一种电子元件清洗剂制造技术

本发明专利技术公开了一种电子元件清洗剂，包括如下组分：聚环氧琥珀酸、APG‑烷基多苷、酸性清洗剂、SAS‑仲烷基磺酸钠、氢氟醚、水溶性有机胺pH调节剂、消泡剂、甲基环氧氯丙烷、稳定剂以及有机溶剂。本发明专利技术提供一种电子元件用清洗剂，该清洗剂以ODP为0的氢氟醚类为主要溶剂和其他组分相配合，满足环保、低毒、低温室效应要求，该清洗剂具有良好的清洗性能，同时泡沫低，无腐蚀，挥发小，残留少，黏度低，能够很好地对电子元件进行清洗，同时不会对电子元件造成不良影响。

【技术实现步骤摘要】
一种电子元件清洗剂
本专利技术涉及一种清洗剂，具体地说，本专利技术涉及一种电子元件清洗剂。
技术介绍
在电子工业制造的电子元件的生产过程中，电子元器件在组装前需要把表面的胶痕、助焊剂残留等污物除去，采用清洁剂对部件进行清洗是必不可少的工艺过程，在清洗这些物质时可能有一部分需要人工操作或在密闭的空间内实施，这些要求不仅需要含氟清洗剂针对胶痕和焊剂残留除污效果好，而且要求含氟清洗剂成分安全环保，挥发速率快，毒性低，气味小，不易燃。采用的清洗剂大部分为含氟化合物作为含氟清洗剂的溶剂，其主要优点是不燃或不易燃，即在不易燃的前提下达到良好的清洗效果，以前使用的最广泛的主要是1,1,2-三氟三氯乙烷(简称CFC-113)，CFC-113作为清洗溶剂，具有适度的溶解性能、良好的选择性、低粘度、低表面张力、高浸润性、快干性等优点，而且具有不燃、低毒、低腐蚀、化学与热稳定等特征，所以特别适合应用于电子、电机、精密机械、树脂加工及精密光学等元器件的清洗，并可以作为干燥溶剂使用。但CFC-113的ODP值为0.8，ODP为臭氧消耗潜能的指标表征，ODP数值越高，表示对臭氧的破坏能力越大。所以这也就说明CFC-113对大气平流层的臭氧层有破坏影响。所以发达国家已于1996年1月1日对其禁止使用，我国也在2006年完全淘汰了CFC-113的使用。可以替代CFC-113且ODP值较低的溶剂主要有氢氟氯烃类、氢氟烃类、全氟烃类、氢氟醚类、氯代烃类、氢溴烃类等。其中全氟烃类和氢氟醚类的ODP值更低至0，可被选作CFC-113更环保的替代品。但是，对于不同的清洗要求、清洗方式和清洗环境，单一组分难易达到理想的清洗效果，所以需要与其他具有不同特性的溶剂混合组成组合物，以满足各种不同的清洗要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电子元件用清洗剂，该清洗剂以ODP为0的氢氟醚类为主要溶剂和其他组分相配合，满足环保、低毒、低温室效应要求，该清洗剂具有良好的清洗性能，同时泡沫低，无腐蚀，挥发小，残留少，黏度低，能够很好地对电子元件进行清洗，同时不会对电子元件造成不良影响。本专利技术采用的技术方案为一种电子元件清洗剂，包括如下重量份的组分：聚环氧琥珀酸：2～8份；APG-烷基多苷：1～5份；酸性清洗剂：0.1～3份；SAS-仲烷基磺酸钠：1～7份；氢氟醚：6～20份；水溶性有机胺pH调节剂：1～3份；消泡剂：0.1～1份；甲基环氧氯丙烷：0.1～3份；稳定剂：0.1～3份；有机溶剂：5～12份。优选的是，所述酸性清洗剂为甲烷磺酸或乙烷磺酸。优选的是，所述氢氟醚为含C5～C10的氟代氢氟醚或其混合物。优选的是，所述稳定剂为含C2-C7的氟代醇或其混合物。优选的是，所述有机溶剂为乙醇、丙酮二种的混合物，乙醇重量百分比为50％～80％，丙酮重量百分比为20％～50％。优选的是，所述水溶性有机胺pH调节剂为一乙醇胺，二乙醇胺、三乙醇胺、环己胺、2-氨基-2-甲基-1-丙醇中的一种或多种。本专利技术至少包括以下有益效果：(1)本专利技术以氢氟醚为主要溶剂，辅配以其他成分，具有挥发速率相对较快、无闪点，不燃、储存稳定性好，相对CFC-113溶解能力较弱，但是更安全环保，通过加入聚环氧琥珀酸可以增强APG-烷基多苷、SAS-仲烷基磺酸钠功效，降低电子元件的表面张力，有助于增强氢氟醚的去污能力；(2)本专利技术的泡沫低，无腐蚀，挥发小，残留少，黏度低，能够很好地对电子元件进行清洗，同时不会对电子元件造成不良影响，加入稳定剂可以保持化学平衡，降低表面张力，防止光、热分解或氧化分解，加入水溶性有机胺pH调节剂，可以满足洗涤过程对电子零件无损伤，通过引入特定配比的有机溶剂和甲基环氧氯丙烷，可以提高清洗剂的挥发速率，具备快速、高效的特点。具体实施方式以下将结合具体实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达到技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。若未特别指明，实施例中所采用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段，所采用的原料也均为可商业获得的。未详细描述的各种过程和方法是本领域中公知的常规方法。一种电子元件清洗剂，包括如下重量份的组分：聚环氧琥珀酸：2～8份；APG-烷基多苷：1～5份；酸性清洗剂：0.1～3份；SAS-仲烷基磺酸钠：1～7份；氢氟醚：6～20份；水溶性有机胺pH调节剂：1～3份；消泡剂：0.1～1份；甲基环氧氯丙烷：0.1～3份；稳定剂：0.1～3份；有机溶剂：5～12份。作为本专利技术进一步改进，所述酸性清洗剂为甲烷磺酸或乙烷磺酸。酸性清洗剂可以有效除去铁锈、油污等较为难除去的污垢。作为本专利技术进一步改进，所述氢氟醚为含C5～C10的氟代氢氟醚或其混合物，更优选的，所述氢氟醚为九氟丁基甲醚或其它类似物的混合物，氢氟醚对电子元件表面污垢具有较好的溶解、清洗性能。对电子元件的表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘有优良的清洗效果，而且清洗需在较低温度下的有机体系中进行、具备快速、高效的特点。作为本专利技术进一步改进，所述稳定剂为含C2-C7的氟代醇或其混合物，更优选的为三氟乙醇或其类似物的混合物。作为本专利技术进一步改进，所述有机溶剂为乙醇、丙酮二种的混合物，乙醇重量百分比为50％～80％，丙酮重量百分比为20％～50％。有机溶剂在该清洗剂的的作用是溶解其他组分，同时清洗剂需要易挥发有机体系、且快速、高效、因此选用乙醇与丙酮二者的混合物作为有机溶剂，不仅可以满足溶解其他组分的性能，提高清洗剂的清洗性能，还使得整个清洗剂具有易挥发有机体系，可以有效降低清洗剂的清洗残留物。作为本专利技术进一步改进，所述水溶性有机胺pH调节剂为一乙醇胺，二乙醇胺、三乙醇胺、环己胺、2-氨基-2-甲基-1-丙醇中的一种或多种。表1列出不同实施例和对比例的具体组分及其含量。表1实施例1～3和对比例1～4具体的组分上述电子元件清洗剂的制备方法为：按照重量配比将各个组分配置好，将聚环氧琥珀酸、APG-烷基多苷、酸性清洗剂、、有机溶剂、氢氟醚、消泡剂混合，在800～1000转/分搅拌下，加热到40～50℃，加入水溶性有机胺pH调节剂、甲基环氧氯丙烷、稳定剂、SAS-仲烷基磺酸钠继续搅拌10～15分钟即得所述电子元件清洗剂。表2列出了实施例1～3和对比例1～4的测试结果。表2实施例1～3和对比例1～4的测试结果检测项目实施例1实施例2实施例3对比例1对比例2对比例3对比例4腐蚀性0.10.10.10.40.70.20.1防锈性0000000净洗力97％98％97％90％89％92％91％清洗残留物0.010.010.010.040.050.10.1污染性无无无无无无无尽管本专利技术的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本专利技术的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本专利技术并不限于特定的细节。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件清洗剂，其特征在于，包括如下重量份的组分：聚环氧琥珀酸：2～8份；APG‑烷基多苷：1～5份；酸性清洗剂：0.1～3份；SAS‑仲烷基磺酸钠：1～7份；氢氟醚：6～20份；水溶性有机胺pH调节剂：1～3份；消泡剂：0.1～1份；甲基环氧氯丙烷：0.1～3份；稳定剂：0.1～3份；有机溶剂：5～12份。

【技术特征摘要】
1.一种电子元件清洗剂，其特征在于，包括如下重量份的组分：聚环氧琥珀酸：2～8份；APG-烷基多苷：1～5份；酸性清洗剂：0.1～3份；SAS-仲烷基磺酸钠：1～7份；氢氟醚：6～20份；水溶性有机胺pH调节剂：1～3份；消泡剂：0.1～1份；甲基环氧氯丙烷：0.1～3份；稳定剂：0.1～3份；有机溶剂：5～12份；所述酸性清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡粉义，
申请(专利权)人：吴江市震宇缝制设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32