【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种装置,包括:第一晶片;第二晶片;以及在第一晶片和第二晶片之间的导电沿,导电沿电气地且机械地连接第一晶片和第二晶片,导电沿和第二晶片至少部分地密封第一晶片表面上的一区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏珊A阿里,布鲁斯K瓦赫特曼,迈克尔朱蒂,大卫克内德勒,
申请(专利权)人:模拟设备公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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