本发明专利技术的复合铜粒子是扁平状铜粒子与比该扁平状铜粒子更微细的多个无机氧化物粒子复合化而成的。无机氧化物粒子在扁平状铜粒子的表面不均匀地存在。利用激光衍射散射式粒度分布测定法得到的累积体积50体积％下的体积累积粒径D50优选为0.1μm以上且10μm以下。以板面的长径d与厚度t之比即d/t表示的长宽比还优选为5以上且30以下。无机氧化物还优选与铜相比为高硬度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及。
技术介绍
薄片状的铜粒子起因于其扁平的形状而比表面积大，而且粒子彼此的接触面积 大，因此，具有W下优点：通过将其添加到导电性组合物中能够使导电性提高，而且能够调 整粘度。例如本申请人之前提出了薄片铜粉及包含其的导电性糊剂(参照专利文献1)。 专利文献1中记载了一种薄片铜粉，其是粒径为10皿W下的薄片铜粉，粒度分布的 标准偏差SD与重量累积粒径化0之比即SD/Dso的值为0.5W下，重量累积粒径化0与重量累积 粒径化0之比即化〇/化〇的值为4.OW下。此外，该文献中记载了一种薄片铜粉，其是粒径为IOii mW下的薄片铜粉，SD/Dso的值为0.15~0.35,长宽比（/TDso])的值为0.3~0.7。根据 具有运种构成的该文献中记载的薄片铜粉，能够形成精细图案的电路。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2003-119501号公报
技术实现思路
但是，随着电子部件的进一步的小型化及高性能化，对其中使用的材料要求进一 步的微细化。因此，对于导电性组合物的原材料即薄片状铜粉也要求微粒化。但是，在由包 含微粒化后的薄片状铜粉的导电性糊剂形成导电膜时，存在在膜的烧结时产生的气体难W 逃逸的倾向，起因于此而电极膜的连续性变差。[000引因此，本专利技术的课题在于提供可消除上述的现有技术所具有的各种缺点的复合铜 粒子及其制造方法。 本专利技术提供一种复合铜粒子，其是扁平状铜粒子与比该扁平状铜粒子更微细的多 个无机氧化物粒子复合化而成的， 上述无机氧化物粒子在上述扁平状铜粒子的表面不均匀地存在。 此外，本专利技术提供一种复合铜粒子的制造方法，其将球状的原料铜粉与无机氧化 物的粉体的混合粉使用微珠进行分散处理，使该原料铜粉的铜粒子塑性变形成扁平，并且 在该铜粒子的表面配置该无机氧化物的粒子， 其中，作为上述无机氧化物的粉体，使用利用动态光散射式粒度分布测定法得到 的累积体积50容量％下的体积累积粒径化〇(nm)与由BET比表面积换算得到的粒径化ET之比 即D日日/Dbet为60W上的粉体。【附图说明】 图1是表示对实施例1中得到的复合铜粒子进行铜的元素分布的结果的图像。 图2是表示对实施例1中得到的复合铜粒子进行错的元素分布的结果的图像。 图3是表示对实施例I中得到的复合铜粒子进行侣的元素分布的结果的图像。 图4是表示关于实施例1至3及比较例1及2中得到的铜粒子的热机械分析的测定结 果的曲线图。【具体实施方式】 W下对本专利技术基于其优选的实施方式进行说明。本专利技术的复合铜粒子是作为母材 的铜粒子与多个无机氧化物粒子复合化而构成的。作为母材的铜粒子是具有扁平的形状的 扁平状铜粒子。与母材复合化的无机氧化物粒子是比作为母材的扁平状铜粒子更微细的粒 子。 本专利技术的复合铜粒子所具有的特征之一在于无机氧化物粒子相对于作为母材的 扁平状铜粒子的复合化的状态。详细而言，无机氧化物粒子在扁平状铜粒子的表面不均匀 地存在。"在表面不均匀地存在"是指无机氧化物粒子在扁平状铜粒子的表面的整个区域并 非均匀地存在，无机氧化物粒子分布集中在表面中的一部分。也就是说，扁平状铜粒子的表 面具有:存在无机氧化物粒子的区域即无机氧化物粒子存在区域、和实质上不存在无机氧 化物粒子的区域即无机氧化物粒子不存在区域。无机氧化物粒子在扁平状铜粒子的表面不 均匀地存在具有W下叙述的优点。即，使用本专利技术的复合铜粒子来调制导电性糊剂等导电 性组合物、对该导电性组合物的涂膜进行烧成而形成电子电路等时，若无机氧化物粒子在 扁平状铜粒子的表面不均匀地存在，则该不均匀存在部位即无机氧化物粒子存在区域与无 机氧化物粒子不存在区域相比，复合铜粒子彼此的结合变得难W发生。该难W发生结合的 部位作为烧成时产生的气体的逃逸通道发挥作用。其结果是，可有效地防止有时在烧成时 产生的电极的膨胀。由此，能够抑制使用本专利技术的复合铜粒子而形成的电子电路等的电阻 的上升，而且表面平滑性变得良好。与此相对，在使用表面不存在无机氧化物粒子的扁平状 铜粒子的情况下，由于在烧成时扁平状铜粒子彼此容易W面进行结合，所W难W形成气体 的逃逸通道。其结果是，在烧成时容易发生电极的膨胀。 本专利技术中，无机氧化物粒子不均匀地存在是指，在如后述的图1至图3所示将本发 明的复合铜粒子进行UMT加工而形成截面，在对该截面进行元素分布(elementalmapping, 也称为"元素映射"）时，在复合铜粒子的周围观察到无机氧化物粒子存在区域和无机氧化 物粒子不存在区域。与此相对，在复合铜粒子的周围的整个区域观察到无机氧化物粒子存 在区域的情况、和相反在复合铜粒子的周围的整个区域观察到无机氧化物粒子不存在区域 的情况下，不符合"无机氧化物粒子不均匀地存在"。 特别是在无机氧化物粒子存在区域中，如后述的图2所示，多个无机氧化物粒子凝 聚而形成凝聚体从有效防止电极的连续性的方面出发是优选的。 对于无机氧化物粒子，例如可W利用其一部分埋入扁平状铜粒子的表面而产生的 错固效果，配置在扁平状铜粒子的表面。或者，利用无机氧化物粒子与扁平状铜粒子之间产 生的凝聚力(表面能），无机氧化物粒子配置在扁平状铜粒子的表面。另外，有时也利用无机 氧化物粒子彼此之间产生的(表面能），无机氧化物粒子彼此成为凝聚状态。 为了使无机氧化物粒子在扁平状铜粒子的表面不均匀地存在，只要按照例如后述 的制造方法来制造本专利技术的复合铜粒子即可。 从使无机氧化物粒子在扁平状铜粒子的表面不均匀地存在时所发挥的效果显著 的观点出发，无机氧化物粒子在本专利技术的复合铜粒子中所占的比例优选为0.001质量％W上且5.0质量％ ^下，更优选为0.01质量％W上且3.0质量％ ^下，进一步优选为0.01质 量％W上且2.0质量％^下。无机氧化物粒子的比例可W通过例如电感禪合等离子体发光 分光分析装置(ICP-AES)来测定。 无机氧化物粒子只要仅存在于扁平状铜粒子的表面即可，也可W不存在于扁平状 铜粒子的内部。不过，在扁平状铜粒子的内部存在无机氧化物粒子不妨碍。从使无机氧化物 粒子在扁平状铜粒子的表面不均匀地存在时所发挥的效果显著的观点出发，优选存在于扁 平状铜粒子的内部的无机氧化物粒子的比例较少。从该观点出发，本专利技术的复合铜粒子所 含有的无机氧化物粒子中，存在于扁平状铜粒子的内部的无机氧化物粒子的比例优选为 1.0质量％^下，更优选为0.7质量％ ^下。该比例可W通过例如W本专利技术的复合铜粒子的 截面为对象的元素分布来测定。所谓"存在于扁平状铜粒子的内部的无机氧化物粒子"，是 在本专利技术的复合铜粒子的表面完全没有露出的状态的无机氧化物粒子。 本专利技术的复合铜粒子具有反映作为母材的扁平状铜粒子的形状的扁平状的形状。 本专利技术的复合铜粒子的扁平的程度W板面的长径d与厚度t之比d/t即长宽比来表示时，优 选为5^上且30^下，更优选为5^上且25^下，进一步优选为7^上且20^下。通过本专利技术 的复合铜粒子具有运样的扁平的程度，从而由本专利技术的复合铜粒子形成的电子电路等其致 密性变高，可有效抑制电阻的上升。 在测定本专利技术的复合铜粒子的长宽比时，通过电子显微镜来观察测定该粒子的板 面的长径d及厚度t。具体而言，在使用扫描型电子显微镜（SEM)拍摄粒子的照片后，由照片 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种复合铜粒子，其是扁平状铜粒子与比该扁平状铜粒子更微细的多个无机氧化物粒子复合化而成的，所述无机氧化物粒子在所述肩平状铜粒子的表面不均匀地存在。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：儿平寿博，佐佐木宣宏，箕轮光，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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