一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉技术

本发明专利技术涉及单晶硅制备技术领域，尤其是涉及熔融液提拉法的大尺寸单晶生长技术领域，具体公开了一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉，通过优化单晶炉生产工艺及氩气吹扫方式，能够控制单晶硅生长界面保持良好的温度梯度，提高热场稳定性，提高单晶生长速率同时保证稳定的单晶质量，提高了产能，降低了能耗和生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及单晶娃制备
，尤其是设及烙融液提拉法的大尺寸单晶生长技 术领域。
技术介绍
直拉法生产娃单晶需要化料、引晶、放肩、等径、收尾和冷却等工艺过程，为了降低 生产成本，大尺寸单晶生长已成为主流，单晶炉单次投料量增大，单晶炉热场尺寸增大，目 前，光伏用单晶热场石墨相蜗尺寸普遍由22寸增大至24或26寸，已达到单炉最大投料量的 增加，只有单次投料量增加后热场运行平稳并生长时长相应缩短，才能达到提高单炉产能、 降低成本的目的。单晶炉热场增大后，加热器距离烙体中屯、点的区间变长，为了保证单晶炉 生产安全，会相应加大加热功率，W保证溶液中屯、点达到适宜的液面溫度，同时其运行速率 也会随着功率的上升有一定降低，W达到生长界面的平稳。因此，其运行时长随之也呈几何 倍数延长，尤其在等径生长阶段，会面临生长速率偏低、找溫度时长延长、耗能增大等问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种直拉法制备大尺寸单晶娃棒的方法W及适 用该方法的单晶炉，能够保证单晶炉在增大热场尺寸后，保持较高的生长速率，缩短生长时 长，提高单炉产能，降低生产能耗和生产成本。 为解决上述技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法，包括化料、引晶、放肩、等径、收尾和冷却，其特征在于：其等径生长阶段单晶炉热场排气方法为：氩气气流经导流筒(1)内部进入热场系统，对单晶硅棒生长界面进行吹扫，再沿着导流筒外壁(11)向上到达排气管路(4)进气口(42)，气流在排气管路(4)内穿过热场系统保温筒外部的保温材料层(3)，经由位于单晶炉炉底的排气管路(4)的喇叭口形出气口(44)排出，以便降低单晶生长界面的温度梯度和热场内热量损失。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：司佳勇，周浩，尚繁，刘亚静，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13