双端子封装制造技术

提供了一种用于封装诸如发光二极管的双端子装置的解决方案。在一个实施例中，一种封装双端子装置的方法包括：图案化金属片以包括多个开口；接合至少一个双端子装置至金属片，其中第一开口对应于至少一个双端子装置的第一接触与第二接触之间的距离；以及在至少一个双端子装置每个周围切割金属片，其中金属片形成了至第一接触的第一电极以及至第二接触的第二电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】 对相关申请的引用 当前申请请求享有2012年10月22日提交的名为"双端子封装方法"的共同未决 美国临时申请No. 61/716, 655的优先权，并在此通过引用的方式将其全文并入。
本公开大体设及一种双端子装置，并且更特别地设及一种用于封装双端子装置 (诸如发光二极管）的解决方案。
技术介绍
存在各种方案用W封装发光二极管（LE化）。封装LED的一种方法包括提供衬底 腔，在衬底腔的表面上形成电极层，并且然后在腔内形成开口。通过开口的形成而分隔阳极 和阴极。L邸巧片被放置在腔的底部处并且在开口之上。L邸巧片电连接至阳极和阴极。 采用封装材料来填充所形成的腔。通过切割工艺和沿着腔中的切割线而切割从而形成个体 LED装置。 另一方案提供了倒装巧片（flipchip)L邸的封装阵列和封装单元。L邸巧片安装 在能够承受用于封装的制造工艺的共晶温度（eutectictemperature)的陶瓷材料上。多 个金属引线直接分布在陶瓷材料上W完成L邸封装单元，或者多个LE化与金属引线在陶瓷 材料上串联或并联连接W完成高密度封装阵列。
技术实现思路
本专利技术的方面提供了一种用于封装双端子装置（诸如LED)的改进的解决方案。在 一个实施例中，封装双端子装置的方法包括；图案化金属片W包括多个开口；将至少一个 双端子装置接合至金属片，其中第一开口对应于至少一个双端子装置的第一接触与第二接 触之间的距离；W及在至少一个双端子装置的每个的周围切割金属片，其中金属片形成了 至第一接触的第一电极、W及至第二接触的第二电极。 本专利技术的第一方面提供了一种封装双端子装置的方法，方法包括；图案化金属片 W包括多个开口；将至少一个双端子装置接合至金属片，其中第一开口对应于在至少一个 双端子装置的第一接触与第二接触之间的距离；W及在至少一个双端子装置的每个的周围 切割金属片，其中金属片形成了至第一接触的第一电极、W及至第二接触的第二电极。 本专利技术的第二方面提供了一种封装双端子发光二极管（LED)装置的方法，方法包 括；图案化金属片W包括多个开口；将多个L邸装置接合至金属片，其中第一开口对应于至 少一个L邸装置的第一接触与第二接触之间的距离，W及第二开口对应于第一L邸装置与 第二L邸装置之间的距离；W及在L邸装置的每个的周围切割金属片，其中金属片形成了至 第一接触的第一电极、W及至第二接触的第二电极。 本专利技术的第=方面提供了一种双端子发光二极管（LED)封装阵列，包括；包括多 个双端子L邸装置的晶片；W及被图案化W包括多个开口的金属片，其中金属片被接合至 多个双端子LED装置W形成用于多个双端子LED装置的每个的第一电极和第二电极，W使 得金属片的第一开口对应于至少一个L邸装置的第一接触与第二接触之间的距离，W及第 二开口对应于第一L邸装置与第二L邸装置之间的距离。 设计本专利技术的示意性方面W解决在此所述的一个或多个问题和/或并未讨论的 一个或多个其他问题。【附图说明】 结合示出了本专利技术各个方面的附图，从对本专利技术各个方面的W下详细描述将更易 于理解本公开的该些和其他特征。 图1示出了根据实施例的示意性发光装置的示意性结构。 图2示出了根据实施例的接合至晶片的示意性金属片。 图3示出了根据实施例的示意性LED封装阵列。 图4A-图4C示出了根据实施例的示意性的已封装的双端子装置。 图5示出了根据实施例的在S维凹陷（depression)内的示意性的已封装的双端 子装置。 图6A-图6B示出了根据实施例的示意性的已封装的双端子装置。 图7A-图7B示出了根据实施例的示意性的已封装的双端子装置。 图8A-图8D示出了根据实施例的示意性的已封装的双端子装置。 图9示出了根据实施例的用于制造电路的示意性流程图。 应该注意的是附图无需按照比例绘制。附图意在仅示出本专利技术的典型方面，并且 因此不应被视作限定了本专利技术的范围。在附图中，相似的附图标记在附图之间代表相似的 元件。【具体实施方式】 如上所述，本专利技术的方面提供了一种用于封装双端子装置（诸如LED)的改进的解 决方案。在一个实施例中，一种封装双端子装置的方法包括；图案化金属片W包括多个开 口；将至少一个双端子装置接合至金属片，其中第一开口对应于至少一个双端子装置的第 一接触与第二接触之间的距离；W及在至少一个双端子装置的每个周围切割金属片，其中 金属片形成了至第一接触的第一电极、W及至第二接触的第二电极。如在此所使用的，除非 另外指示，词语"集合"意味着一个或多个（也即至少一个），W及短语"任何解决方案"意 味着任何现在已知的或者稍后研发的解决方案。 参照附图，图1示出了根据实施例的示意性双端子发光装置10的示意性结构。在 实施例中，发光装置10被配置作为发光二极管（LED)来工作。备选地，发光装置10可W被 配置W作为激光二极管（LD)来工作。在各种情形下，在发光装置10的工作期间，施加能与 带隙相比的偏置导致电磁福射从发光装置10的有源区域18发射。由发光装置10发射的 电磁福射可W包括在任何波长范围（包括可见光、紫外福射、深紫外福射、红外光和/或类 似的）内的峰值波长。 发光装置10包括衬底12,与衬底12相邻的缓冲层14,与缓冲层14相邻的n型覆 层16,具有与n型覆层16相邻的n型侧面19A的有源区域18。此外，发光装置10包括与 有源区域18的p型侧面19B相邻的p型层20,W及与P型层20相邻的p型覆层22。 在更具体的示意性实施例中，发光装置10是基于III-V族材料的装置，其中各个 层中的一些或所有由选自III-V族材料系统的元素形成。在另外更加具体的示意性实施例 中，发光装置10的各个层由基于III族氮化物的材料形成。III族氮化物材料包括一种或 多种III族元素（例如，棚做，侣（A1)，嫁（Ga)和铜（In))和氮㈱，诸如B/lxGaylnzN， 其中0《W，X，Y，Z《1，并且W巧巧+Z= 1。示意性的III族氮化物材料包括具有任何摩 尔比例的III族元素的AIN、GaN、InN、BN、AlGaN、A1InN、A1BN、AlGaInN、AlGaBN、A1InBN和 AlGaInBNo 基于III族氮化物的发光装置10的示意性实施例包括由IriyAl脚i_x_yN、 Ga,InyAlA_,_y_,N、Al脚i_,N半导体合金或类似物构成的有源区域18。类似的，n型覆层16和 P型层20均可W由IriyAl脚i_x_yN合金、GazIriyAlA_x_y_zN合金或类似物构成。在各个层16、 18和20之间，由x、y和Z给定的摩尔比例可W变化。衬底12可W是藍宝石、碳化娃（SiC)、 娃仪）、GaN、AlGaN、A10N、LiGa〇2或其他合适的材料，且缓冲层14可W由A1N、AlGaN/AlN 超晶格和/或类似物的构成。 如参照发光装置10所示，P型金属24可W附接至P型覆层22,且P型接触26可 W附接至P型金属24。类似的，n型金属28可W附接至n型覆层16,W及n型接触30可 W附接至n型金属28。P型金属24和n型金属28可W分别形成至对应的层22、16的欧姆 接触。 如参照发光装置10来进一步示出的，装置10可W经由接触26、30被安装至基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装双端子装置的方法，所述方法包括：图案化金属片以包括多个开口；接合至少一个双端子装置至所述金属片，其中第一开口对应于所述至少一个双端子装置的第一接触与第二接触之间的距离；以及切割所述至少一个双端子装置的每个的周围的所述金属片，其中所述金属片形成至所述第一接触的第一电极以及至所述第二接触的第二电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·布林寇，M·舒尔，R·格斯卡，
申请(专利权)人：传感器电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US