【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及短路电流检测型的一氧化碳气体传感器。
技术介绍
1、作为能测定气相中的一氧化碳气体的浓度的传感器，已知有例如恒电位电解气体传感器、半导体式气体传感器等。但是，恒电位电解气体传感器由于使用电解液，因而具有在高温环境下寿命短的缺点。半导体式气体传感器具有容易受到一氧化碳以外的可燃性气体的影响的缺点。
2、除了上述种类的传感器之外，专利文献1中提出了一种一氧化碳气体传感器，其具备固体电解质和一对电极，所述固体电解质包含作为表现出离子传导性的陶瓷的baceo3系氧化物或ceo2系氧化物。该传感器为单室型和二室型的传感器。另外，该传感器以如下方式构成：通过测定短路电流值、开路电位差或电极间电流流通的状态下的电压值，从而测定一氧化碳气体的浓度。
3、专利文献2中也提出了使用固体电解质的一氧化碳气体传感器。该文献中记载的固体电解质为被称为lsgm8282的氧化物离子导体。该文献中记载的传感器以如下方式构成：通过测定电极间电流流通的状态下的电压值，从而测定一氧化碳气体的浓度。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2003-207482号公报
7、专利文献2：日本特开2012-42222号公报
技术实现思路
1、使用专利文献1中记载的二室型的传感器的情况下，必须将感测电极所暴露的气氛与对电极所暴露的气氛进行隔离，因此必须在传感器中设置气密结构，这导致传感器的结构复杂化。
2、对于专利
3、因此，本专利技术的课题在于提供不具有复杂的结构、且具有高的测定精度的一氧化碳气体传感器。
4、〔1〕
5、本专利技术通过提供一种一氧化碳气体传感器来解决前述课题，所述一氧化碳气体传感器为测定气相中的一氧化碳气体的浓度的单室型的一氧化碳气体传感器，其具备：
6、具有阴离子传导性的固体电解质层、和
7、在前述固体电解质层的各面配置的电极，
8、前述电极中的一个电极对一氧化碳气体的氧化为活性，
9、前述电极中的另一个电极与前述一个电极相比对一氧化碳气体的氧化为非活性，
10、所述一氧化碳气体传感器以测定前述电极间的短路电流的方式构成。
11、〔2〕
12、另外，本专利技术提供〔1〕的一氧化碳气体传感器，其中，前述固体电解质层具有氧化物离子传导性。
13、〔3〕
14、本专利技术提供〔1〕或〔2〕所述的一氧化碳气体传感器，其中，前述固体电解质层包含除铈以外的稀土元素的氧化物。
15、〔4〕
16、本专利技术提供〔1〕～〔3〕中任一项所述的一氧化碳气体传感器，其中，前述固体电解质层包含具有磷灰石型晶体结构的化合物。
17、〔5〕
18、本专利技术提供〔1〕～〔4〕中任一项所述的一氧化碳气体传感器，其中，前述固体电解质层包含式(1)：a9.3+x[t6.0-ymy]o26.0+z(式中，a为选自由la、ce、y、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、yb、lu、be、mg、ca、sr和ba组成的组中的一种或两种以上的元素。t为包含si或ge、或者包含它们两者的元素。m为选自由mg、al、sc、ti、v、cr、mn、fe、co、ni、ga、y、zr、ta、nb、b、ge、zn、sn、w和mo组成的组中的一种或两种以上的元素。x为-1.4以上且1.5以下的数。y为0.0以上且3.0以下的数。z为-5.0以上且5.2以下的数。a的摩尔数相对于t的摩尔数的比率为1.3以上且3.7以下。)所示的复合氧化物。
19、〔6〕
20、本专利技术提供〔1〕～〔5〕中任一项所述的一氧化碳气体传感器，其在包含10ppm以上的一氧化碳气体的气氛下、在350℃以上且600℃以下的温度下检测出以绝对值计为0.01μa/cm2以上的短路电流密度。
21、〔7〕
22、本专利技术提供〔1〕～〔6〕中任一项所述的一氧化碳气体传感器，其中，前述对一氧化碳气体的氧化为非活性的电极包含金单质的颗粒或金元素的合金的颗粒。
23、〔8〕
24、本专利技术提供〔1〕～〔7〕中任一项所述的一氧化碳气体传感器，其中，前述对一氧化碳气体的氧化为活性的电极包含铂族元素单质的颗粒或铂族元素的合金的颗粒。
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1.一种一氧化碳气体传感器，其为测定气相中的一氧化碳气体的浓度的单室型的一氧化碳气体传感器，其具备：
2.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述固体电解质层具有氧化物离子传导性。
3.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述固体电解质层包含除铈以外的稀土元素的氧化物。
4.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述固体电解质层包含具有磷灰石型晶体结构的化合物。
5.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述固体电解质层包含式(1)：A9.3+x[T6.0-yMy]O26.0+z所示的复合氧化物，式(1)中，A为选自由La、Ce、Y、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu、Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或两种以上的元素；T为包含Si或Ge、或者包含它们两者的元素；M为选自由Mg、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Y、Zr、Ta、Nb、B、Ge、Zn、Sn、W和Mo组成的组中的一种或两种以上的元素；x为-1.4以上且1.5以下的数
6.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其在包含10ppm以上的一氧化碳气体的气氛下、在350℃以上且600℃以下的温度下检测出以绝对值计为0.01μA/cm2以上的短路电流密度。
7.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述对一氧化碳气体的氧化为非活性的电极包含金单质的颗粒或金元素的合金的颗粒。
8.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述对一氧化碳气体的氧化为活性的电极包含铂族元素单质的颗粒或铂族元素的合金的颗粒。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种一氧化碳气体传感器，其为测定气相中的一氧化碳气体的浓度的单室型的一氧化碳气体传感器，其具备：
2.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述固体电解质层具有氧化物离子传导性。
3.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述固体电解质层包含除铈以外的稀土元素的氧化物。
4.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述固体电解质层包含具有磷灰石型晶体结构的化合物。
5.根据权利要求1所述的一氧化碳气体传感器，其中，所述固体电解质层包含式(1)：a9.3+x[t6.0-ymy]o26.0+z所示的复合氧化物，式(1)中，a为选自由la、ce、y、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、yb、lu、be、mg、ca、sr和ba组成的组中的一种或两种以上的元素；t为包含si或ge、或者包含它们两者的元素；...
【专利技术属性】
技术研发人员：住吉笃郎，井手慎吾，岛江宪刚，渡边贤，末松昂一，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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