本发明专利技术提出了一种碳纳米多层巴伦，包括顶层金属地和底层金属地；金属屏蔽层，所述金属屏蔽层上开有窗口；上层耦合线，所述上层耦合线位于所述顶层金属地与所述金属屏蔽层之间，且所述上层耦合线的一端通过上接地通孔连接至所述顶层金属地；导线连接通孔，所述导线连接通孔的一端连接至所述上层耦合线的另一端，且所述导线连接通孔穿过所述窗口；以及下层耦合线，所述下层耦合线位于所述底层金属地与所述金属屏蔽层之间，所述下层耦合线的一端通过下接地通孔连接至所述底层金属地，且所述下层耦合线的另一端连接至所述导线连接通孔的另一端。利用本发明专利技术提出的碳纳米多层巴伦，可有效减小巴伦的体积，便于巴伦与其它电路元件集成。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波领域，特别涉及一种碳纳米多层巴伦。
技术介绍
在射频领域，巴伦用途十分广泛，任何需要进行平衡到不平衡变换的场所都需要用到，如相位检波器、单边带调制器、平衡混频器以及天线等。微带线结构的巴伦，尤其是Marchand巴伦，因其模型分析简单，便于与同轴线耦合等优点而得到了广泛应用。Marchand巴伦由两段相同的耦合线组成，每段耦合线的长度均为中心频率处的四分之一波长。由于Marchand巴伦的耦合线长度和中心波长处于同一量级，因此，其长度很长。若将Marchand巴伦制作在一平面上，则其体积较大。
技术实现思路
本专利技术提出一种碳纳米多层巴伦，解决了现有技术中巴伦体积过大，不利于于其它电路元件集成的问题。本专利技术的技术方案是这样实现的:—种碳纳米多层巴伦，包括顶层金属地和底层金属地;金属屏蔽层，所述金属屏蔽层上开有窗口 ；上层耦合线，所述上层耦合线位于所述顶层金属地与所述金属屏蔽层之间，且所述上层耦合线的一端通过上接地通孔连接至所述顶层金属地；导线连接通孔，所述导线连接通孔的一端连接至所述上层耦合线的另一端，且所述导线连接通孔穿过所述窗口；以及下层耦合线，所述下层耦合线位于所述底层金属地与所述金属屏蔽层之间，所述下层耦合线的一端通过下接地通孔连接至所述底层金属地，且所述下层耦合线的另一端连接至所述导线连接通孔的另一端；所述金属屏蔽层为改性碳纳米层，含有以下组分:乙二胺，氯化亚砜，浓硝酸，浓硫酸，四氢呋喃，蒸馏水，无水乙醇。本专利技术的有益效果是可有效减小巴伦的体积，便于巴伦与其它电路元件集成。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一种碳纳米多层巴伦一个实施例的立体结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术一种碳纳米多层巴伦一个实施例的立体结构示意图。如图1所示，碳纳米多层巴伦I包括顶层金属地21、底层金属地22以及金属屏蔽层3。金属屏蔽层3上开有窗口 32，窗口 32中穿过导线连接通孔31。碳纳米多层巴伦I还包括上层耦合线4和下层耦合线5，上层耦合线4位于顶层金属地21与金属屏蔽层3之间，下层耦合线5位于底层金属地21与金属屏蔽层3之间。上层耦合线4和下层耦合线5的一端通过导线连接通孔31连接起来，且上层耦合线4的另一端通过通孔43连接至顶层金属地21，下层耦合线5的另一端通过通孔53连接至底层金属地22。在图1所示实施例中，上层耦合线4包括第一分段41和第二分段42，所述第一分段41和第二分段42分布在不同介质层上，且垂直排列。同样，下层耦合线5包括第一分段51和第二分段52，所述第一分段51和第二分段52分布在不同介质层上，且垂直排列。所述金属屏蔽层为改性碳纳米层，含有以下组分:乙二胺，氯化亚砜，浓硝酸，浓硫酸，四氢呋喃，蒸馏水，无水乙醇。乙二胺I，2-二氨基乙烷。分子结构简式为H2NCH2CH2NH2t3无色透明的粘稠液体，有氨的气味。溶于水和乙醇，微溶于乙醚。乙二胺为强碱，遇酸易成盐;溶于水时生成水合物；能吸收空气中的潮气和二氧化碳生成不挥发的碳酸盐。乙二胺可与许多无机盐形成络合物。优选地，所述的乙二胺通过二氯乙烷法制备，反应方程式为:C1CH2CH2C1+2NH40H—HC1.H2NCH2CH2NH2.HCl+2H20^NH2CH2CH2NH2+2Nacl其他组分:氯化亚砜，浓硝酸，浓硫酸，四氢呋喃，蒸馏水，无水乙醇，均为市售原料。在一个实施例中，耦合线采用宽边带状线制作。在另一个实施例中，耦合线为曲折线形式。在碳纳米多层巴伦I中，耦合线4和5关于金属屏蔽层3呈完全对称，这样可使得输出具有良好的幅值、相位性能。并且，金属屏蔽层3还起到隔离上下耦合线的作用，以防止信号的窜扰。利用本专利技术提出的碳纳米多层巴伦，可有效减小巴伦的体积，便于巴伦与其它电路元件集成。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.一种碳纳米多层巴伦，其特征在于，包括: 顶层金属地和底层金属地； 金属屏蔽层，所述金属屏蔽层上开有窗口 ； 上层耦合线，所述上层耦合线位于所述顶层金属地与所述金属屏蔽层之间，且所述上层耦合线的一端通过上接地通孔连接至所述顶层金属地； 导线连接通孔，所述导线连接通孔的一端连接至所述上层耦合线的另一端，且所述导线连接通孔穿过所述窗口 ；以及 下层耦合线，所述下层耦合线位于所述底层金属地与所述金属屏蔽层之间，所述下层耦合线的一端通过下接地通孔连接至所述底层金属地，且所述下层耦合线的另一端连接至所述导线连接通孔的另一端； 所述金属屏蔽层为改性碳纳米层，含有以下组分:乙二胺，氯化 亚砜，浓硝酸，浓硫酸，四氢呋喃，蒸馏水，无水乙醇。2.如权利要求1所述的碳纳米多层巴伦，其特征在于，所述上层耦合线和所述下层耦合线关于所述金属屏蔽层呈对称分布。3.如权利要求1所述的碳纳米多层巴伦，其特征在于，所述上层耦合线包括第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段分布在不同介质层上，且垂直排列。【专利摘要】本专利技术提出了一种碳纳米多层巴伦，包括顶层金属地和底层金属地；金属屏蔽层，所述金属屏蔽层上开有窗口；上层耦合线，所述上层耦合线位于所述顶层金属地与所述金属屏蔽层之间，且所述上层耦合线的一端通过上接地通孔连接至所述顶层金属地；导线连接通孔，所述导线连接通孔的一端连接至所述上层耦合线的另一端，且所述导线连接通孔穿过所述窗口；以及下层耦合线，所述下层耦合线位于所述底层金属地与所述金属屏蔽层之间，所述下层耦合线的一端通过下接地通孔连接至所述底层金属地，且所述下层耦合线的另一端连接至所述导线连接通孔的另一端。利用本专利技术提出的碳纳米多层巴伦，可有效减小巴伦的体积，便于巴伦与其它电路元件集成。【IPC分类】H01P5/10, B82Y30/00【公开号】CN105552502【申请号】CN201511004523【专利技术人】李姗姗 【申请人】青岛玻莱莫斯新材料技术有限公司【公开日】2016年5月4日【申请日】2015年12月29日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种碳纳米多层巴伦，其特征在于，包括：顶层金属地和底层金属地；金属屏蔽层，所述金属屏蔽层上开有窗口；上层耦合线，所述上层耦合线位于所述顶层金属地与所述金属屏蔽层之间，且所述上层耦合线的一端通过上接地通孔连接至所述顶层金属地；导线连接通孔，所述导线连接通孔的一端连接至所述上层耦合线的另一端，且所述导线连接通孔穿过所述窗口；以及下层耦合线，所述下层耦合线位于所述底层金属地与所述金属屏蔽层之间，所述下层耦合线的一端通过下接地通孔连接至所述底层金属地，且所述下层耦合线的另一端连接至所述导线连接通孔的另一端；所述金属屏蔽层为改性碳纳米层，含有以下组分：乙二胺，氯化亚砜，浓硝酸，浓硫酸，四氢呋喃，蒸馏水，无水乙醇。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李姗姗，
申请(专利权)人：青岛玻莱莫斯新材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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