发光装置的制造方法和发光装置制造方法及图纸

发光装置(1)的制造方法具有：框体形成工序，形成框体(2)，该框体(2)具有装载发光元件(20)的装置基板(4)和与装置基板(4)分离而通过导线(6a)与发光元件(20)电连接的端子部(5)，并且，从端子部(5)的与导线(6a)连接的连接面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H1)低于从发光元件(20)的上表面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H2)；在导线(6a)连接的发光元件(20)的电极形成凸块(32)的凸块形成工序；首先将导线(6a)的一端与端子部(5)接合的第一接合工序；然后将导线(6a)的另一端与凸块(32)接合的第二接合工序；和在框体(2)的内部填充密封材料(7)而将发光元件(20)密封的密封工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光装置的制造方法和使用该方法制造的发光装置。
技术介绍
历来已知使用例如LED (Light Emitting D1de:发光二极管)芯片等的发光元件的发光装置。使用了 LED芯片的发光装置中，为了保护LED芯片自身和与LED芯片电连接的导线，为了提高LED芯片照射的光的取出效率，以及为了使荧光体分散，利用由透明树脂构成的密封材料覆盖LED芯片。LED芯片照射的光透过密封材料的内部从密封材料的表面(光取出面)被向外部放出。在专利文献I中记载有这种现有的发光装置。专利文献I中记载的发光装置(发光元件封装件)中，在框体(主体)的底部配置的基板(反光杯)上装载发光元件，发光元件通过导线与跟发光元件分离的其它基板电连接。在将导线的两端与发光元件和基板接合时，通常进行如下接合工序:首先将导线的一端与发光元件接合(第一接合)，然后将导线的另一端与跟发光元件分离的基板接合(第二接合)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-254080号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题此处，已知在导线的第一接合中，导线的接合处正上方的颈部会再结晶。而且已知在导线的再结晶区域金属变脆、容易断裂。另一方面，覆盖发光元件的密封材料有时使用热膨胀率比较大的材料。而且，可以认为发光装置会由于外部环境和发光元件的点亮、熄灭等而受到温度变化或温度变化的反复。如果密封材料由于该温度变化而反复进行膨胀收缩，则有对导线施加反复应力的可能性。担心该反复应力对导线的再结晶区域产生不利影响，导线更加容易断裂。也担心这样的问题会由于与发光装置的大型化相伴而来的密封材料的量变多、导线的长度变长而更加显著。本专利技术是鉴于上述的问题而完成的专利技术，其目的在于提供能够尽量抑制与发光元件接合的导线的断裂的发光装置的制造方法和使用该方法制造的发光装置。解决问题的手段为了解决上述问题，本专利技术的发光装置的制造方法的特征在于，具有:框体形成工序，形成框体，该框体具有装载发光元件的装置基板和与上述装置基板分离而通过导线与上述发光元件电连接的端子部，并且，从上述端子部的与上述导线连接的连接面至上述框体的上缘为止的高度低于从上述发光元件的上表面至上述框体的上缘为止的高度；在上述导线连接的上述发光元件的电极形成凸块的凸块形成工序；首先将上述导线的一端与上述端子部接合的第一接合工序；然后将上述导线的另一端与上述凸块接合的第二接合工序；和在上述框体的内部填充密封材料而将上述发光元件密封的密封工序。根据该结构，导线的第一接合之处的上方的密封材料的厚度比导线的第二接合之处的上方的密封材料的厚度薄。因此，导线的第一接合之处、即导线的再结晶区域受到的密封材料的膨胀收缩的影响降低。此外，上述结构的发光装置的制造方法的特征在于:上述凸块形成工序中，在上述发光元件的η电极形成上述凸块。此外，为了解决上述问题，本专利技术提供一种发光装置，其特征在于使用上述方法制造。专利技术的效果根据本专利技术的结构，能够提供能够尽量抑制与发光元件接合的导线的断裂的发光装置的制造方法和使用该方法制造的发光装置。【附图说明】图1是本专利技术的实施方式的发光装置的截面图。图2是本专利技术的实施方式的发光装置的发光元件的截面图。图3是用于说明本专利技术的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。图4是用于说明本专利技术的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。图5是用于说明本专利技术的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。图6是用于说明本专利技术的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。图7是用于说明本专利技术的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。图8是用于说明本专利技术的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。图9是用于说明本专利技术的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。图10是用于说明本专利技术的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。图11是用于说明本专利技术的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。图12是用于说明本专利技术的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。图13是用于说明本专利技术的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。图14是用于说明本专利技术的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。图15是用于说明本专利技术的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。图16是用于说明本专利技术的实施例3的发光装置的制造方法的截面图。【具体实施方式】以下，根据图1?图16对本专利技术的实施方式进行说明。首先，使用图1和图2说明本专利技术的实施方式的发光装置的结构。图1是发光装置的截面图，图2是发光装置的发光元件的截面图。如图1所示，发光装置I包括装载于框体2的发光元件20。发光元件20是使用例如半导体形成的LED芯片。构成LED芯片的半导体的种类根据例如所期望的LED芯片的出射光的波长等适当地决定。例如，LED芯片可以使用紫外、蓝、绿、红、红外的任意波长的LED芯片。如图2所示，发光元件20例如在由蓝宝石构成的元件基板21的上表面上结晶生长出多个半导体层。在该元件基板21上依次叠层缓冲层22、n型半导体层23、作为发光层的活性层24、P型半导体层25。在P型半导体层25上设置有p电极26。η型半导体层23的一部分、活性层24和ρ型半导体层25被蚀刻成台状，η型半导体层23的一部分在上方露出。在该露出的η型半导体层23上设置有η电极27。在发光元件20的几乎整个上表面以ρ电极26和η电极27露出的方式设置有保护膜28。如图1所示，框体2的外形形成为大致长方体形状，包括凹部3。凹部3具有以从框体2的内部向图1的框体2的上表面方向去成为广口的方式倾斜的侧面，框体2的上表面成为开口。发光元件20配置在该凹部3的内底部。发光元件20照射的光的一部分在凹部3的倾斜的侧面被反射。为了提高发光装置I的光的取出效率，期望框体2为反射率较高的材料，可以使用例如聚邻苯二甲酰胺树脂或聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂等硬质的白色树脂，或者由氧化铝(Al2O3)的烧结体构成的陶瓷。在框体2设置有装置基板4和端子部5。装置基板4和端子部5详细而言以作为正负电极发挥作用的方式成对地构成，隔着作为框体2的一部分的绝缘部2a而相互分离。装置基板4和端子部5均以它们的一个端部位于凹部3的内底部的方式设置。另外，装置基板4和端子部5也可以与框体2 —体地形成。发光元件20在装置基板4的图1中的上表面上载置于框体2的水平方向的大致中央部。发光元件20通过导线6a、6b与端子部5和装置基板4电连接。此处，装置基板4和端子部5以从端子部5的与导线6a连接的连接面至框体2的上缘2b为止的高度Hl低于从发光元件20的上表面至框体2的上缘2b为止的高度H2的方式形成。发光元件20和导线6a、6b的周围被密封材料7覆盖。密封材料7以充满框体2的凹部3的方式填充于凹部3。发光元件20照射的光从光取出面7a射出，该光取出面7a为从凹部3露出于外部的密封材料7的表面，即图1中的上表面。密封材料7例如由热固化性的环氧树脂或硅树脂构成。由此，密封材料7的可靠性和透明性高，能够提高发光装置I的光的取出效率。此外，也可以在密封材料7中混入例如荧光体和分散剂等添加物。实施例1接着，使用图3?图9对发光装置I的制造方法的实施例1进行说明。图3?图9是用于说明发光装置I的制造方法的截面图。另外，在实施例1的说明中有时适当参照图1和图2。在实施例1的发光装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置的制造方法，其特征在于，具有：框体形成工序，形成框体，该框体具有装载发光元件的装置基板和与所述装置基板分离而通过导线与所述发光元件电连接的端子部，并且，从所述端子部的与所述导线连接的连接面至所述框体的上缘为止的高度低于从所述发光元件的上表面至所述框体的上缘为止的高度；在所述导线连接的所述发光元件的电极形成凸块的凸块形成工序；首先将所述导线的一端与所述端子部接合的第一接合工序；然后将所述导线的另一端与所述凸块接合的第二接合工序；和在所述框体的内部填充密封材料而将所述发光元件密封的密封工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉置和雄，太田将之，山口真司，栗田贤一，辰巳正毅，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP