还原氧化石墨烯电路及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种还原氧化石墨烯电路及其制备方法。利用工业可得到的准分子激光系统，在玻璃衬底上直接图案化还原氧化石墨烯电路。观察激光能量密度的阈值，其对氧化石墨烯是否还原提供了清晰的分化。测量的最高导电率是7.142×103S/m。在跨越450至800nm的整个范围，还原氧化石墨烯显示出大于80％的透射率。显著的电气、光学和形态性质使还原氧化石墨烯显示出希望的应用，并且当用作触摸屏的透明电极或在其它应用中，该纳米处理方法使还原氧化石墨烯甚至更有吸引力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种还原氧化石墨帰电路，更具体地，涉及一种制备送种还原氧化石 墨帰电路的方法。
技术介绍
石墨帰是一种紧密堆积成二维（2D)蜂窝结构的SP2杂化的碳原子的扁平单层。由 于其具有匹敌石墨的显著的面内值（分别是~3000W/mK、8000S/m和lOOOGPa)的优越的 导热性、导电性和机械强度，它吸引了越来越多的关注。此外，石墨帰是零带隙半导体，具有k点附近的线性带结构。在高光强度下，光生 载流子阻止进一步的吸收。石墨帰中的狄拉克费米子的高频导电率应该是等于e2/4h的 普适常数。送种独特的性质赋予了石墨帰通用的2. 3 %的线性光吸收，尽管它具有高的导电 性，送样的线性光吸收也使其透明。自从其在2004年通过微机械剥离首次产生，人们就在其制备上付出了很多努力。 除了微机械剥离之外，研究的制备方法还包括热化学气相沉积技术、等离子体增强化学气 相沉积法、化学法、SiC热分解、剖开CNT等。CN103508447公开了一种制备石墨帰的方法。该方法包括W下步骤：获得氧化石 墨帰和衬底；制备氧化石墨帰的糊状物并且在衬底的表面上涂覆该糊状物；W及通过激光 还原法制备石墨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种还原氧化石墨烯电路，包括：衬底；形成在该衬底上的至少一个亲水层；形成在该亲水层上的至少一个氧化石墨烯层；和形成在该氧化石墨烯层上的至少一个还原氧化石墨烯图案。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：容锦泉，林海明，蔡恒生，
申请(专利权)人：纳米及先进材料研发院有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;81