分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件技术方案

分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统（ＭＥＭＳ）移相器芯片级微封装构件。本发明专利技术的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明专利技术密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体的厚度（ｔ）为５－２０μｍ。本发明专利技术在１０～５０ＧＨｚ的微波频段工作，具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明专利技术的插入损耗＜－０．２ｄＢ、反射系数低于－２０ｄＢ、相移量也具有非常好的线性关系。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它由衬底（１）、第一共面波导地线（２）、绝缘介质层（３）、第二共面波导地线（４）、移相器的微结构件（５）、第一金属互连线（６）、第二金属互连线（７）、第三金属互连线（８）、密封绝缘介质封装体（９）、第四金属互连线（１０）、第五金属互连线（１１）、第六金属互连线（１２）、共面波导信号线（１３）和密封剂层（１５）组成，第一金属互连线（６）、第二金属互连线（７）和第三金属互连线（８）等距设置在衬底（１）内的右侧，第四金属互连线（１０）、第五金属互连线（１１）和第六金属互连线（１２）等距设置在衬底（１）内的左侧，第一共面波导地线（２）、第二共面波导地线（４）和共面波导信号线（１３）三者相互平行设置在衬底（１）的上面，第一共面波导地线（２）的两端分别与第一金属互连线（６）和第六金属互连线（１２）相连接，第二共面波导地线（４）的两端分别与第三金属互连线（８）和第四金属互连线（１０）相连接，共面波导信号线（１３）的两端分别与第二金属互连线（７）和第五金属互连线（１１）相连接，绝缘介质层（３）只固定在移相器的微结构件（５）正下方的共面波导信号线（１３）的上表面上，移相器的微结构件（５）下表面的两端分别与第一共面波导地线（２）和第二共面波导地线（４）的上表面固定连接，密封绝缘介质封装体（９）设置在移相器的微结构件（５）的外侧，密封绝缘介质封装体（９）的两侧分别与第一共面波导地线（２）和第二共面波导地线（４）的上表面固定连接，其特征在于密封绝缘介质封装体（９）上开有上下相通的孔（１４），密封绝缘介质封装体（９）的上表面上固定有密封剂层（１５），密封绝缘介质封装体（９）由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体（９）的厚度度（ｔ）为５－２０μｍ。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴群，朱淮城，贺训军，徐颖，傅佳辉，徐国兵，孟繁义，颜覃睿，唐恺，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，北京遥感设备研究所，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]