铜配线用基板清洗剂及铜配线半导体基板的清洗方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，在半导体基板的制造工艺中，对化学机械抛光(CMP)工序后的半导体基板进行清洗时，所述铜配线用基板清洗剂可以充分地抑制金属铜的溶出、且可以除去在化学机械抛光(CMP)工序中产生的氢氧化铜(II)、氧化铜(II)等杂质或颗粒。本发明专利技术涉及铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，所述铜配线用基板清洗剂由含有[I]以下述通式[1]表示的氨基酸和[II]烷基羟胺的水溶液构成，(式中，R1表示氢原子、羧甲基或羧乙基；R2和R3各自独立地表示氢原子、或具有或不具有羟基的碳原子数为1～4的烷基，其中，R1～R3均为氢原子的情况除外)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法。更详细而言，本专利技术涉及在硅晶片等半导体基板上形成半导体元件的工序中，在相对于具有铜配线或铜合金配线的半导体基板而除去进行化学机械抛光(CMP)后的残渣的工序中所使用的铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法。
技术介绍
近年来，在半导体制造工艺中，IC (集成电路)和LSI (大规模集成电路)的高速化和高集成化正在不断发展，伴随与此，所使用的配线也从以往的铝向具有高传导率的铜(Cu)转变。进一步，在制造铺设多层铜配线等配线的具有多层结构的半导体基板时，需要进行化学机械抛光(CMP)，其中，对半导体基板进行物理性抛光而使其平坦化。化学机械抛光(CMP)为下述方法:使用含有二氧化硅、氧化铝等磨粒(抛光剂)的浆料使作为抛光对象的铺设有硅氧化膜或铜配线等金属配线的半导体基板平坦化。这样的化学机械抛光(CMP)工序后的半导体基板会因在该工序中所使用的磨粒(抛光剂)其本身或浆料中所含有的金属、来源于作为抛光对象的金属配线的金属杂质、以及各种颗粒而被污染。若本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川田博美，白旗里志，水田浩德，柿沢政彦，白木一夫，
申请(专利权)人：和光纯药工业株式会社，
类型：
国别省市：