发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置。所述制作方法包括：在形成有薄膜晶体管的基板上方依次形成平坦化层和光刻胶层，平坦化层的感光度高于光刻胶层的感光度；对平坦化层和光刻胶层同步进行曝光和显影，使光刻胶层上被去除的部位形成像素界定图形，并在平坦化层上对应于像素界定图形的位置形成阳极过孔图形，阳极过孔图形位于所述薄膜晶体管的源极上方；在完成上述步骤的基板上形成阳极图形层，阳极图形层包括多个阳极，所述阳极位于阳极过孔图形上，且与源极相连；对显影后的平坦化层进行后烘，使位于阳极过孔图形边缘的平坦化层材料覆盖阳极的边缘。本发明专利技术能够减少工艺步骤，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光二极管显示基板及其制作方法、以及包括该发光二极管显示基板的显示装置。
技术介绍
在显示
，光电二极管显示面板因其具有高响应速度、高色域、高对比度、广视角、超薄、低功耗等优点成为现代显示器研究的热点。发光二极管显示面板包括底发射和顶发射两种模式。底发射模式中白光OLED制作在TFT阵列下方，制作工艺比较简单，但是金属布线会对OLED发出的光线造成遮挡，从而导致开口率下降，难以制作高PPI产品。顶发射模式中白光OLED在有源矩阵的另一端发光，不存在金属布线对光线的遮挡问题，具有高开口率的优点，因此得到广泛应用。顶发射模式有两种结构，一种是具有TFT阵列和OLED的基板与涂有彩色滤光层的盖板通过隔垫物进行对盒，在这种结构中，阵列基板和彩膜盖板在对位时需要一定的对盒高度，以避免颗粒物对OLED的影响。在对盒过程中，对盒高度过低会因设备对位精度达不到要求而无法进行，对盒高度过高则需要将黑矩阵尺寸加大以防止漏光，使得开口率下降。顶发射模式的另一种结构是在OLED上直接制作彩色滤光层，之后与盖板进行封装，这种结构能够有效提高开口率。常规的OLED背板在制作平坦化层、反射阳极层、像素界定层时需要进行三次掩膜工艺，工艺步骤较多。如果考虑不使用像素界定层，由于反射阳极的金属边界比较粗糙，而OLED器件中的各层很薄，蒸镀过程中可能会在阳极边界处发生短路，最终形成暗点，影响产品良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置，在不影响产品良率的情况下减少工艺步骤，降低生产成本。为解决上述技术问题，作为本专利技术的第一个方面，提供一种发光二极管显示基板的制作方法，包括以下步骤：在形成有薄膜晶体管的基板上方依次形成平坦化层和光刻胶层，所述平坦化层的感光度高于所述光刻胶层的感光度；对所述平坦化层和所述光刻胶层同步进行曝光和显影，使所述光刻胶层上被去除的部位形成像素界定图形，并在所述平坦化层上对应于所述像素界定图形的位置形成阳极过孔图形，所述阳极过孔图形位于所述薄膜晶体管上方，以露出所述薄膜晶体管的源极的至少一部分；在完成上述步骤的基板上形成阳极图形层，所述阳极图形层包括多个阳极，所述阳极位于所述阳极过孔图形上，且与所述源极相连；对显影后的平坦化层进行后烘，使位于所述阳极过孔图形边缘的平坦化层材料覆盖所述阳极的边缘。优选地，制作所述平坦化层的材料包括重氮萘醌类感光材料或环氧树脂类感光材料，制作所述光刻胶层的材料包括聚酰亚胺。优选地，所述平坦化层的厚度为1.5-3μm，所述光刻胶层的厚度为0.5-1μm。优选地，制作所述阳极图形层的材料包括铝、钼、银中的任意一种或上述金属的合金，或者，制作所述阳极图形层的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌。优选地，所述形成有薄膜晶体管的基板的制作方法包括：在衬底基板上形成栅图形层，所述栅图形层包括栅极；在所述栅图形层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成源漏图形层，所述源漏图形层包括源极和漏极；在所述源漏图形层上形成钝化层。优选地，制作所述栅图形层和/或所述源漏图形层的金属包括铝、钼、铬、铜、钛中的任意一种或上述金属的合金。优选地，制作所述栅绝缘层的材料包括硅的氧化物或硅的氮化物。优选地，制作所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物、氮氧化锌和铟锡锌氧化物中的任意一种。优选地，制作所述刻蚀阻挡层的材料包括硅的氧化物或硅的氮化物。优选地，制作所述钝化层的材料包括硅的氧化物或硅的氮化物。优选地，所述制作方法还包括在对显影后的平坦化层进行后烘之后进行的：在所述阳极图形层上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；在所述阴极上形成封装层；在所述封装层上形成彩色滤光层。优选地，制作所述封装层的材料包括氮化硅、碳氮化硅和碳化硅中的任意一种或任意几种的叠层。作为本专利技术的第二个方面，还提供一种发光二极管显示基板，包括依次形成在衬底基板上的薄膜晶体管、平坦化层和阳极图形层，所述阳极图形层包括多个阳极，其特征在于，所述平坦化层上形成有阳极过孔图形，所述阳极过孔图形位于所述薄膜晶体管的源极上方，以露出所述薄膜晶体管的源极的至少一部分，所述阳极位于所述阳极过孔图形上，且与所述源极相连，并且，位于所述阳极过孔图形边缘的平坦化层材料覆盖所述阳极的边缘。作为本专利技术的第三个方面，还提供一种显示装置，所述显示装置包括本专利技术所提供的上述发光二极管显示基板。优选地，所述显示装置还包括封装盖板，所述封装盖板与所述光二极管显示基板通过封框胶固定连接。本专利技术通过对平坦化层和光刻胶层同步进行曝光，利用平坦化层的感光度大于光刻胶层的感光度，在平坦化层上形成阳极过孔图形，之后沉积阳极材料，阳极材料在阳极过孔图形的边缘处发生断裂，形成覆盖阳极过孔图形的阳极，之后对平坦化层进行后烘，使阳极过孔图形边缘处的平坦化层材料覆盖阳极的边缘，以避免阳极边缘发生短路等不良现象。与现有技术相比，本专利技术无需专门制作像素界定层，在保证产品良率的同时，能够减少构图工艺，从而节约生产成本。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。图1是本专利技术实施例所提供的制作方法的流程图；图2a-图2b是重氮萘醌类感光材料显影后和后烘后的膜孔径示意图；图3a-图3b是聚酰亚胺材料显影后和后烘后的膜孔径示意图；图4a-图4m是本专利技术实施例中的制作过程示意图。在附图中，1-衬底基板；2-栅极；3-栅绝缘层；4-有源层；5-刻蚀阻挡层；6-源极；7-漏极；8-钝化层；9-平坦化层；9a-阳极过孔图形；10-光刻胶层；10a-像素界定图形；11-阳极；12-有机发光二极管中间各层；13-阴极；14-封装层；15-彩色滤光层；16-封装盖板；17-封框胶。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。本专利技术提供了一种光二极管显示基板的制作方法，如图1所示，所述制作方法包括以下步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管显示基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在形成有薄膜晶体管的基板上方依次形成平坦化层和光刻胶层，所述平坦化层的感光度高于所述光刻胶层的感光度；对所述平坦化层和所述光刻胶层同步进行曝光和显影，使所述光刻胶层上被去除的部位形成像素界定图形，并在所述平坦化层上对应于所述像素界定图形的位置形成阳极过孔图形，所述阳极过孔图形位于所述薄膜晶体管的源极上方，以露出所述薄膜晶体管的源极的至少一部分；在完成上述步骤的基板上形成阳极图形层，所述阳极图形层包括多个阳极，所述阳极位于所述阳极过孔图形上，且与所述源极相连；对显影后的平坦化层进行后烘，使位于所述阳极过孔图形边缘的平坦化层材料覆盖所述阳极的边缘。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管显示基板的制作方法，其特征在于，包括以
下步骤：
在形成有薄膜晶体管的基板上方依次形成平坦化层和光刻胶
层，所述平坦化层的感光度高于所述光刻胶层的感光度；
对所述平坦化层和所述光刻胶层同步进行曝光和显影，使所述
光刻胶层上被去除的部位形成像素界定图形，并在所述平坦化层上对
应于所述像素界定图形的位置形成阳极过孔图形，所述阳极过孔图形
位于所述薄膜晶体管的源极上方，以露出所述薄膜晶体管的源极的至
少一部分；
在完成上述步骤的基板上形成阳极图形层，所述阳极图形层包
括多个阳极，所述阳极位于所述阳极过孔图形上，且与所述源极相连；
对显影后的平坦化层进行后烘，使位于所述阳极过孔图形边缘
的平坦化层材料覆盖所述阳极的边缘。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，制作所述平
坦化层的材料包括重氮萘醌类感光材料或环氧树脂类感光材料，制作
所述光刻胶层的材料包括聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，制作所述阳
极图形层的材料包括铝、钼、银中的任意一种或上述金属的合金，或
者，制作所述阳极图形层的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的制作方法，其特征在
于，所述形成有薄膜晶体管的基板的制作方法包括：
在衬底基板上形成栅图形层，所述栅图形层包括栅极；
在所述栅图形层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成刻蚀阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层上形成源漏图形层，所述源漏图形层包括源
极和漏极；
在所述源漏图形层上形成钝化层。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，制作所述栅
图形层和/...

【专利技术属性】
技术研发人员：方金钢，宋泳锡，孙宏达，李伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11