CaCu3Ti4O12晶体生长原料的合成方法及制备CaCu3Ti4O12晶体的方法技术

本发明专利技术属于晶体生长技术领域，提供了一种CaCu3Ti4O12晶体生长原料的合成方法，将CaCO3、CuO和TiO2按照配比充分混合均匀、压制成块状、高温烧结后成为晶体生长的起始原料。还提供了一种制备CaCu3Ti4O12晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，以铂金坩埚作为生长容器，升温至熔化后，搅拌溶液，然后冷却至饱和点以上5～15℃，得到混合均匀的熔体，将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉开始试探饱和温度，20～24h后籽晶未熔未长，则开始以0.1～2℃/day的降温速率缓慢生长，晶体生长结束后，提出晶体然后缓慢降至室温，取出得到CaCu3Ti4O12晶体。CaCu3Ti4O12晶体具有巨介电常数，有望用于新信息存储材料等领域。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】CaCu3T i 4θ12晶体生长原料的合成方法及制备CaCu3T i 4θ12
本专利技术涉及晶体生长领域，特别是一种采用熔盐法生长CaCu3Ti4O12。
技术介绍
2000年，研究者首次报道出了一种具有巨介电常数的CaCu3Ti4O12陶瓷材料，具有高达14的相对介电常数(Journal of Solid State Chemistry，2000，151: 323)，并且在100?600K之间相对介电常数值基本不随温度而变化。而CaCu3Ti4O12单晶样品的相对介电常数甚至可达15或是更高，所以10余年来成为人们研究的热点之一，CaCu3Ti4O1J^巨介电常数及其高的热稳定性使得该材料有望在高密度信息存储、高介电容器、高储能密度材料等领域形成广泛的应用。目前研究报道出来的CaCu3Ti4O12晶体生长技术很少，如区熔法(Science,2001，293(27):673)和自发成核法(Journal of Crystal Growth，2014，408:60)，且均不成熟，生长出来的晶体尺寸很小、包裹物较多，限制了CaCu3Ti4O12晶体在器件上的应用。Ca本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CaCu3Ti4O12晶体生长原料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1).以纯度皆为99.9％的CaCO3、CuO和TiO2为初始原料，按照Ca2+:Cu2+:Ti4+的摩尔比1:(57～61):(19～21)称取原料；(2).将所述的原料充分混合均匀，压制成块，接着进行块料烧结，烧结过程在930～960℃下恒温烧结8～12h。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李百中，李铮，施振华，齐红基，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31