜包括如下步骤：(1)采用原子层沉积方法在硅片电池背面沉积Al2O3薄膜；(2)将步骤(1)的电池放入管式炉中进行预退火，然后在其上沉积SiO2薄膜，然后在上述SiO2薄膜上沉积SiNx薄膜。本发明专利技术将退火步骤和SiO2、SiNx薄膜沉积集成在同一根管子中进行，从而省去了Al2O3钝化膜单独退火步骤和退火管，节省了工艺时间，降低了生产成本，适合于产业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种PERC太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池

技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。随着科技的发展，出现了局部接触背钝化（PERC）太阳能电池，这是新开发出来的一种高效太阳能电池，得到了业界的广泛关注。其核心是在硅片的背光面用氧化铝或者氧化硅薄膜(5~100纳米)覆盖，以起到钝化表面，提高长波响应的作用，从而提升电池的转换效率。但是，氧化铝或者氧化硅不导电，因此需要对该薄膜局部开口，以便于铝金属与硅片背表面接触，收集电流。另外，铝金属(通常是铝浆)，在高温烧结过程中，会破坏氧化铝或者氧化硅的钝化作用，因此通常要在氧化铝或者氧化硅薄膜上再覆盖氮化硅薄膜，起到保护作用。现有的PERC太阳能电池的制备方法主要包括如下步骤：制绒、扩散、背抛光、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积氧化铝或氧化硅薄膜、沉积氮化硅保护膜、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制绒、扩散、背抛光、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积钝化叠层膜、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷正背面金属浆料、烧结；其中，所述背面沉积钝化叠层膜包括如下步骤：(1) 采用原子层沉积方法在硅片背面沉积Al2O3薄膜；(2) 将步骤(1)的硅片放入管式炉中进行预退火，退火温度为400~600℃，退火时间为5~20 min；然后在其上沉积SiO2薄膜，沉积温度为400~600℃，沉积时间为5~10min，SiO2薄膜的厚度为5~10nm；然后在上述SiO2薄膜上沉积SiNx薄膜，其薄膜厚度为70~170nm；沉积时间为5~30mi...

【技术特征摘要】
1.一种PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制绒、扩散、背抛光、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积钝化叠层膜、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷正背面金属浆料、烧结；
其中，所述背面沉积钝化叠层膜包括如下步骤：
(1)采用原子层沉积方法在硅片背面沉积Al2O3薄膜；
(2)将步骤(1)的硅片放入管式炉中进行预退火，退火温度为400~600℃，退火时间为5~20min；然后在其上沉积SiO2薄膜，沉积温度为400~600℃，沉积时间为5~10min，SiO2薄膜的厚度为5~10nm；
然后在上述SiO2薄膜上沉积SiNx薄膜，其薄膜厚度为70~170nm；沉积时间为5~30min；
在沉积SiO2薄膜和SiNx薄膜的同时完成退火工艺。
2.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中Al2O3薄膜的厚度为5~20nm，沉积温度为200~300℃。
3.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，在SiO2薄膜上沉积SiNx薄膜，其沉积温度为400~600℃。
4.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，采用SiH4和N2O气体沉积SiO2薄膜；采用SiH4和NH3气体沉积SiNx薄膜。
5.根据权利要求1所述的PERC太阳能...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯利平，王栩生，邢国强，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32