阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板，包括形成在基板上的多个薄膜晶体管和多条数据线，每一薄膜晶体管包括有源层图形，所述有源层图形和所述数据线之间间隔有绝缘层，每一所述有源层图形包括有与所述数据线平行的第一部分，所述数据线在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内，每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。本发明专利技术的技术方案能够减少阵列基板数据线的断线不良，进而降低阵列基板的维修成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
近年来，随着液晶显示产品的应用越来越广泛，液晶显示技术也越来越完善。TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管-液晶显示器)以其高品质的图像显示、低能耗、环保等优势在显示领域占据着十分重要位置。作为TFT-1XD的一种新型制造工艺，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)技术利用准分子激光退火工艺将非晶硅(a-Si)薄膜层转变为多晶硅(Poly-Si)薄膜层。相比非晶硅材料，多晶硅材料的电子迀移率有100倍以上的增加，因此使用LTPS技术可使TFT-LCD具有更快的响应时间，具有更高的分辨率，更佳的画面显示品质。另外使用LTPS技术，能够减少集成电路1C，简化显示装置的外围，实现窄边框技术。如图1所示，现有LTPS TFT阵列基板的有源层3大多呈U形，U形区域内面积小易形成刻蚀残留，并且现有LTPS TFT阵列基板在生产制程中经常会产生数据线断路(ArrayData Open)不良，维修时通常采用钨粉的热效应，用激光进行架桥连接维修，维修过程需要设置修复线并进行焊接，维修方法复杂且成本较高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够减少阵列基板数据线的断线不良，进而降低阵列基板的维修成本。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下:—方面，提供一种阵列基板，包括形成在基板上的多个薄膜晶体管和多条数据线，每一薄膜晶体管包括有源层图形，所述有源层图形和所述数据线之间间隔有绝缘层，每一所述有源层图形包括有与所述数据线平行的第一部分，所述数据线至少部分在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内，每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。进一步地，所述第一部分通过三个以上的接触孔与所述数据线连接。进一步地，所述第一部分的宽度大于或等于所述数据线的宽度。进一步地，每一所述有源层图形还包括位于所述第一部分端部的第二部分，所述第二部分与对应薄膜晶体管的源极和漏极相接触。进一步地，所述第一部分的宽度大于或等于所述第二部分的宽度。进一步地，所述第二部分包括与所述第一部分第一端相连的第一连接部和与所述第一部分第二端相连的第二连接部，第一连接部与第一薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触，第二连接部与第二薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管位于同一行，且第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管分列同一数据线的两侧。进一步地，所述有源层图形为多晶硅材料。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:形成多个薄膜晶体管的有源层图形，所述有源层图形包括有第一部分；在所述有源层图形上形成绝缘层，并通过构图工艺形成包括有多个接触孔的绝缘层的图形；在所述绝缘层的图形上形成多条数据线，所述第一部分与所述数据线平行，所述数据线至少部分在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内，每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。进一步地，形成所述有源层图形还包括:形成位于所述第一部分端部的第二部分，所述第二部分与对应薄膜晶体管的源极和漏极相接触。本专利技术的实施例具有以下有益效果:上述方案中，有源层图形包括有与数据线平行的第一部分，每一第一部分通过两个以上的接触孔与数据线连接，这样当数据线出现断线时，如果断线处位于同一第一部分对应的两个接触孔之间，则断路的数据线可以通过第一部分连接起来，在阵列基板工作时，数据信号可以通过数据线_>接触孔_>第一部分_>接触孔_>数据线来进行传递，从而能够减少阵列基板数据线的断线不良，也不必再采用钨粉用激光进行架桥连接维修，进而降低了阵列基板的维修成本。【附图说明】图1为现有LTPS TFT阵列基板的有源层的形状示意图；图2为本专利技术实施例阵列基板的有源层的形状示意图；图3为本专利技术实施例阵列基板的平面示意图；图4为本专利技术实施例阵列基板的驱动信号的时序示意图；图5为本专利技术实施例阵列基板的局部示意图；图6为本专利技术实施例阵列基板数据线未发生断线不良时的截面示意图；图7为本专利技术实施例阵列基板数据线发生断线不良时的截面示意图。附图标记1栅金属层 2源漏金属层 3有源层4接触孔5衬底基板6缓冲层7栅绝缘层 8层间绝缘层【具体实施方式】为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够减少阵列基板数据线的断线不良，进而降低阵列基板的维修成本。实施例一本实施例提供了一种阵列基板，包括形成在基板上的多个薄膜晶体管和多条数据线，每一薄膜晶体管包括有源层图形，所述有源层图形和所述数据线之间间隔有绝缘层，每一所述有源层图形包括有与所述数据线平行的第一部分，所述数据线至少部分在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内，每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。本实施例中，有源层图形包括有与数据线平行的第一部分，每一第一部分通过两个以上的接触孔与数据线连接，这样当数据线出现断线时，如果断线处位于同一第一部分对应的两个接触孔之间，则断路的数据线可以通过第一部分连接起来，在阵列基板工作时，数据信号可以通过数据线_>接触孔_>第一部分_>接触孔_>数据线来进行传递，从而能够减少阵列基板数据线的断线不良，也不必再采用钨粉用激光进行架桥连接维修，进而降低了阵列基板的维修成本。优选地，每一第一部分通过三个以上的接触孔与数据线连接，接触孔的数量越多，第一部分与对应数据线的连接越可靠。比如，在每一第一部分通过三个接触孔与数据线连接时，即使其中有一个接触孔接触不良，也不影响数据线通过其他两个接触孔与第一部分连接；在每一第一部分通过四个接触孔与数据线连接时，即使其中有一个或两个接触孔接触不良，也不影响数据线通过其他接触孔与第一部分连接；在每一第一部分通过五个接触孔与数据线连接时，即使其中有一个或两个或三个接触孔接触不良，也不影响数据线通过其他接触孔与第一部分连接。同时接触孔设置的越多，对工艺的要求越高，因此，优选实施方式中，每一第一部分通过三个或四个接触孔与数据线连接。第一部分的宽度可以大于或等于数据线的宽度，优选地，第一部分的宽度大于数据线的宽度，这样第一部分的宽度可以设置的比较宽，能够有效降低第一部分的电阻，以便在阵列基板工作时更好地传输数据信号。进一步地，每一所述有源层图形还包括位于所述第一部分端部的第二部分，所述第二部分与对应薄膜晶体管的源极和漏极相接触。进一步地，所述第一部分的宽度大于或等于所述第二部分的宽度。这样第一部分的宽度可以设置的比较宽，能够有效降低第一部分的电阻，以便在阵列基板工作时更好地传输数据信号。进一步地，所述第二部分包括与所述第一部分第一端相连的第一连接部和与所述第一部分第二端相连的第二连接部，第一连接部与第一薄膜晶体管的源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括形成在基板上的多个薄膜晶体管和多条数据线，每一薄膜晶体管包括有源层图形，所述有源层图形和所述数据线之间间隔有绝缘层，其特征在于，每一所述有源层图形包括有与所述数据线平行的第一部分，所述数据线至少部分在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内，每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振定，胡志明，南春香，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11