【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶炉设备，特别是一种单晶硅生长炉真空支持系统。
技术介绍
现有技术中，单晶硅生长炉真空支持系统通常没有辅真空支持，一旦真空支持系统出现故障，容易使长晶失败，造成较大损失;另外，在引晶失败后也无法更换籽晶，只能结束本次拉晶，造成较大损失;真空支持系统不配有过滤罐，氧化物直接进入真空栗，对真空栗造成不良影响；主真空栗意外停止时，氧化物回流进炉腔，污染正在生长的单晶硅锭。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单晶硅生长炉真空支持系统，在主真空支持存在故障时，可使用辅真空支持，安全性更高。为解决上述技术问题，本专利技术包括:主炉腔、主真空栗、辅真空栗、主阀、辅阀、隔离阀和上炉腔，其中:主炉腔由主阀与主真空栗相连，由隔离阀与上炉腔相连，上炉腔由辅阀与辅真空栗相连。所述的主炉腔与主真空栗之间设有过滤罐，该过滤罐包括:罐体、与主炉腔的主阀相连的氧化阀、与主真空栗相连的反吹口以及排污口。所述的主炉腔的主阀处设有蝶阀。所述的主真空栗处设有压差阀。本专利技术主、辅两路真空支持，主真空支持存在故障时，可使用辅真空支持，安全性更高;其次，隔离阀关闭后，主炉...
【技术保护点】
一种单晶硅生长炉真空支持系统，其特征在于，包括：主炉腔、主真空泵、辅真空泵、主阀、辅阀、隔离阀和上炉腔，其中：主炉腔由主阀与主真空泵相连，由隔离阀与上炉腔相连，上炉腔由辅阀与辅真空泵相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘海，贺贤汉，郡司拓，黄保强，
申请(专利权)人：上海汉虹精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。