一种基于方酸衍生物的氨气传感器及其制备方法和用途技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机半导体材料
，具体涉及一种基于方酸衍生物的氨气传感器，其制备方法，及其在空气质量检测中，特别是在氨气检测中的用途。
技术介绍
随着环境污染日益严重，当今社会对于环境问题的关注度不断增高，尤其是与人体健康息息相关的小环境内的大气环境问题备受关注。氨气是一种无色但却具有强烈刺激性臭味的气体，其密度比空气轻（相对比重约为0.5），人体可感觉的最低浓度为5.3ppm。当氨气与人体的皮肤组织接触时，不仅产生刺激作用，而且还会腐蚀皮肤。氨气可以通过吸收皮肤中的水分，使蛋白变性，并使组织脂肪皂化，破坏细胞膜结构。由于氨气的溶解度极高，因此其主要对动物或人体的上呼吸道产生刺激和腐蚀作用，减弱人体抵抗疾病的能力。当其浓度过高时，还可以通过三叉神经末梢的反射作用诱发心脏骤停和呼吸停止。然而，目前常见的氨气传感器的检测限高、选择性差，并且制备工艺较为复杂，因此迫切需要一种检测限低、选择性高、灵敏度高、制备过程简单易行的新型氨气传感器。
技术实现思路
针对上述情况，本专利技术采用一种方酸衍生物MSA（其结构如下所示）来制备氨气...
【技术保护点】
如式I所示的方酸衍生物在制备氨气传感器中的用途，。
【技术特征摘要】
1.如式I所示的方酸衍生物在制备氨气传感器中的用途，
。
2.一种基于方酸衍生物的氨气传感器，其包括叉指电极和镀膜材料，所述镀膜材料为根据权利要求1所述的如式I所示的方酸衍生物，所述镀膜材料通过真空镀膜技术镀于所述叉指电极上，并且所述镀膜材料的厚度为100~200nm。
3.根据权利要求2所述的基于方酸衍生物的氨气传感器，其特征在于：
所述叉指电极以自下而上依次为硅、二氧化硅、铬的层状结构为基底，所述基底上设置有金电极；
所述二氧化硅的厚度为270~330nm，所述铬的厚度为9~11nm，所述金电极的厚度为90~110nm。
4.根据权利要求2所述的基于方酸衍生物的氨气传感器，其特征在于：
所述叉指电极的叉指宽度为3~8μm，叉指间距为2~5μm。
5.一种根据权利要求2所述的基于方酸衍生物的氨气传感器的制备方法，其包括如下步骤：
1）清洁基板，并将叉指电极固定在所述基板上；
2）将步骤1）中固定有叉指电极的基板置于真空镀膜装置中，并向所述真空镀膜装置中装入作为镀膜材料的根据权...
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