一种钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材料，以氮化硼纳米片为催化剂载体，将钒酸铋负载于氮化硼纳米片上，其中氮化硼纳米片和钒酸铋的摩尔比为1：0.01～0.6。本发明专利技术还公开了其制备方法，将五水硝酸铋溶解于浓度为10％的硝酸溶液，然后加入氮化硼纳米片和偏钒酸钠得到混合溶液，将混合溶液超声搅拌均匀后水浴蒸干；然后置于马弗炉中处理即得。本发明专利技术复合材料，利用氮化硼纳米片表面存在的氮空位导致其具有一定的电负性，将光照激发后钒酸铋价带的光生空穴吸引以促进空穴的迁移，进而提高光生载流子的迁移效率；此外，氮化硼纳米片大的比表面积有利于增加复合体系的吸附性能，这些对于光催化效率的提高都是有利的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机环保催化材料
，具体涉及一种钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材料，本专利技术还涉及该复合材料的制备方法。
技术介绍
半导体光催化技术以其高效的特点日益受到人们的重视，用于解决环境污染问题和太阳能转换。对于高效光催化剂的选择是半导体光催化技术最重要的一个方面，目前，大约有200多种半导体可用于光催化反应，但是，较低的量子效率和严重的光腐蚀现象影响了大多数光催化剂的应用。因此，如何提高半导体光催化剂光生电子空穴的分离效率以抑制其快速复合是光催化技术所面临的问题。通常情况，催化剂的晶体结构、颗粒尺寸、形貌、特定暴露晶面和表面修饰(如，贵金属表面沉积、碳纳米管修饰、石墨烯修饰以及半导体复合等)是提高光生电子空穴分离效率的重要途径，但是，这些方法都是以提高光生电子的传输速率为基础的，然而，通过提高光生空穴的迁移速率以提高光生载流子的分离效率却被忽视。目前，改变光生空穴的迁移速率有两种方法，第一，设计具有能带结构比配的半导体复合体系，在体系吸收光子能量被激发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材料，其特征在于，以氮化硼纳米片为催化剂载体，将钒酸铋负载于氮化硼纳米片上，其中氮化硼纳米片和钒酸铋的摩尔比为1：0.01～0.6。

【技术特征摘要】
1.一种钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材料，其特征在于，以氮化硼纳米
片为催化剂载体，将钒酸铋负载于氮化硼纳米片上，其中氮化硼纳米片和钒
酸铋的摩尔比为1：0.01～0.6。
2.一种钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材料的制备方法，其特征在于，将
五水硝酸铋溶解于浓度为10％的硝酸溶液，然后加入氮化硼纳米片和偏钒酸
钠得到混合溶液，将混合溶液超声搅拌均匀于80～100℃水浴蒸干；然后置
于马弗炉中300～600℃处理0.5～5h，得到钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材
料。
3.根据权利要求2所述的钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材料的制备方
法，其特征在于，五水硝酸铋和硝酸的质量比为1：40～100。
4.根据权利要求2所述的钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材料的制备方
法，其特征在于，氮化硼纳米片、五水硝酸铋的摩尔比为1：0.01～0.6。
5.根据权利要求2所述的钒酸铋修饰氮化硼纳米片复合材料的制备方
法，其特征在于，五水硝酸铋和偏钒酸钠的摩尔比为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李军奇，刘辉，何选盟，朱振峰，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61