用于半导体装置的粘合剂片及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于半导体装置的粘合剂片和制造所述粘合剂片的方法。在所述粘合剂片中，离型元件具有未切割部分厚度和整个离型元件厚度的预定比例，切割部分之间的预定距离和40N/15mm至90N/15mm的剪切强度，从而防止片的破损并保持卷形稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】[00011 本申请是申请日为2011年9月27日，申请号为201110296447.4,专利技术名称为"用于 半导体装置的粘合剂片及其制造方法"的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种。更具体地，本专利技术涉 及一种，其中离型元件具有未切割部分厚度与离 型元件总厚度的预定比例、切割部分之间的预定距离、以及40N/15mm或更大的剪切强度，从 而保持卷形稳定性。
技术介绍
在将半导体晶圆切割成单个芯片的工艺中，芯片贴附膜贴附到晶圆的背面。芯片 贴附膜可具有双层结构，其中切割膜与接合膜组合用作晶圆贴附的接合层。已知有将具有这种双层结构的粘合剂片预切成构成半导体装置的晶圆形状的方 法。预切工艺是对应于晶圆形状预切接合膜，并从接合膜而非与晶圆接合部分去除树脂层 的工艺。在预切工艺中，将接合膜对应于晶圆形状预切，并与压敏粘合剂膜接合，再进行预 切工艺。然而，如果在预切工艺中刀片深深地穿入粘合剂片中，则粘合剂片会被用于保持 卷形而施加的卷绕张力损坏。相反，如果施加弱卷绕张力以防止这种损坏，粘合剂片具有较 低卷的卷绕性能，导致卷形稳定性的问题。此外，在预切工艺中，尽管在粘合剂片的形状稳定性方面，切割部分的深度至关重 要，然而难以在制造工艺中测定深度，且该深度可根据因刀片的磨损刀口的位置而不一致。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供一种用于半导体装置的粘合剂片，所述粘合剂片包括依次 堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜。所述离型元件包括从所述接合层的横侧沿 着所述接合层的外围形成的第一切割部分，和沿着所述压敏粘合剂层和所述基膜的外围形 成的第二切割部分。所述第一切割部分和所述第二切割部分厚度各自可小于所述离型元件 的厚度，且所述离型元件可具有40N/15mm至90N/15mm范围内的剪切强度。在一个实施方式中，从所述离型元件除去所述第一切割部分或所述第二切割部分 产生的未切割部分厚度可为所述离型元件厚度的20%至80%。在一个实施方式中，从所述离型元件除去所述第二切割部分产生的未切割部分厚 度与从所述离型元件除去所述第一切割部分产生的未切割部分厚度之比可大于1。 在一个实施方式中，所述未切割部分厚度可为所述离型元件总厚度的30%至 70%，且所述离型元件可具有40N/15mm至90N/15mm的剪切强度。 在一个实施方式中，所述第一切割部分和所述第二切割部分之间的距离可为10_ 至30mm〇 本专利技术另一个方面提供了一种用于半导体装置的粘合剂片的制造方法，所述用于 半导体装置的粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜，所述方法 包括：在所述离型元件上堆积所述接合层；从所述接合层接触所述离型元件的面的相反面将第一预切刀片置于所述离型元 件中并将所述接合层切成第一平面形状来形成第一切割部分；去除具有第一平面形状部分之外的所述接合层； 在所述接合层上堆积压敏粘合剂片，使得所述压敏粘合剂层和所述基膜堆叠，同 时相互接触；以及从所述基膜接触所述压敏粘合剂层的面的相反面将第二预切刀片置于所述离型 元件中并将所述压敏粘合剂片切成第二平面形状来形成第二切割部分；其中所述第一切割部分和所述第二切割部分各自具有比所述离型元件小的厚度， 且所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度与所述离型元件 厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比大于1。【附图说明】 由以下结合附图的详细说明，本专利技术的以上和其它方面、特征和优点将变得明显， 其中： 图1示出了根据本专利技术一个实施方式的用于半导体装置的粘合剂片的实例;且 图2示出了根据本专利技术一个实施方式的用于半导体装置的粘合剂片的制造方法实 例。【具体实施方式】 本专利技术的各方面提供一种用于半导体装置的粘合剂片，所述粘合剂片包括依次堆 叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜;其中所述离型元件包括从所述接合层的横侧 沿着所述接合层的外围形成的第一切割部分，和沿着所述压敏粘合剂层和所述基膜的外围 形成的第二切割部分;所述第一切割部分和所述第二切割部分的各自厚度可小于所述离型 元件的厚度，且所述离型元件可具有40N/15mm或更大的剪切强度。在上述用于半导体装置的粘合剂片中，离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜依 次堆叠。具体地，包括离型元件和接合层的接合片堆积在包括压敏粘合剂层和基膜的压敏 粘合剂片上，使得接合层和压敏粘合剂层相互接触，从而构成具有堆叠结构的半导体装置 用粘合剂片。文中，"接合层可部分堆叠在离型元件上"是指接合层只堆叠在离型元件整个表面 的一部分上。离型元件不仅包括与接合层接触的部分，还包括第一切割部分和第二切割部 分。接合层可部分形成在离型元件上，从而在剥离离型元件后具有与接合层将贴附的 接合目标的平面形状相对应的平面形状。接合目标可例如为半导体晶圆。当接合层具有与 半导体晶圆的平面形状对应的平面形状时，可有利于切割半导体晶圆的工艺。接合层可具有圆形形状。在此情况下，接合层可具有220mm至320mm的直径，但不限 于此。 压敏粘合剂层和基膜依次堆叠在接合层上并布置成充分覆盖接合层。具体地，当 接合层具有圆形形状时，压敏粘合剂层和基膜可具有直径长于接合层直径的圆形形状。例 如，具有圆形形状的压敏粘合剂层和基膜可具有为接合层直径的1.10至1.30倍的直径，但 不限于此。 文中，"相对于离型元件可部分形成压敏粘合剂层和基膜"是指压敏粘合剂层和基 膜只形成在离型元件整个表面的一部分上。离型元件包括除压敏粘合剂层和基膜以外的第 二切割部分。 离型元件形成有第一切割部分。第一切割部分是指通过将第一预切刀片置于包括 离型元件和接合层的片中而在离型元件上形成的部分。第一切割部分具有将包括离型元件 和接合层的片厚度除去第一预切刀片形成的深度得到的厚度。该第一切割部分由接合层的 横侧沿着接合层外围形成。从离型元件除去第一切割部分产生的未切割部分厚度可为离型 元件厚度的20%至80%，优选20%至70%。第一切割部分厚度可小于离型元件的厚度。 离型元件还形成有第二切割部分。第二切割部分是指形成第一切割部分后，通过 将第二预切刀片置于包括离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜的片中而在离型元件上 形成的部分。第二切割部分具有将离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜形成的片厚度除 去第二预切刀片形成的深度得到的厚度。该第二切割部分以距离第一切割部分例如l〇mm至 30mm的预定距离形成。该第二切割部分沿着压敏粘合剂层和基膜的外围形成。从离型元件 除去第二切割部分产生的未切割部分厚度可为离型元件厚度的20%至80%，优选30%至 80%。第二切割部分厚度可小于离型元件的厚度。 未切割部分厚度可用任何方法测定。例如，用电子显微镜测定间隔为30°的12个位 置的厚度来进行横截面的观察，并计算平均值为厚度。未切割部分当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体装置的粘合剂片，包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜，其中所述离型元件包括从所述接合层的横侧沿着所述接合层的外围形成的第一切割部分，和沿着所述压敏粘合剂层和所述基膜的外围形成的第二切割部分，所述第一切割部分和所述第二切割部分的各自厚度小于所述离型元件的厚度，所述离型元件具有40N/15mm至90N/15mm范围内的剪切强度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金志浩，卓种活，黃珉珪，宋基态，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR