【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
集成电路（1C)通常设计具有有源器件，如通过导电线路（诸如金属线和多晶硅线）连接的晶体管、电阻器和电容器，以形成电路。通过包括使用光刻胶、光刻掩模（掩模）、专用光源和各种蚀刻剂的光刻工艺形成1C中的有源器件。越来越密集的1C在速度、功能和成本方面具有多种益处，但是会导致越来越困难的设计和制造问题。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于集成电路的布局设计的方法，包括：将第一掩模图案的所有导电线路沿第一方向布置，其中，第一掩模图案的导电线路位于第一导电层中；以及将第二掩模图案的所有导电线路沿第一方向布置，其中，第二掩模图案的导电线路位于第一导电层中，并且第二掩模图案沿不同于第一方向的第二方向偏离第一掩模图案。根据本专利技术的一个实施例，该方法还包括：将第三掩模图案的所有导电线路沿第三方向布置，其中，第三掩模图案的导电线路位于第二导电层中，并且第三方向不同于第一方向。根据本专利技术的一个实施例，布置第一掩模图案的所有导电线路和布置第二掩模图案的所有导电线路进一步在单元中形成传输栅极。根据...
【技术保护点】
一种用于集成电路的布局设计的方法，包括：将第一掩模图案的所有导电线路沿第一方向布置，其中，所述第一掩模图案的导电线路位于第一导电层中；以及将第二掩模图案的所有导电线路沿第一方向布置，其中，所述第二掩模图案的导电线路位于所述第一导电层中，并且所述第二掩模图案沿不同于所述第一方向的第二方向偏离所述第一掩模图案。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：江庭玮，庄惠中，田丽钧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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