【技术实现步骤摘要】
201610340838
【技术保护点】
一种喷淋头，用于半导体等离子体处理装置，所述半导体等离子体处理装置包括反应腔及设置于所述反应腔中的载物台，所述载物台用以承载衬底，所述喷淋头相对于所述载物台设置于所述反应腔中，用以将反应气体沿着所述衬底的方向喷淋，其特征在于，所述喷淋头包括喷淋头通孔以将所述反应气体通入所述反应腔，所述喷淋头通孔包括第一通孔与第二通孔，所述第一通孔具有第一流阻，所述第二通孔具有第二流阻，所述第一流阻不等于所述第二流阻，所述第一通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状不同于所述第二通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状以均匀所述反应气体在所述衬底上的沉积速率。
【技术特征摘要】
1.一种喷淋头，用于半导体等离子体处理装置，所述半导体等离子体处理
装置包括反应腔及设置于所述反应腔中的载物台，所述载物台用以承载衬底，
所述喷淋头相对于所述载物台设置于所述反应腔中，用以将反应气体沿着所述
衬底的方向喷淋，其特征在于，所述喷淋头包括喷淋头通孔以将所述反应气体
通入所述反应腔，所述喷淋头通孔包括第一通孔与第二通孔，所述第一通孔具
有第一流阻，所述第二通孔具有第二流阻，所述第一流阻不等于所述第二流阻，
所述第一通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状不同于所述第二通孔在
喷淋头中所形成的区域位置及区域形状以均匀所述反应气体在所述衬底上的沉
积速率。
2.根据权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：所述喷淋头通孔包括进气
端及与所述进气端相连通的出气口，所述进气端沿着垂直气体流向的方向具有
进气横截面积，所述出气口沿着垂直气体流向的方向具有出气横截面积，所述
进气横截面积大于所述出气横截面积，所述进气横截面积为0.00785-7.85平方毫
米，所述出气横截面积为0.00785-0.785平方毫米，所述第一进气端长度与第一
出气口长度之和为5-20mm，第一进气端长度范围为2-20mm，第二出气口长度
范围为2-20mm。
3.根据权利要求2所述的喷淋头，其特征在于：所述第一通孔具有第一
进气端和第一出气口，所述第一进气端和所述第一出气口相连通，所述第一进
气端沿着垂直气体流向的方向具有第一进气横截面积，所述第一进气端沿着垂
直气体流向的方向具有第一出气横截面积，所述第一进气横截面积大于所述第
一出气横截面积。
4.根据权利要求3所述的喷淋头，其特征在于：所述第二通孔具有第二进
气端和第二出气口，所述第二进气端和所述第二出气口相连通，所述第二进气
端沿着垂直气体流向的方向具有第二进气横截面积，所述第二出气口沿着垂直
\t气体流向的方向具有第二出气横截面积，所述第二进气横截面积大于所述第二
出气横截面积。
5.根据权利要求4所述的喷淋头，其特征在于：所述第一出气口的长度与
所述第一通孔的长度具有第一长度比值，所述第二出气口与所述第二通孔具有
第二长度比值，所述第一长度比值不等于所述第二长度比值。
6.根据权利要求4所述的喷淋头，其特征在于：所述第一进气横截面积与
所述第一出气横截面积具有第一面积比值，所述第二进气横截面积与所述第二
出气横截面积具有第二面积比值，所述第一面积比值不等于所述第二面积比值。
7.根据权利要求6所述的喷淋头，其特征在于：所述喷淋头还包括第三通
孔，所述第三通孔具有第三进...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘忆军，戚艳丽，柴智，王卓，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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