本发明专利技术提供了有机电致发光化合物、其在有机光电装置中的用途以及包含其的有机光电装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机电致发光材料领域，尤其涉及有机电致发光材料以及该材料在有 机光电装置中的应用。
技术介绍
近几年来，有机发光二极管(OLED)因其自发光、高效率、广色域、广视角等优点成 为国内外异常热门的新一代显示产品。同时制作OLED的有机材料扮演着至关重要的角色。 其中，OLED发光层的材料在受到电致激发后，产生了单线态激发态（S1)激子和三 线态激发态(T 1)激子，根据自旋统计，两种激子数量比例为1:3。根据发光机制的不同，可用 于有机发光二极管发光层的材料通常为以下几种。荧光材料，只利用25%的单线态5:激子， 通过辐射跃迀回到基态S Q，所以应用这种材料的OLED的最大外量子效率突破不了这个限 制。第二种是磷光材料，不仅可以利用25%的单线态5:激子，还能利用75%的三线态!^激子， 所以理论内量子效率可达100%，用于OLED上发光效果绝对优于荧光材料，但是由于磷光材 料多为稀有金属配合物，所以材料成本较高，并且蓝色磷光材料一直存在其应用于OLED中 效率和寿命不佳等问题。在2011年，日本九州大学Adachi教授等人报道了发光性能良好的 热激活延迟荧光(TADF)材料。这种材料S 1态与T1态之间的能隙值较小且!^态激子寿命较长， 在一定温度条件下，T1态激子可以逆向系间窜越(RISC)实现T 1^S1的过程，再由5:态辐射衰 减至基态So。所以用这种材料作为发光层的OLED器件的发光效率可以和磷光材料相媲美， 并且不需要稀有金属元素，材料成本低。但是目前这种材料仍然不多，新型高性能TADF材料 亟待开发。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种含N杂环化合物，所述化合 物具有式(I)所述的结构： 式（I)中，Ai、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8均各自独立地选自氢原子、式（II)结构的化合物 或具有式(ΠΙ)结构的化合物;且41^2^3^4)5^6^ 7^8中至少有一个式（11)结构的化合 物和一个具有式(I II)结构的化合物； 式（I I)中，Yi、Y2、Y3各自独立地为碳或氮;R3和R4各自独立地选自Q^ 3Q芳香基团或 C2~3Q杂环芳香基团；式(in)中，X选自氧基、硫基、取代或未取代的亚氨基、取代或未取代的亚甲基、取 代或未取代的亚甲硅烷基中的任意1种； !^、!^、!^、!^、!^、!^、!^、!^各自独立地选自氢~氘~烷基丄卜加烷基^~加芳基或 C2^j杂芳基中的任意1种。 本专利技术目的之二在于提供一种目的之一所述的化合物在有机光电装置中的用途。 本专利技术目的之三在于提供一种有机光电装置，所述有机光电装置包括阳极、阴极 以及位于阳极和阴极之间的至少1层有机薄膜层，所述有机薄膜层包括目的之一所述化合 物中的任意1种或至少2种的组合。 与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的化合物具有热激活延迟荧光性能，是一种TADF材料，发光效率较高， 能够提高有机光电装置的发光效率;且本专利技术制备的化合物，属于小分子有机物，相较于发 磷光的金属配合物，成本较低，且不含重金属和卤素，环境友好。【附图说明】 图1为【具体实施方式】一提供的包含本专利技术的化合物的有机电致发光二极管的结构 示意图； 图2为【具体实施方式】二提供的包含本专利技术的化合物的有机电致发光二极管的结构 示意图； 图3为【具体实施方式】三提供的包含本专利技术的化合物的有机电致发光二极管的结构 示意图； 图4为【具体实施方式】四提供的包含本专利技术的化合物的有机电致发光二极管的结构 示意图； 图5为【具体实施方式】五提供的包含本专利技术的化合物的有机电致发光二极管的结构 示意图。【具体实施方式】 下面通过【具体实施方式】来进一步说明本专利技术的技术方案。在本专利技术的一个【具体实施方式】中，提供了具有式(I)所述结构的化合物： 式（I)中，Αι、Α2、Α3、Α4、Α5、Α6、Α7、Α8均各自独立地选自氢原子、式（II)结构的化合物 或具有式（ΠΙ)结构的化合物;且41^2^3^4)5^ 6^7^8中至少有一个式（11)结构的化合 物和一个具有式(I II)结构的化合物； 式（I I)中，Y1、Y2、Y3各自独立地为碳或氮;R3和R 4各自独立地选自Q^3Q芳香基团或 C2~3Q杂环芳香基团；式(I II)中，X选自氧基、硫基、取代或未取代的亚氨基、取代或未取代的亚甲基、取 代或未取代的亚甲硅烷基中的任意1种； 各自独立地选自氢、氘、烷基、Cho烷基、C6~3〇芳基或 C2^j杂芳基中的任意1种。 在上述实施方式中，所述&~3〇烷基优选为含有1~20个碳原子的烷基。在上述实施方式中，所述C1~3Q烷基优选为含有1-10个碳原子的烷基。 在上述实施方式中，所述&~3〇烷基优选为含有1-6个碳原子的烷基。 在上述实施方式中，所述C6-3Q芳香基团优选为含有6~15个碳原子的芳香基团。 在上述实施方式中，所述C6-3Q芳香基团优选为含有6~10个碳原子的芳香基团。 在上述实施方式中，所述C2~3Q杂环芳香基团优选为含有2~20个碳原子的杂环芳 香基团。 在上述实施方式中，所述C2-3Q杂环芳香基团优选为含有2~10个碳原子的杂环芳香基团。 在上述实施方式中，所述氧基为， 所述取代或 ，' 未取代的亚氨基为 所述未取代的亚甲基为 -所述取代或未取代的 ，+ ，+ 亚甲硅烷基为-所述Ri3、Ri4、Ri5、Ri6、Ri 7均各自独立地选自氢、氘、CfC3O烷基、 C6~C3q芳基或C2~C3q杂芳基中的任意1种；在上述实施方式中，最低单重态S1与最低三重态1^态之间的能极差AEst = Es1-En < 0.30eV，例如0.29eV、0.28eV、0.27eV、0.26eV、0.25eV、0.24eV、0.23eV、0.22eV、0.21eV、 0.20eV、0.19eV、0.18eV、0.16eV、0.14eV、0.13eV、0.12eV、0.11eV、0.10eV、0.09eV、0.08eV、 0·07eV、0·06eV、0·05eV、0·04eV、0·03eV、0·02eV、0·01eV等。当ΔE st>0·30eV时，所述化合 物的荧光延迟效果不明显。 优选地，所述化合物Δ Est < 0.25eV。 优选地，所述化合物Δ Est ^ 0· 15eV。 优选地，所述化合物Δ Est < 0· 10eV。 优选地，所述化合物Δ Est < 0 · 05eV。 优选地，所述化合物Δ Est < 0 · 02eV。 优选地，所述化合物Δ Est < 0 · OleV。 在一个实施方式中，所述式（II)的结构选自中的任意1种。 在一个实施方式中，所述R3和R4各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取 代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基中的任意1种或至少2种得组合。 在一个优选实施方式中，所述式（II)的结构为 在一个优选实施方式中，式（III)的结构中，X选自-o-、-s-、-nh-、-n(ch3)-、在另一个实施方式中，所述 1?5、1?6、1?7、1?8、1?9、1?1()、1?11和1?12均为氢。在一个优本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种含N杂环化合物，其特征在于，所述化合物具有式(I)所述的结构：式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8均各自独立地选自氢原子、具有式(II)结构的化合物或具有式(III)结构的化合物；且A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8中至少有一个式(II)结构的化合物和一个具有式(III)结构的化合物；式(II)中，Y1、Y2、Y3各自独立地为碳或氮；R3和R4各自独立地选自C6～30芳香基团或C2～30杂环芳香基团；式(III)中，X选自氧基、硫基、取代或未取代的亚氨基、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的亚甲硅烷基中的任意1种；R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12各自独立地选自氢、氘、C1～30烷基、C6～30芳基或C2～30杂芳基中的任意1种。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：任泓扬，王湘成，何为，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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