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本发明提供了一种还原氧化石墨烯电路及其制备方法。利用工业可得到的准分子激光系统，在玻璃衬底上直接图案化还原氧化石墨烯电路。观察激光能量密度的阈值，其对氧化石墨烯是否还原提供了清晰的分化。测量的最高导电率是7.142×103S/m。在跨越45...该专利属于纳米及先进材料研发院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳米及先进材料研发院有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种还原氧化石墨烯电路及其制备方法。利用工业可得到的准分子激光系统，在玻璃衬底上直接图案化还原氧化石墨烯电路。观察激光能量密度的阈值，其对氧化石墨烯是否还原提供了清晰的分化。测量的最高导电率是7.142×103S/m。在跨越45...