【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，属于半导体材料领域。
技术介绍
近些年来一维纳米结构由于其独特优越的性能表现引起了学术界的广泛兴趣。根据形貌的不同，一维纳米结构也被叫做晶须、纤维、纳米线、纳米棒、纳米带或纳米管。用它们制造的纳米元器件可以广泛应用于纳米电子学、光子学和超灵敏的的生物分子传感器等领域。传统常规的半导体材料可以用于制备一维纳米结构。氧化铟是一种透明的半导体，被应用于平板显示器、太阳能电池以及加热玻璃窗等领域，尤其氧化铟也可用于检测有毒气体比如二氧化氮。一维纳米结构氧化铟由于已被发现的和未被开发的新的性能而备受关注。—维纳米氧化物大多都在真空炉中进行。氧化铟纳米线可在高温中配合氧气与氮气的混和气体从直接蒸发金属氧化物粉末制得。用真空喷镀技术制备的一维纳米氧化铟不仅长度宽度形貌等不统一不均匀，而且实际所得产物和目标产物相比会发生组分偏离。
技术实现思路
针对上述技术问题，本专利技术提供一种，采用脉冲激光沉积法来制备一维纳米结构氧化铟。通过控制沉积条件和参数，来控制一维纳米氧化铟的长度宽度和形貌，用来制造符合实际应用条件和标准的高纯度一维氧化铟纳米结构。具体的...
【技术保护点】
利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化铟的方法，其特征在于：包括以下步骤：用纯度为99.99％的铟或氧化铟，制成直径1英寸、厚度0.25英寸的靶；用单晶或玻璃作为衬底，衬底超声波清洗后，在清洁溶剂中清洗20分钟，再用去离子水冲洗，最后用氮气干燥；靶和衬底放入到脉冲激光沉积设备的真空腔内；真空腔的初始压力为2×10‑6托，溅射过程中设置氧气压力在5毫托～50托，温度在室温～900℃，激光能量为1～10毫焦每平方厘米，靶到衬底距离为10～80厘米。
【技术特征摘要】
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