一种多层巴伦制造技术

技术编号:14859212 阅读:64 留言:0更新日期:2017-03-19 11:10
本发明专利技术提出了一种多层巴伦,包括顶层金属地和底层金属地;金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上开有窗口;上层耦合线,所述上层耦合线位于所述顶层金属地与所述金属屏蔽层之间,且所述上层耦合线的一端通过上接地通孔连接至所述顶层金属地;导线连接通孔,所述导线连接通孔的一端连接至所述上层耦合线的另一端,且所述导线连接通孔穿过所述窗口;以及下层耦合线,所述下层耦合线位于所述底层金属地与所述金属屏蔽层之间,所述下层耦合线的一端通过下接地通孔连接至所述底层金属地,且所述下层耦合线的另一端连接至所述导线连接通孔的另一端。利用本发明专利技术提出的多层巴伦,可有效减小巴伦的体积,便于巴伦与其它电路元件集成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波领域,特别涉及一种多层巴伦
技术介绍
在射频领域,巴伦用途十分广泛,任何需要进行平衡到不平衡变换的场所都需要用到,如相位检波器、单边带调制器、平衡混频器以及天线等。微带线结构的巴伦,尤其是Marchand巴伦,因其模型分析简单,便于与同轴线耦合等优点而得到了广泛应用。Marchand巴伦由两段相同的耦合线组成,每段耦合线的长度均为中心频率处的四分之一波长。由于Marchand巴伦的耦合线长度和中心波长处于同一量级,因此,其长度很长。若将Marchand巴伦制作在一平面上,则其体积较大。
技术实现思路
本专利技术提出一种多层巴伦,解决了现有技术中巴伦体积过大,不利于于其它电路元件集成的问题。本专利技术的技术方案是这样实现的:一种多层巴伦,包括顶层金属地和底层金属地;金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上开有窗口;上层耦合线,所述上层耦合线位于所述顶层金属地与所述金属屏蔽层之间,且所述上层耦合线的一端通过上接地通孔连接至所述顶层金属地;导线连接通孔,所述导线连接通孔的一端连接至所述上层耦合线的另一端,且所述导线连接通孔穿过所述窗口;以及下层耦合线,所述下层耦合线位于所述底层金属地与所述金属屏蔽层之间,所述下层耦合线的一端通过下接地通孔连接至所述底层金属地,且所述下层耦合线的另一端连接至所述导线连接通孔的另一端;所述金属屏蔽层为导电塑料,包括以下组分及重量份:聚氯乙烯100份,三盐3份,二盐1.5份,硬脂酸钡1.5份,ACR4012份,CPE8份,活性轻钙8份,钛白5份,OP蜡1份,乙炔黑8份。可选地,所述上层耦合线和所述下层耦合线关于所述金属屏蔽层呈对称分布。可选地,所述上层耦合线包括第一分段和第二分段,所述第一分段和所述第二分段分布在不同介质层上,且垂直排列。可选地,所述下层耦合线包括第一分段和第二分段,所述第一分段和所述第二分段分布在不同介质层上,且垂直排列。可选地,所述上层耦合线和所述下层耦合线为宽边带状线。可选地,所述上层耦合线和所述下层耦合线采用曲折线结构。本专利技术的有益效果是可有效减小巴伦的体积,便于巴伦与其它电路元件集成。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一种多层巴伦一个实施例的立体结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术一种多层巴伦一个实施例的立体结构示意图。如图1所示,多层巴伦1包括顶层金属地21、底层金属地22以及金属屏蔽层3。金属屏蔽层3上开有窗口32,窗口32中穿过导线连接通孔31。多层巴伦1还包括上层耦合线4和下层耦合线5,上层耦合线4位于顶层金属地21与金属屏蔽层3之间,下层耦合线5位于底层金属地21与金属屏蔽层3之间。上层耦合线4和下层耦合线5的一端通过导线连接通孔31连接起来,且上层耦合线4的另一端通过通孔43连接至顶层金属地21,下层耦合线5的另一端通过通孔53连接至底层金属地22。在图1所示实施例中,上层耦合线4包括第一分段41和第二分段42,所述第一分段41和第二分段42分布在不同介质层上,且垂直排列。同样,下层耦合线5包括第一分段51和第二分段52,所述第一分段51和第二分段52分布在不同介质层上,且垂直排列。所述金属屏蔽层为导电塑料,包括以下组分及重量份:聚氯乙烯100份,三盐3份,二盐1.5份,硬脂酸钡1.5份,ACR4012份,CPE8份,活性轻钙8份,钛白5份,OP蜡1份,乙炔黑8份。通过加入乙炔黑,获得一种导电塑料,然后进行导电性能评价,从而完成本专利技术。本专利技术导电塑料的生产工艺流程图如图1所示,步骤10:将各组分按照一定的比例,用电子天平称量好;步骤20:称好的原料在干净的双辊开炼机上进行混炼;步骤30:混炼好的聚氯乙烯,在塑料压延机上进行压延;步骤40:将压延好的塑料片,放入造粒机中进行造粒;以备注射或是挤出使用。聚氯乙烯由氯乙烯在引发剂作用下聚合而成的热塑性树脂。是氯乙烯的均聚物。氯乙烯均聚物和氯乙烯共聚物统称为氯乙烯树脂。PVC有较好的机械性能,抗张强度60MPa左右,冲击强度5~10kJ/m2;有优异的介电性能;但对光和热的稳定性差;PVC很坚硬,溶解性也很差,只能溶于环己酮、二氯乙烷和四氢呋喃等少数溶剂中,对有机和无机酸、碱、盐均稳定,化学稳定性随使用温度的升高而降低。为了达到本专利技术的导电性能,本专利技术采用的聚氯乙烯通过本体法聚合而成。优选地,所述的聚氯乙烯,其分子量为10万,冲击强度为8kJ/m2。乙炔黑乙炔炭黑是由碳化钙法或石脑油(粗汽油)热解时副产气分解精制得到的纯度99%以上的乙炔,经连续热解后得到的炭黑。将反应炉内部升温至乙炔分解起始温度800℃以上后,导入乙炔开始进行热分解。因系放热反应,反应可自动进行。为了获得稳定的质量,反应温度应保持在1800℃左右。炉内温度可通过反应炉外筒水冷夹套进行控制。乙炔炭黑与其它炭黑相比具有以下特性:质量轻比重小;比表面积大吸附性强;化学性质稳定;表面活性好,导电性高;纯净度高,灰分和挥发分低。对比粉状乙炔黑,粒状炭黑具有体积小便于运输、粉尘污染小利于改善使用环境、流动性及分散性好等优点。在一个实施例中,耦合线采用宽边带状线制作。在另一个实施例中,耦合线为曲折线形式。在多层巴伦1中,耦合线4和5关于金属屏蔽层3呈完全对称,这样可使得输出具有良好的幅值、相位性能。并且,金属屏蔽层3还起到隔离上下耦合线的作用,以防止信号的窜扰。利用本专利技术提出的多层巴伦,可有效减小巴伦的体积,便于巴伦与其它电路元件集成。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层巴伦,其特征在于,包括:顶层金属地和底层金属地;金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上开有窗口;上层耦合线,所述上层耦合线位于所述顶层金属地与所述金属屏蔽层之间,且所述上层耦合线的一端通过上接地通孔连接至所述顶层金属地;导线连接通孔,所述导线连接通孔的一端连接至所述上层耦合线的另一端,且所述导线连接通孔穿过所述窗口;以及下层耦合线,所述下层耦合线位于所述底层金属地与所述金属屏蔽层之间,所述下层耦合线的一端通过下接地通孔连接至所述底层金属地,且所述下层耦合线的另一端连接至所述导线连接通孔的另一端;所述金属屏蔽层为导电塑料,包括以下组分及重量份:聚氯乙烯100份,三盐3份,二盐1.5份,硬脂酸钡1.5份,ACR4012份,CPE 8份,活性轻钙8份,钛白5份,OP蜡1份,乙炔黑8份。

【技术特征摘要】
1.一种多层巴伦,其特征在于,包括:
顶层金属地和底层金属地;
金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上开有窗口;
上层耦合线,所述上层耦合线位于所述顶层金属地与所述金属屏
蔽层之间,且所述上层耦合线的一端通过上接地通孔连接至所述顶层
金属地;
导线连接通孔,所述导线连接通孔的一端连接至所述上层耦合线
的另一端,且所述导线连接通孔穿过所述窗口;以及
下层耦合线,所述下层耦合线位于所述底层金属地与所述金属屏
蔽层之间,所述下层耦合线的一端通过下接地通孔连接至所述底层金
属地,且所述下层耦合线的另...

【专利技术属性】
技术研发人员:李姗姗
申请(专利权)人:青岛玻莱莫斯新材料技术有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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