防止光刻胶结晶的方法技术

本发明专利技术提供了一种防止光刻胶结晶的方法，在回吸光刻胶后，将光刻胶稀释溶剂吸入喷嘴中，可以将残留在喷嘴前端及内壁处的光刻胶溶解，避免在喷嘴生成光刻胶结晶，并尽可能减少喷嘴内壁处光刻胶结晶；进一步，在回吸光刻胶后，排出部分回吸时吸入的空气，可保证以空气隔离喷嘴内光刻胶与光刻胶稀释溶剂的同时，减少喷嘴内的空气，减少参与光刻胶结晶的空气，并增加光刻胶稀释溶剂覆盖的喷嘴内壁的范围，最大程度溶解喷嘴内壁残留光刻胶，在达到更好的防止光刻胶结晶的效果的同时，降低光刻胶空喷的损耗，进而节约工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种。
技术介绍
光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，通常包括在晶圆表面涂胶、曝光和显影等主要工序。在进行涂胶工序时，如图1A所示，通过喷嘴1在晶圆2的中心喷洒光刻胶，并以一定的转速旋转晶圆，即可如图1B所示在晶圆表面建立薄、均匀并且没有缺陷的光刻胶涂层3。为了保障光刻胶涂层成膜质量，在涂胶过程中光刻胶用量需要精确控制。由于光刻胶的粘度较低，在涂胶后，喷嘴内存留的光刻胶有时会发生漏滴，造成光刻胶用量不准或导致晶圆污染，因此，在完成涂胶后，如图1C所示，需要对喷嘴中存留的光刻胶3’进行回吸操作，在喷嘴内吸入空气4，从而避免光刻胶漏滴。在实际操作过程中，在涂胶工序后，喷嘴内存留的光刻胶3’与空气接触并在一定时间后光刻胶会与空气发生反应，产生光刻胶结晶现象，如图1D所示，回吸后的光刻胶在喷洒光刻胶过程中以及回吸操作后，喷嘴前端及其内壁由于可能存在光刻胶残留，因此，在喷嘴前端及内壁均可能存在结晶的光刻胶，在下次使用时光刻胶结晶就会落到晶圆表面，使得涂胶形成的光刻胶涂层不均匀，影响刻蚀工艺的良品率，甚至最终影响到器件的性能。因此，现有技术中，为了减少光刻胶的结晶，需要周期性地进行光刻胶空喷(PR dummy)，将可能发生结晶的光刻胶喷出，并在下次使用之前还要进行一次光刻胶空喷，以避免可能的结晶落到晶圆表面。然而，采用周期性空喷光刻胶同样会带来大量的光刻胶浪费，从而增加了工艺成本。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种，包括:通过喷嘴向晶圆喷洒光刻胶并在晶圆表面形成光刻胶涂层；对喷嘴中存留的光刻胶进行回吸，以在喷嘴中吸入空气；将喷嘴置于光刻胶稀释溶剂中，并吸取光刻胶稀释溶剂。进一步，在对喷嘴中存留的光刻胶进行回吸之后，且吸取光刻胶稀释溶剂之前，还包括排出部分回吸时吸入的空气的步骤。进一步，排除部分回吸时吸入的空气后，喷嘴中剩余的空气隔离喷嘴中存留的光刻胶与吸取的光刻胶稀释溶剂。 进一步，通过喷嘴向晶圆喷洒光刻胶之前，还包括通过喷嘴进行空喷的步骤。进一步，所述光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。进一步，所述光刻胶稀释溶剂为丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯或者丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯混合得到的溶剂。进一步，所述溶剂为丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯以7: 3的比例混合得到的混合溶剂。采用本专利技术提供的，在回吸光刻胶后，将光刻胶稀释溶剂吸入喷嘴中，可以将残留在喷嘴前端及内壁处的光刻胶溶解，避免在喷嘴生成光刻胶结晶，并尽可能减少喷嘴内壁处光刻胶结晶；进一步，在回吸光刻胶后，排出部分回吸时吸入的空气，可保证以空气隔离喷嘴内光刻胶与光刻胶稀释溶剂的同时，减少喷嘴内的空气，减少参与光刻胶结晶的空气，并增加光刻胶稀释溶剂覆盖的喷嘴内壁的范围，最大程度溶解喷嘴内壁残留光刻胶，以达到更好的防止光刻胶结晶的效果的同时，降低光刻胶空喷的损耗，进而节约工艺成本。【附图说明】图1A和图1B为现有光刻胶涂胶工艺示意图；图1C为现有回吸光刻胶工艺示意图；图1D为现有技术中喷嘴广生结晶的7K意图；图2为本申请一种流程图；图3A为本申请一种典型实施例的方法示意图；图3B和图3C为本申请另一种典型实施例的方法示意图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本专利技术作进一步详细说明。本专利技术是基于以下专利技术原理实现的:现有技术中喷嘴中光刻胶产生结晶是由于光刻胶长时间与空气接触发生反应，而光刻胶回吸后，由于喷嘴内的空气与喷嘴外空气导通并不是密闭空气，使得参与反应的空气源源不断，因此，光刻胶结晶不断产生；再者，由于喷嘴前端处可能会残留光刻胶，并且在光刻胶回吸后，喷嘴内壁也可能存在光刻胶残留，因此，光刻胶结晶不仅仅发生于喷嘴内光刻胶表面，还会存在于喷嘴前端处以及喷嘴内壁。根据上述光刻胶结晶原理，针对喷嘴内光刻胶结晶的问题，可采用断绝喷嘴内回吸时进入的空气与外界空气导通的方式，防止空气不断与喷嘴内光刻胶发生反应，而回吸光刻胶时进入喷嘴的空气量有限，其与光刻胶接触产生光刻胶结晶是极微量的；针对喷嘴前端及喷嘴内壁残留光刻胶的问题，通过将光刻胶稀释溶剂引入喷嘴，将喷嘴前端的残留光刻胶溶解，以及尽可能溶解喷嘴内壁残留的光刻胶，从根源上避免光刻胶产生结晶。基于上述专利技术构思，本专利技术提供了一种，如图2所示，包括:通过喷嘴向晶圆喷洒光刻胶并在晶圆表面形成光刻胶涂层；对喷嘴中存留的光刻胶进行回吸，以在喷嘴中吸入空气；将喷嘴置于光刻胶稀释溶剂中，并吸取光刻胶稀释溶剂。以下结合附图3A?图3C对本专利技术一种进行详细说明:实施例一、参照图1A和1B，首先执行现有技术中的涂胶工艺，通过喷嘴1向晶圆2喷洒光刻胶，并在晶圆表面形成光刻胶涂层3 ;本实施例中的光刻胶可以是正性光刻胶，也可以是负性光刻胶；参照图1C，执行现有技术中的光刻胶回吸工艺，对喷嘴1中存留的光刻当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止光刻胶结晶的方法，其特征在于，包括：通过喷嘴向晶圆喷洒光刻胶并在晶圆表面形成光刻胶涂层；对喷嘴中存留的光刻胶进行回吸，以在喷嘴中吸入空气；将喷嘴置于光刻胶稀释溶剂中，并吸取光刻胶稀释溶剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：覃柳莎，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31