集成电路制造技术

本公开涉及用于检测激光注入攻击的集成电路，具体地，该集成电路，形成在半导体衬底上，用于检测激光注入攻击，包括：第一扩散区，在半导体衬底中，第一扩散区形成第一晶体管的第一区；以及第二扩散区，在半导体衬底中，第二扩散区形成第二晶体管的第二区，其中，第一扩散区的大小不同于第二扩散区的大小，以使得在激光注入攻击期间，由第一扩散区接受或捐献的第一电荷不同于由第二扩散区捐献或接受的第二电荷。本公开说明了用于检测电子设备中的光故障注入和/或防止光故障注入在电子设备中引起可利用异常的各种系统并解决了检测电子设备中的光故障注入和/或防止光故障注入在电子设备中引起可利用异常的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成电路，形成在半导体衬底上，用于检测激光注入攻击，其特征在于包括：第一扩散区，在所述半导体衬底中，所述第一扩散区形成第一晶体管的第一区；以及第二扩散区，在所述半导体衬底中，所述第二扩散区形成第二晶体管的第二区，其中，所述第一扩散区的大小不同于所述第二扩散区的大小，以使得在所述激光注入攻击期间，由所述第一扩散区接受或捐献的第一电荷不同于由所述第二扩散区捐献或接受的第二电荷。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：内森·欣德曼，马克·布尔，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：新型
国别省市：美国;US