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本发明涉及一种利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化铟的方法，属于半导体材料领域，用纯度为99.99％的铟或氧化铟，制成直径1英寸、厚度0.25英寸的靶；用单晶或玻璃作为衬底，衬底超声波清洗后，在清洁溶剂中清洗20分钟，再用去离子水冲洗，最后用氮...
该专利属于王烨所有，仅供学习研究参考，未经过王烨授权不得商用。

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