一种采用变温变掺杂流量的双极型晶体管外延片制造方法技术

本发明专利技术公开了一种采用变温变掺杂流量的双极型晶体管外延片制造方法，采用变温变掺杂工艺，低的起始生长温度和高的N型掺杂流量可以有效控制B原子的蒸发，随着外延层的加厚，逐步抑制外延的自掺杂。后续减小掺杂流量有效降低外延层N型杂质的过度掺杂，保证产品外延层要求的过渡区可控，同时提高生长温度可以抑制图形漂移。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及双极型晶体管原材料的制备方法，具体涉及。
技术介绍
双极性晶体管是集成电路中应用最广泛也是最重要的半导体器件之一。双极型晶体管拥有耗电少、寿命长、可靠性高等一系列优点，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。随着半导体技术的不断发展，在平面工艺的基础上，外延技术逐渐发展了双极型集成电路的制造工艺。通过在衬底上制作N+埋层，可以有效降低集电极串联电阻、减小寄生PNP的影响，改善器件参数。为了改善器件的响应速度及隔离效果，对通隔离被应用到双极型集成电路制造工艺中:在衬底上同时制作N+及P+埋层，然后生长N型外延层，通过离子注入实现与P+埋层的对通，可以有效减少注入过程中的横向扩散效应，改善器件参数。然而，双埋层外延工艺由于埋层的存在，造成了以下问题:一方面，由于埋层图形的存在，为了有效抑制图形漂移及畸变，需保持较低的生长速率及较高的生长温度；另一方面，由于P+埋层B的存在，高温下，B的蒸发效应比较严重，埋层中杂质会严重影响外延层的掺杂浓度及纵向载流子分布，从而进一步导致器件性能的恶化和良率的降低。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术针对现有技术中存在的缺陷，提供。技术方案:，包括以下步骤:S1:用HF酸去除埋层衬底表面的氧化层，再用硅片清洗液SC-1和硅片清洗液SC-2清洗埋层衬底表面；S2:采用HCl气相腐蚀，去除衬底表面的损伤层和沾污；S3:用比吹扫去除反应腔体中的N型杂质和P型杂质；S4:开始生长内层外延层:硅源SiHClJ^流量为6?lOslm，生长速率为0.4?0.6 ym/min，N型掺杂源为300ppm PH3,以恒定变化速率改变掺杂流量；以恒定变化速率改变生长温度，外延开始时稀释气体&的流量为0.25?0.5slm，以固定速率递增至lslm，持续时间I?3min ；S5:变温变掺杂流量生长结束后，以终止时的固定掺杂流量和生长温度生长外层外延层。优选的，步骤S2中所述HCl气相腐蚀具体为:HC1流量为I?3slm，气相腐蚀温度为1110?1160°C，气相腐蚀速率控制在0.03?0.06 μ m/min，气相腐蚀时间为I?4min，气相腐蚀厚度为0.05?0.1 μ m。再优选的，步骤S3中所述用H2吹扫具体为:用流量为150?300slm的H2吹扫，吹扫时间为2?5min。更优选的，步骤S4中所述以恒定变化速率改变掺杂流量具体为:起始掺杂流量为70?80slm，以恒定变化速率递减至40?60slm。更优选的，所述以恒定变化速率递减具体为:掺杂流量以10?20mL/min速率递减，持续时间为1?4min。更优选的，步骤S4中所述以恒定变化速率改变生长温度具体为:起始生长温度为1100?1130°C，以恒定变化速率递增至1160?1190。。。更优选的，所述以恒定变化速率递增具体为:生长温度以10?20°C /min速率递增，持续时间为1?4min。有益效果:1、用特定范围的小流量HC1气腐埋层衬底，既可以清除残留在衬底表面的损伤层和沾污，形成洁净的生长区，亦可以防止过度腐蚀衬底，使得埋层图形变浅，从而增大集电极串联电阻和减弱隔离效果，影响器件参数；2、大流量氢气吹除，减小气相杂质在外延反应腔中的浓度，减少外延过程中的自掺杂效应；3、采用变温变掺杂流量工艺，低的起始生长温度和高的N型掺杂流量可以有效控制B原子的蒸发，随着外延层的加厚，逐步抑制外延的自掺杂。后续减小掺杂流量有效降低外延层N型杂质的过度掺杂，保证产品外延层要求的过渡区可控，同时提高生长温度可以抑制图形漂移。【附图说明】图1为本专利技术方法的流程图；图2为双极型晶体管集成电路材料的基本结构；图3为双极型晶体管器件要求的外延层电阻率的纵向分布示意图；图4为使用本专利技术方法制造的外延层电阻率纵向分布示意图；图5为使用本专利技术方法制造的产品在200倍显微镜下照片。【具体实施方式】实施例1:本实施例采用的外延设备为:意大利LPE公司的PE2061S桶式外延炉。本实施例采用的方法具体步骤如图1所示，本实施例涉及的器件材料结构如图2所示:直径为6寸，P型导电衬底，晶向为〈111〉，电阻率为8?13Ω.cm，B埋层区域方块电阻为90 Ω / □(欧姆每方块)，衬底上制作N+和P+埋层，N型杂质为Sb，P型杂质为B，N型外延层电阻率为7 Ω.cm，厚度18.5 μ m，外延层电阻率纵向分布要求如图3所示。1、外延衬底准备:经过氧化、光刻、扩散等工艺在衬底表面形成埋层后，衬底表面往往存在氧化层及杂质等，为获得洁净的外延用衬底，需去除氧化层及杂质。本专利技术中用HF酸去除埋层衬底表面的氧化层，再用硅片清洗液SC-1和硅片清洗液SC-2清洗埋层衬底表面。2、外延气相腐蚀:外延之前，对硅片表面进行原位HC1腐蚀是去除沾污和缺陷的重要手段。气相腐蚀量的选择是获得高良率成品的重要关键。腐蚀量过小，难以消除衬底表面存在的沾污、缺陷；腐蚀过量，会使埋层图形变浅，器件性能恶化。合适的气相腐蚀利于埋层外延片成品率的提高。本专利技术采用HC1气相腐蚀，去除衬底表面的损伤层和沾污；HC1流量为3slm，气相腐蚀温度为1130°C，气相腐蚀速率控制在0.05 μ m/min，气相腐蚀时间为2min，气相腐蚀厚度为0.1 μπι。3、大流量Η2吹扫:HC1气腐后，衬底表面的部分杂质转移到气相中，此时用大流量比吹扫可以减小气相中杂质浓度，有效降低外延过程中的自掺杂效应。用流量为150slm的H2吹扫，吹扫时间为2min，以去除腔体中的N型杂质和P型杂质。4、变温变掺杂流量外延:通过生长内外层的方法抑制自掺杂、减小漂移率。在衬底B埋层浓度较高的情况下，高温外延会加剧B原子的蒸发，导致外延层载流子分布受自掺杂影响严重，过渡区分布偏离图3的要求。降低生长温度以及加大N型掺杂源流量生长内层薄层可以有效抑制B原子的自掺杂效应。随着外延厚度增加，自掺杂效应减小，此时提高生长温度及减小掺杂流量生长外延层，可以减小漂移率，获得要求的外延电阻率。内层生长过程中，采用变温变掺杂流量的方法以防止N型过度掺杂，同时又不会显著影响漂移率。具体工艺为:娃源SiHCl^流量为lOslm，生长速率0.5 μ m/min, N型掺杂源为300ppm PH 3，起始生长温度为1100°C，以20°C /min速率递增至1190°C，持续时间为4min ;起始掺杂流量为80slm，以20mL/min速率递减至60slm，持续时间为lmin。外延开始时稀释气体H2流量为0.25slm，以固定速率递增至lslm，持续时间lmin。5、变温变掺杂流量生长结束后，以终止时的固定掺杂流量和生长温度生长外层外延层。本专利技术获得的器件材料过渡区符合如图3所示的器件要求。图4为本专利技术的外延层电阻率纵向分布示意图，与器件要求过渡区匹配较好。图5为使用本专利技术方法制造的产品在200倍显微镜下照片，图中可见，定标点1清晰，符合器件要求。实施例2:本实施例采用的外延设备为:意大利LPE公司的PE2061S桶式外延炉。本实施例采用的方当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用变温变掺杂流量的双极型晶体管外延片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：用HF酸去除埋层衬底表面的氧化层，再用硅片清洗液SC‑1和硅片清洗液SC‑2清洗埋层衬底表面；S2：采用HCl气相腐蚀，去除衬底表面的损伤层和沾污；S3：用H2吹扫去除反应腔体中的N型杂质和P型杂质；S4：开始生长内层外延层：硅源SiHCl3的流量为6～10slm，生长速率为0.4～0.6μm/min，N型掺杂源为300ppm PH3，以恒定变化速率改变掺杂流量；以恒定变化速率改变生长温度，外延开始时稀释气体H2的流量为0.25～0.5slm，以固定速率递增至1slm，持续时间1～3min；S5：变温变掺杂流量生长结束后，以终止时的固定掺杂流量和生长温度生长外层外延层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：仇光寅，肖建农，骆红，金龙，
申请(专利权)人：南京国盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32