TFT阵列基板检测方法技术

本发明专利技术提供一种TFT阵列基板检测方法，通过拉曼光谱仪对所述TFT阵列基板进行检测，根据拉曼特征峰确定TFT阵列基板上的各物质的类型、组成、结晶质量和物质含量范围，从而确定TFT阵列基板的检测区内是否存在污染物、污染物的成分、晶体生长的质量及纯净程度，该检测方法耗时短、条件简单、灵敏度高，能够精确检测TFT阵列基板上的污染物的成分和来源，实时监控晶体生长的质量，提高TFT阵列基板洁净度，改善成膜质量，减少制程不良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板检测方法。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用，如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)之间灌入液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。TFT阵列基板包括多条栅极线和数据线，相互垂直的多条栅极线和多条数据线形成了多个像素单元，且每个像素单元内均设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)、像素电极及存储电容等。TFT包括一栅极连接至栅极线，源极连接至数据线，漏极连接至像素电极。当栅极线被驱动时，TFT处于导通状态，对应的数据线送入灰阶电压信号并将其加载至像素电极，从而使得像素电极与公共电极之间产生相应的电场，液晶层中的液晶分子则在电场的作用下发生取向变化，因此可以实现不同的图像显示。现有技术中TFT阵列基板的制作过程，通常包括:首先，提供一衬底基板、在所述衬底基板上的依次制作遮光层、氮化硅层、多晶硅层、及氧化硅层，随后对所述多晶硅层进行通道掺杂、以及N型离子掺杂形成半导体层，最后，在所述半导体层上依次制备栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源/漏极、平坦层、公共电极、保护层、以及像素电极。上述制作过程中，特别是在平坦层的制程中，会在基板表面产生有机污染物及杂质，而现有技术对于此类污染物及杂质通常缺乏直接有效的检测手段，尤其是在小颗粒和量较小的污染物检测方面更为薄弱。另外，在各个制程段中，膜层的生长质量缺乏实时把控，这些因素都会对后制程产生影响，从而降低产线的良率。拉曼散射是光散射现象的一种，单色光束的入光光子与分子相互作用时可发生弹性碰撞和非弹性碰撞，在弹性碰撞过程中，光子与分子间没有能量交换，光子只改变运动方向而不改变频率，这种散射过程称为瑞利散射。而在非弹性碰撞过程中，光子与分子之间发生能量交换，光子不仅仅改变运动方向，同时光子的一部分能量传递给分子，或者分子的振动和转动能量传递给光子，从而改变了光子的频率，这种散射过程称为拉曼散射。对拉曼散射光谱进行分析，根据拉曼的频率，可以确定物质的组成、结构、构象、形态;根据拉曼峰位的变化可以确定张力、应力;根据拉曼峰宽可以确定晶体的质量;根据拉曼峰强度可以确定物质含量范围，最终反应出被检测物质的多种信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT阵列基板检测方法，能够提高TFT阵列基板洁净度，改善成膜质量，减少制程不良。为实现上述目的，本专利技术提供了一种TFT阵列基板检测方法，包括如下步骤:步骤1、提供一TFT阵列基板，所述TFT阵列基板设有检测区；步骤2、提供一拉曼光谱仪，所述拉曼光谱仪发出激光照射所述TFT阵列基板的检测区；步骤3、提供一分析设备，所述拉曼光谱仪接收检测区各物质的拉曼信号并传递给分析设备，所述分析设备根据各物质的拉曼信号的拉曼特征峰分析所述TFT阵列基板的检测区内的各物质的类型、组成、结晶质量和物质含量范围。所述拉曼光谱仪包括:光源、瑞利滤光装置、狭缝、光栅、以及探测器；所述光源发出激光经由瑞利滤光装置照射到所述TFT阵列基板的检测区发生拉曼散射产生拉曼信号，所述拉曼信号再经过狭缝和光栅后被探测器接收。 所述步骤2中激光的波长范围为300nm-800nm，光斑直径为Ιμπι。所述分析设备内存储有TFT阵列基板上各种物质标准的拉曼特征峰数据库，通过程序识别相应的拉曼特征峰来确定物质的类型、组成、结晶质量和物质含量范围。所述分析设备中存储有TFT阵列基板上各种物质的拉曼特征峰的峰位、峰强、峰宽、及偏移量的允许范围，通过控制各物质的拉曼特征峰的峰位、峰强、峰宽、及偏移量的允许范围来控制TFT阵列基板的制程合格率。所述TFT阵列基板上设有平坦层，所述检测区位于所述平坦层上。于所述平坦层的灰化制程之后进行所述TFT阵列基板检测。于所述TFT阵列基板的清洗制程之后进行所述TFT阵列基板检测。所述步骤3中通过所述分析设备提供的各物质的类型、组成、结晶质量和物质含量范围确定所述TFT阵列基板的检测区内是否存在污染物、以及污染物的成分。本专利技术的有益效果:本专利技术提供了一种TFT阵列基板的检测方法，通过拉曼光谱仪对所述TFT阵列基板进行检测，根据拉曼特征峰确定TFT阵列基板上的各物质的类型、组成、结晶质量和物质含量范围，从而确定TFT阵列基板的检测区内是否存在污染物、污染物的成分、晶体生长的质量及纯净程度，该检测方法耗时短、条件简单、灵敏度高，能够精确检测TFT阵列基板上的污染物的成分和来源，实时监控晶体生长的质量，提高TFT阵列基板洁净度，改善成膜质量，减少制程不良。【附图说明】为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的TFT阵列基板检测方法的示意图；图2为本专利技术的TFT阵列基板检测方法的流程图；图3和图4为本专利技术的TFT阵列基板检测方法对两种不同衬底上的罗丹明6G的检测结果图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图2，本专利技术提供一种TFT阵列基板检测方法，包括如下步骤:步骤1、提供一TFT阵列基板11，所述TFT阵列基板11设有检测区13。可选地，所述TFT阵列基板11上设有平坦层12，所述检测区13位于所述平坦层12上。步骤2、提供一拉曼光谱仪，所述拉曼光谱仪发出激光照射所述TFT阵列基板11的检测区13。当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一TFT阵列基板(11)，所述TFT阵列基板(11)设有检测区(13)；步骤2、提供一拉曼光谱仪，所述拉曼光谱仪发出激光照射所述TFT阵列基板(11)的检测区(13)；步骤3、提供一分析设备，所述拉曼光谱仪接收检测区(13)各物质的拉曼信号并传递给分析设备，所述分析设备根据各物质的拉曼信号的拉曼特征峰分析所述TFT阵列基板(11)的检测区(13)内的各物质的类型、组成、结晶质量和物质含量范围。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑俊丰，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42