脱模膜制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种脱模膜，其适合于柔性电路基板的制造、且能够在保持脱模性的状态下抑制皱褶的产生。本发明专利技术为一种脱模膜，其适合于柔性电路基板的制造，所述脱模膜的表面和背面被粗面化，所述表面的十点平均粗糙度Rz为4μm以上且20μm以下，并且构成所述背面的脱模层的厚度为35μm以上(其中，不包括所述表面的十点平均粗糙度Rz为4μm以上且5μm以下、并且构成所述背面的脱模层的厚度为35μm以上且36μm以下的情况)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种脱模膜，其适合于柔性电路基板的制造、且能够在保持脱模性的 状态下抑制皱褶的产生。
技术介绍
在柔性电路基板的制造工序中，利用热固型粘接剂或热固型粘接片在形成有铜电 路的柔性电路基板本体热压粘接覆盖膜。此时，为了防止覆盖膜与热压板粘接，正在广泛使 用脱模膜。 以往提出了包含甲基戊烯树脂、聚酯树脂、间同立构聚苯乙烯树脂等各种树脂的 脱模膜（专利文献1~3)。例如专利文献1中记载了由包含聚甲基戊烯树脂的层叠体构成的脱模膜。专利文 献2中记载了具有确定了表面粗糙度且包含聚对苯二甲酸丁二醇酯且厚度薄的脱模层、缓 冲层和副脱模层的脱模膜。专利文献3中记载了具有包含间同立构聚苯乙烯树脂的脱模层 和缓冲层的脱模膜。 近年来，伴随智能手机、平板PC等的普及，柔性电路基板正推进高功能化、薄膜 化。另外，也正在推进辊对辊（RtoR)方法等制造方法的自动化，伴随这样的制造方法的自 动化出现了如下的问题：在柔性电路基板的制造工序中，脱模膜中产生的皱褶会转印到柔 性电路基板。因此，对脱模膜提出了能够抑制皱褶产生的要求，但是很难得到在保持其他要求 性能（例如填埋性、脱模性等）的状态下能够抑制皱褶产生的脱模膜。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:国际公开第06/120983号 专利文献2:日本特开2009-73195号公报 专利文献3:日本特开2011-161747号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 本专利技术的目的在于提供一种脱模膜，其适合于柔性电路基板的制造、且能够在保 持脱模性的状态下抑制皱褶的产生。 解决课题的手段 本专利技术为一种脱模膜，其适合于柔性电路基板的制造，所述脱模膜的表面和背面 被粗面化，所述表面的十点平均粗糙度Rz为4μm以上且20μm以下，并且构成所述背面的 脱模层的厚度为35μm以上（其中，不包括所述表面的十点平均粗糙度Rz为4μm以上且 5μm以下、并且构成所述背面的脱模层的厚度为35μm以上且36μm以下的情况）。 以下详述本专利技术。 本专利技术人发现，只要是表面和背面这两面被粗面化、并且表面的十点平均粗糙度 RZ和构成背面的脱模层的厚度满足规定范围的脱模膜，则能够在保持脱模性的状态下抑制 皱褶的产生，从而完成了本专利技术。 本专利技术的脱模膜为适合于柔性电路基板的制造的脱模膜。 本专利技术的脱模膜的表面和背面被粗面化。通过不仅单面被粗面化、而且表面和背 面这两个面被粗面化，由此本专利技术的脱模膜能够在保持脱模性的状态下抑制皱褶的产生。 本说明书中，"被粗面化"是指例如通过压花加工、使用了化学药品或等离子体的 蚀刻处理、膜成形时的熔体破坏等来形成凹凸形状的状态。粗面化状态可以通过光学显微 镜进行确认。 本专利技术的脱模膜中，上述表面的十点平均粗糙度Rz为4μm以上且20μm以下，并 且构成上述背面的脱模层的厚度为35μm以上（其中，不包括上述表面的十点平均粗糙度 Rz为4μm以上且5μm以下、并且构成上述背面的脱模层的厚度为35μm以上且36μm以 下的情况）。 通过使上述表面的十点平均粗糙度Rz和上述构成背面的脱模层的厚度满足上述 范围，由此本专利技术的脱模膜能够在保持脱模性的状态下抑制皱褶的产生。上述表面的十点 平均粗糙度Rz小于上述范围时，在脱模膜较多地产生皱褶。上述表面的十点平均粗糙度Rz 超过上述范围时，脱模膜的脱模性降低。另外，上述构成背面的脱模层的厚度小于上述范 围，也在脱模膜上较多地产生皱褶。上述构成背面的脱模层的厚度的上限没有特别限定，但 优选的上限为100μm，更优选的上限为50μm。 从在保持脱模性的状态下有效地抑制皱褶产生的观点出发，更优选为：上述表面 的十点平均粗糙度Rz为4μπι以上且20μπι以下，并且上述构成背面的脱模层的厚度为 37μm以上，或者，上述表面的十点平均粗糙度Rz为8μm以上且15μm以下，并且上述构成 背面的脱模层的厚度为35μm以上且小于37μm。 本说明书中，"表面"是指在柔性电路基板的制造工序中成为柔性电路基板侧的 面，"背面"是指在柔性电路基板的制造工序中成为热压板侧的面。但是，脱模膜单体中并没 有"表面"或"背面"的区别，将十点平均粗糙度Rz满足上述范围的面作为"表面"。 本说明书中，"十点平均粗糙度Rz"是指，在基准长度L中将从最高的山顶到高度 为第5的山顶的标高分别设为Ypl、Yp2、Yp3、Yp4和Yp5,并且将从最深的谷底到深度为第 5的谷底的标高分别设为YV1、YV2、YV3、YV4和YV5时，通过下述式⑴求出的值。"十点平 均粗糙度Rz"的值越大，则面从整体上而言越粗糙，值越小，则面从整体上而言越平滑。"十 点平均粗糙度Rz"可以通过使用触针式表面粗糙度测定机（例如Mitsutoyo公司制的SURF TESTSJ-301等），按照JISB0601:2001的方法，使用前端半径2μπκ圆锥的锥角60°的触 针，在测定力〇. 75mN、截断值λs= 2. 5μm(需要说明的是，待测定对象的表面粗糙度小于 截断值时，可以调整截断值）、λc= 0. 8mm的条件下进行测定。【数学式1】Rz= (|Ypl+Yp2+Yp3+Yp4+Yp5|+|Yvl+Yv2+Yv3+Yv4+Yv5|)/5 (1) 需要说明的是，关于上述表面的十点平均粗糙度Rz和上述构成背面的脱模层的 厚度的范围，是根据实施例和比较例中得到的"表面的十点平均粗糙度Rz"和"构成背面的 脱模层的厚度"，作为在保持脱模性的状态下能够抑制皱褶产生的范围而导出的值。 图1示出对实施例（不包括几个实施例）和比较例中得到的"表面的十点平均粗 糙度Rz"和"构成背面的脱模层的厚度"进行描绘而得的图表。图1中，本专利技术所规定的"表 面的十点平均粗糙度Rz"和"构成背面的脱模层的厚度"的范围用斜线表示。但是，"构成 背面的脱模层的厚度"的上限并不限定于图1的斜线所示的范围。 作为以使上述表面的十点平均粗糙度Rz、和上述构成背面的脱模层的厚度满足上 述范围的方式进行调整的方法，例如可举出：将构成脱模膜的树脂利用挤出机的T型模头 挤出而成形为目标厚度，对所得到的树脂膜的表面按压加工有图案的冷却辊，从而将被加 工到冷却辊表面的图案转印至树脂膜表面的方法等。上述在表面加工有图案的冷却辊的制造方法没有特别限制，例如可举出：在平滑 的辊的表面形成凹图案后，对该辊的平滑部分的粗糙度进行调整的方法等。上述被加工到 冷却辊表面的图案没有特别限制，例如可举出单一形状的凹凸图案、在大的喷磨材料所致 的凹凸图案上重叠细微的凹凸而得的多种形状的凹凸图案等。 本专利技术的脱模膜中，上述表面的光泽面比率优选为35%以上且85%以下。上述光 泽面比率小于35%时，有时脱模膜的脱模性降低。上述光泽面比率大于85%时，有时脱模 膜产生皱褶。 本说明书中，"光泽面比率"是指，使用光学显微镜将脱模膜表面放大至20倍进行 观察，测定观察视野（700μmX525μm)中的平滑面的面积，并求出平滑面的面积在观察视 野中所占的百分率而得的值。 本专利技术的脱模膜的上述背面的十点平均粗糙度Rz没有当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种脱模膜，其特征在于，适合于柔性电路基板的制造，所述脱模膜的表面和背面被粗面化，所述表面的十点平均粗糙度Rz为4μm以上且20μm以下，并且构成所述背面的脱模层的厚度为35μm以上，其中，不包括所述表面的十点平均粗糙度Rz为4μm以上且5μm以下、并且构成所述背面的脱模层的厚度为35μm以上且36μm以下的情况。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中尾洋祐，土谷雅弘，宇都航平，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP