提供一种即使在液体等异物附着的情况下其底部被污染的可能性也较低的LED装置。LED装置(1)具有：LED晶粒(9)；子安装基板(4)，在其表面上安装有LED晶粒；框状电极(5)，其沿子安装基板的底面的外周部配置；以及内侧电极(8)，其被框状电极围绕且连接于LED晶粒(9)的电极。在LED装置(1)中，框状电极(5)配置在底面的整个外周部。还有，在LED装置(120)中，其底面形状是矩形，框状电极沿底面的3个边配置。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种LED装置。技术背景已知有将裸芯片状态的LED(之后，称为LED晶粒)搭载在子安装基板上，利用树脂等覆盖而进行封装了的LED装置。子安装基板为在安装有电阻以及电容等其他电子零件的大型基板(之后，称为主基板)与LED晶粒之间插入的小型基板，也被称为内插器。子安装基板在与主基板的表面相对的底面上具有阳电极和阴电极(例如参照专利文献I)。图14为对应于专利文献I的图1的现有的半导体封装的立体图，图15为对应于专利文献I的图4的现有的半导体封装的仰视图。LED装置(半导体封装)20具有子安装基板(配线基板)10，以及在子安装基板上倒装芯片安装的LED晶粒(LED元件)61。在LED晶粒61的底面上具有与LED晶粒的阴电极以及阳电极分别连接的突起61a、61b。子安装基板10具有陶瓷基板11，以及配置在陶瓷基板11上的一对电极12、13。一对电极12，13分别有表面电极12a、13a，和侧面电极12b、13b (未图示)，作为LED装置20的阴电极以及阳电极发挥作用。LED晶粒61通过突起61a、61b连接于分别形成在一对电极12、13的表面电极12a、13a上的接地部分。还有子安装基板10形成有一对凹部I la、llb和一对孔11c、I Id。在一对凹部11a、Ilb上配置有侧面电极12b、13b，孔11c、Ild使从LED晶粒61所产生的热量从子安装基板10的表面传导至底面。在LED装置20的底面上配置具有同一形状且具有同一面积的底面电极12c、13c。上侧电极12a、12b的大小以及间隙由LED晶粒61的电极规格(设计规则、安装精度等)决定，而底面电极12c、13c的大小以及间隙由主基板的安装规格决定。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2005-191097号公报(图1、图4)。
技术实现思路
专利技术要解决的问题图14所示的现有的LED装置(半导体封装)20被安装在主基板上时，液体附着于搭载有LED装置的主基板上的情况下，LED装置的底面有被污染的可能性。附着于LED装置底面的液体等异物可能会使LED装置的电极间短路，且可能成为迀移发生的原因。本专利技术为鉴于此课题而做成的，其目的在于提供一种即使在液体等异物附着的情况下底部也不被污染的LED装置。解决问题的手段本专利技术的LED装置的特征在于，具有:LED晶粒；子安装基板，在其表面上安装LED晶粒；框状电极，其沿子安装基板的底面的外周部配置；以及内侧电极，其被框状电极围绕且连接于LED晶粒的电极。在将此LED装置安装在主基板上时，框状电极以及内侧电极通过焊锡连接于主基板上的配线电极。因为将框状电极连接在主基板上的焊锡沿着形成LED装置底面的子安装基板底面的外周部存在，所以在子安装基板的底面配置有框状电极的边被密封。其结果，在安装于主基板的LED装置中，液体等异物不会从配置有框状电极的边侵入到LED装置的底面。在本专利技术的LED装置中，框状电极也可以配置在底面的整个外周部。在本专利技术的LED装置中，也可以是底面的形状为矩形，框状电极沿底面的3个边配置。在本专利技术的LED装置中，也可以是框状电极连接于LED晶粒的电极。在本专利技术的LED装置中，也可以是框状电极连接于接地配线，接地配线被形成在搭载有LED装置的主基板上。本专利技术的LED装置，也可以具有至少2个内侧电极。 在本专利技术的LED装置中，LED晶粒也可以为红色发光LED晶粒、绿色发光LED晶粒以及蓝色发光LED晶粒。专利技术效果因为本专利技术的LED装置具有沿底面的外周部配置的框状电极，所以在安装于主基板的LED装置的底面上，密封配置有框状电极的边，能够防止LED装置的底面污染。【附图说明】图1为第I实施方式的LED装置的立体图。图2为表示将图1所示的LED装置安装于主基板的状态的立体图。图3为图1所示的LED装置的外形图。图4为示出图1所示的LED装置的安装状态的截面图。图5A为第2实施方式中的LED装置的仰视图。图5B为示出图5A所示的LED装置的安装状态的截面图。图6A为第3实施方式中的LED装置的仰视图。图6B为示出图6A所示的LED装置的安装状态的截面图。图7为图6A所示的LED装置的电路图。图8A为第4实施方式中的LED装置的仰视图。图8B为示出图8A所示的LED装置的安装状态的截面图。图9为第5实施方式中的LED装置的仰视图。图10为第6实施方式中的LED装置的仰视图。图11为第7实施方式中的LED装置的仰视图。图12A为第8实施方式中的LED装置的立体图。图12B为图12A所示的LED装置的仰视图。图13为示出用于安装图12A的LED装置的焊锡图案的平面图。图14为现有例中的LED装置的立体图。图15为图14所示的LED装置的仰视图。【具体实施方式】以下，参照附图1-13详细说明本专利技术的优选的实施方式。另外，在附图的说明中对同一或相当的要素上标注同一符号，省略重复说明。还有，为了便于说明适当变更了构件的缩小比例。(第I实施方式)图1为第I实施方式的LED装置I的立体图。LED装置I具有:配置于最上部的反射层2，配置于反射层2下方的荧光体层3，配置在荧光体层3下方的子安装基板4，以及配置在子安装基板4下方的框状电极5。图2为表示将在图1中表示的LED装置I安装于主基板7的状态的立体图。LED装置I通过焊锡6连接于在主基板7上形成的未图示的配线电极。焊锡6形成凸缘(7 ^U V卜)，包围了 LED装置I。图3为第I实施方式的的LED装置I的外观图，图3的(a)为LED装置I的俯视图，图3的(b)为LED装置I的主视图，图3的(c)为LED装置I的仰视图。从LED装置I的表面方向能看到反射层2。从LED装置I的正面方向能看到框状电极5，形成有框状电极5的子安装基板4，分别积层在子安装基板4上的荧光体层3以及反射层2。从LED装置I的底面方向能看到以围绕子安装基板4的底面的外周部的方式形成配置的框状电极5，被框状电极5围绕的内侧电极8。在框状电极5与内侧电极8之间能看到子安装基板4的底面。图4为沿图2的AA线的截面图。在子安装基板4的表面上形成有表面电极4a、4b，在子安装基板4上形成有从表面贯穿至底面的贯通孔4c、4d。表面电极4a通过贯通孔4c连接于框状电极5，表面电极4b通过贯通孔4d连接于内侧电极8。在表面电极4b的表面上LED晶粒9被芯片焊接。金属丝9a连接LED晶粒9的电极和表面电极4a、4b。LED晶粒9以及金属丝9a通过荧光体层3被覆盖。反射层2被设置在荧光体层3的上方。配线电极7a、7b形成在主基板7的表面。配线电极7a通过焊锡6连接于框状电极5，配线电极7b通过焊锡6a连接于内侧电极8。形成子安装基板4的材料从热传导性较高的绝缘材料中选择。在本实施方式中，热传导率良好且反射率高的矾土作为形成子安装基板4的材料被使用。在子安装基板4的表面上配置有反射层的情况下，可以将反射率低但热传导率高的氮化铝作为形成子安装基板4的材料使用。还有，也可以将树脂或表面进行过绝缘处理的金属基板作为子安装基板4的材料使用。表面电极4a、4b、框状电极5以及内侧电极8分别通过在Cu上积层N1、Au而形成。在贯通孔4c、4d的中空部中被填充铜膏等导电构件。LED晶粒9为蓝色发光二当前第1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED装置，其特征在于，具有：LED晶粒；子安装基板，在其表面上安装有所述LED晶粒；框状电极，其沿所述子安装基板的底面的外周部配置；以及内侧电极，其被所述框状电极围绕且连接于所述LED晶粒的电极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫下功，熊坂拓，渡边圭太，土屋康介，
申请(专利权)人：西铁城控股株式会社，西铁城电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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