阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法，属于显示技术领域。其中，阵列基板母板的制作方法包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成阵列排布的多个显示单元，每一显示单元包括薄膜晶体管和像素电极，每一薄膜晶体管的栅电极和源电极分别与一导电柱电连接。本发明专利技术的技术方案使用户可根据需求对阵列基板母板进行任意形状和大小的切割，得到多种尺寸的显示装置。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法。
技术介绍
现有技术中，阵列基板的尺寸均是固定的。但是，有些用户希望能够对阵列基板母板进行自由切割，即不限定切割后的阵列基板的大小和形状。但是现有阵列基板母板上栅线和数据线是交叉排布的，因此，如果对阵列基板母板进行自由切割后，有可能会切断栅线和数据线，导致无法将驱动电路上的驱动信号加载到栅线和数据线上。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法，使用户可根据需求对阵列基板母板进行任意形状和大小的切割，得到多种尺寸的显示装置。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种阵列基板母板的制作方法，包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成阵列排布的多个显示单元，每一显示单元包括薄膜晶体管和像素电极，每一薄膜晶体管的栅电极和源电极分别与一导电柱电连接。进一步地，所述形成贯穿所述衬底基板的多个过孔的步骤包括：采用UV光刻、X射线直写、激光刻蚀或构图工艺形成贯穿所述衬底基板的多个过孔。进一步地，所述在所述过孔中形成导电柱的步骤包括：在所述过孔的内壁上依次形成绝缘层、粘附层、阻挡层和电镀种子层，并通过电镀工艺在所述过孔中填充金属，形成所述导电柱。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板母板，采用如上所述的制作方法制作得到，所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板包括贯穿所述衬底基板的多个过孔，所述过孔中形成有导电柱，所述衬底基板的第一表面上形成有阵列排布的多个显示单元，每一显示单元包括薄膜晶体管和像素电极，每一薄膜晶体管的栅电极和源电极分别与一导电柱电连接。进一步地，所述过孔在所述衬底基板上的正投影落入所述栅电极在所述衬底基板上的正投影内或所述源电极在所述衬底基板上的正投影内，所述栅电极与对应的导电柱直接连接，所述源电极与对应的导电柱直接连接。进一步地，所述阵列基板母板还包括：设置在所述衬底基板的第一表面上的成行排列的栅线和成列排列的数据线，每一所述栅线与对应行薄膜晶体管的栅电极连接，每一所述数据线与对应列薄膜晶体管的源电极连接。进一步地，所述过孔对应所述栅线和所述数据线设置，所述薄膜晶体管的栅电极通过栅线与对应导电柱电连接，所述薄膜晶体管的源电极通过数据线与对应导电柱电连接。进一步地，所述显示单元为OLED显示单元，所述阵列基板母板还包括：覆盖所述多个显示单元的封装层。本专利技术实施例还提供了一种显示装置的制作方法，包括：对如上所述的阵列基板母板进行切割，得到预设大小的阵列基板；在所述阵列基板与所述第一表面相背的第二表面上粘附驱动电路，并形成连接导电柱与驱动电路之间的导电引线。进一步地，所述驱动电路包括栅极驱动电路和源极驱动电路，所述导电柱包括与薄膜晶体管的栅电极电连接的第一导电柱和与薄膜晶体管的源电极电连接的第二导电柱，所述制作方法包括：形成连接所述第一导电柱与所述栅极驱动电路的第一导电引线，形成连接所述第二导电柱与所述源极驱动电路的第二导电引线。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，为采用如上所述的制作方法制作得到。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，在衬底基板上形成多个贯穿衬底基板的过孔，在过孔内形成导电柱，在衬底基板的一个表面上形成显示单元，显示单元中薄膜晶体管的栅电极和源电极分别与一导电柱电连接。这样，可以对阵列基板母板进行自由切割，在对阵列基板母板进行任意形状和大小的切割后，可以在衬底基板另一表面上粘附驱动电路，并通过导电引线和导电柱实现驱动电路和薄膜晶体管电极之间的连接，从而实现将驱动信号加载到显示单元中，驱动显示单元进行显示。通过本专利技术的技术方案，可以实现根据需求对阵列基板母板进行任意形状和大小的切割，节省开模费用；并且本专利技术的技术方案是将驱动电路和显示单元分别设置在衬底基板的不同表面上，还有利于实现显示装置的窄边框。附图说明图1为将阵列基板母板切割为多个长度为L1的阵列基板的示意图；图2为将阵列基板母板切割为多个长度为L2的阵列基板的示意图；。图3为现有阵列基板母板的结构示意图；图4-图8为本专利技术实施例阵列基板母板的制作方法的示意图；图9和图10为本专利技术实施例阵列基板母板的平面示意图；图11为本专利技术实施例对阵列基板母板进行切割后的示意图；图12为本专利技术实施例利用导电引线连接导电柱与驱动电路的示意图。附图标记1阵列基板母板2阵列基板3衬底基板4缓冲层5栅绝缘层6层间绝缘层7钝化层8像素界定层9有机发光层10阴极11有源层12栅电极13栅线14源电极15漏电极16像素电极17导电柱18导电引线19源极驱动电路20栅极驱动电路21第二导电引线22第一导电引线23封装层具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。现有技术中，阵列基板的尺寸均是固定的。但是，有些用户希望能够对阵列基板母板进行自由切割，即不限定切割后的阵列基板的大小和形状。如图1所示，希望可以将阵列基板母板1切割为多个长度为L1的阵列基板2，再如图2所示，希望还可以将阵列基板母板1切割为多个长度为L2的阵列基板2，其中，L2＞L1，并且不管是将阵列基板母1切割成何种形状和大小的阵列基板2，均需要在切割后使得阵列基板2还能够保持显示的功能。但是如图3所示，现有阵列基板母板上栅线和数据线是交叉排布的，因此，如果对阵列基板母板进行自由切割后，有可能会切断栅线和数据线，导致无法将驱动电路上的驱动信号加载到栅线和数据线上；并且由于栅线和数据线上覆盖有多层薄膜，比如钝化层和像素电极，因此，无法通过构图工艺形成连接栅线和数据线的金属走线。为了解决上述问题，本实施例提供一种阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法，使用户可根据需求对阵列基板母板进行任意形状和大小的切割，得到多种尺寸的显示装置。实施例一本实施例提供一种阵列基板母板的制作方法，包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成阵列排布的多个显示单元，每一显示单元包括薄膜晶体管和像素电极，每一薄膜晶体管的栅电极和源电极分别与一导电柱电连接。本实施例中，在衬底基板上形成多个贯穿衬底基板的过孔，在过孔内形成导电柱，在衬底基板的一个表面上形成显示单元，显示单元中薄膜晶体管的栅电极和源电极分别与一导电柱电连接。这样，可以对阵列基板母板进行自由切割，在对阵列基板母板进行任意形状和大小的切割后，可以在衬底基板另一表面上粘附驱动电路，并通过导电引线和导电柱实现驱动电路和薄膜晶体管电极之间的连接，从而实现将驱动信号加载到显示单元中，驱动显示单元进行显示。通过本专利技术的技术方案，可以实现根据需求对阵列基板母板进行任意形状和大小的切割，节省开模费用；并且本专利技术的技术方案是将驱动电路和显示单元分别设置在衬底基板的不同表面上，还有利于实现显示装置的窄边框。进一步地，所述形成贯穿所述衬底基板的多个过孔的步骤包括：采用UV光刻、X射线直写、激光刻蚀或构图工艺形成贯穿所述衬底基板的多个过孔。当然，形成过孔的方式并不局限于上述几种方式，还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板母板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成阵列排布的多个显示单元，每一显示单元包括薄膜晶体管和像素电极，每一薄膜晶体管的栅电极和源电极分别与一导电柱电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板母板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成阵列排布的多个显示单元，每一显示单元包括薄膜晶体管和像素电极，每一薄膜晶体管的栅电极和源电极分别与一导电柱电连接，所述过孔在所述衬底基板上的正投影落入所述栅电极在所述衬底基板上的正投影内或所述源电极在所述衬底基板上的正投影内，所述栅电极与对应的导电柱直接连接，所述源电极与对应的导电柱直接连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板母板的制作方法，其特征在于，所述形成贯穿所述衬底基板的多个过孔的步骤包括：采用UV光刻、X射线直写、激光刻蚀或构图工艺形成贯穿所述衬底基板的多个过孔。3.根据权利要求1所述的阵列基板母板的制作方法，其特征在于，所述在所述过孔中形成导电柱的步骤包括：在所述过孔的内壁上依次形成绝缘层、粘附层、阻挡层和电镀种子层，并通过电镀工艺在所述过孔中填充金属，形成所述导电柱。4.一种阵列基板母板，其特征在于，采用如权利要求1-3中任一项所述的制作方法制作得到，所述阵列基板母板包括衬底基板，所述衬底基板包括贯穿所述衬底基板的多个过孔，所述过孔中形成有导电柱，所述衬底基板的第一表面上形成有阵列排布的多个显示单元，每一显示单元包括薄膜晶体管和像素电极，每一薄膜晶体管的栅电极和源电极分别与一导电柱电连接，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨照坤，王志东，邱云，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11