电阻式存储器及其控制方法与存储单元技术

本发明专利技术提供一种电阻式存储器及其控制方法与存储单元，该电阻式存储器包括一第一解码单元、一第二解码单元、一控制检测单元以及多个存储单元。第一解码单元通过至少一字线，传送至少一字信号。第二解码单元通过至少一位线，传送至少一位信号。控制检测单元通过至少一源极线，传送至少一源极信号。每一存储单元包括一晶体管以及一可变电阻。可变电阻耦接于晶体管的一第一端与位线之间。晶体管的一第二端耦接源极线。在一设定期间，源极信号为一固定电平，位信号不为固定电平。在一重置期间以及一读取期间，源极信号不为固定电平，位信号为固定电平。本发明专利技术在重置及读取期间保持位线的电平，不需切换位线的电平，因而减少了切换时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电阻式存储器，特别是有关于一种在重置及读取期间，保持位线的电平的电阻式存储器。
技术介绍
随着科技的进步，并且在可携式及省电的趋势下，电子产品对于数据的存储需求大幅增加。一般而言，存储器分为易失性存储器与非易失性存储器。传统的易失性存储器包括，动态随机存取存储器以及静态随机存取存储器。非易失性存储器包括，只读存储器(ROM)、可编程式只读存储器、可擦可编程式只读存储器(EPROM)、可电擦可编程式只读存储器以及快闪存储器。目前新型易失性存储器包括，铁电存储器、相变化存储器、磁性存储器及电阻式存储器。由于电阻式存储器具有结构简单、成本低、速度快与低功耗等优点，故大幅被使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电阻式存储器及其控制方法与存储单元，以进一步提高现有电阻式存储器的动作切换速度。本专利技术提供一种电阻式存储器，包括一第一解码单元、一第二解码单元、一控制检测单元以及多个存储单元。第一解码单元通过至少一字线，传送至少一字信号。第二解码单元通过至少一位线，传送至少一位信号。控制检测单元通过至少一源极线，传送至少一源极信号。每一存储单元包括一晶体管以及一可变电阻。可变电阻耦接于晶体管的一第一端与位线之间。晶体管的一第二端耦接源极线。在一设定期间，控制检测单元令源极信号为一固定电平，第二解码单元令位信号不为固定电平。在一重置期间，控制检测单元令源极信号不为固定电平，第二解码单元令位信号为固定电平。在一读取期间，控制检测单元令源极信号不为固定电平，第二解码单元令位信号为固定电平。本专利技术另提供一种控制方法，适用于一电阻式存储器。电阻式存储器具有一晶体管以及一可变电阻。可变电阻耦接于晶体管的一第一端与一位线之间。本专利技术的控制方法包括，执行一设定动作，设定动作是令位线的电平不为一固定电平，以及令晶体管的一第二端为固定电平；执行一重置动作，重置动作是令位线的电平为固定电平，以及令晶体管的第二端不为固定电平；执行一读取动作，读取动作是令位线的电平为固定电平，以及令晶体管的第二端不为固定电平。本专利技术还提供一种电阻式存储单元，包括一晶体管以及一可变电阻。晶体管具有一第一端以及一第二端。可变电阻耦接于一位线与第一端之间。在一设定期间，第二端接收一固定电平，位线不接收固定电平。在一重置期间，第二端不接收固定电平，位线接收固定电平。在一读取期间，第二端不接收固定电平，位线接收固定电平。本专利技术在重置及读取期间保持位线的电平，不需切换位线的电平，因而减少了切换时间。为让本专利技术的特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1为本专利技术的电阻式存储器的示意图；图2为本专利技术的存储单元的示意图；图3A～3D为本专利技术控制方法的可能实施例。符号说明：100：电阻式存储器；110、120：解码单元；130：控制检测单元；140：存储单元阵列；WL1～WLN：字线；BL1～BLM：位线；SL1～SLM：源极线；M11～MMN：存储单元；210：晶体管；220：可变电阻；VG：栅信号；VBL：位信号；VSL：源极信号；S310：设定动作；S320：重置动作；S330、S370：读取动作；S340：再重置动作；S360：再设定动作；S380：形成动作；S390：初始化动作；S311、S312、S321、S322、S331～S334、S341、S342、S361、S362、S371～S373、S381、S382、S391、S392：步骤。具体实施方式图1为本专利技术的电阻式存储器的示意图。如图所示，电阻式存储器100包括解码单元110、120、一控制检测单元130以及一存储单元阵列140。解码单元110对一第一地址信号(未显示)进行解码，并根据解码结果产生多个字信号，再通过字线WL1～WLN传送字信号予存储单元阵列140。解码单元120对一第二地址信号(未显示)进行解码，并根据解码结果产生多个位信号，再通过位线BL1～BLM传送位信号予存储单元阵列140。本专利技术不限定解码单元110与120的内部架构。只要能够提供适当的电平予字线WL1～WLN与位线BL1～BLM的电路，均可作为解码单元110与120。控制检测单元130通过源极线SL1～SLM传送源极信号，用以写入数据至存储单元阵列140。在本实施例中，控制检测单元130检测流经源极线SL1～SLM的电流，并根据检测结果得知并输出存储单元阵列140所存储的数据。本专利技术并不限定控制检测单元130的电路架构。任何只要能够提供适当的电平予源极线SL1～SLM，并可检测源极线SL1～SLM的电流大小的电路架构，均可作为控制检测单元130。另一实施例中，控制检测单元130包括一电压产生电路及一检测电路(均未显示)。电压产生电路用以控制源极线SL1～SLM电平。检测电路用以检测存储单元阵列140所存储数据。存储单元阵列140包括存储单元M11～MMN。每一存储单元耦接相对应的字线、位线以及源极线。借由控制字线、位线以及源极线的电平，便可调整控制存储单元的阻抗。不同阻抗代表不同的数据。举例而言，当存储单元具有高阻抗，表示存储数据0；当存储单元具有低阻抗，表示存储数据1。由于存储单元M11～MMN内部架构均相同，故以下仅以存储单元M11为例。请参考图2，存储单元M11包括一晶体管210以及一可变电阻220。晶体管210的控制端耦接字线WL1，用以接收一栅信号VG。可变电阻220耦接于位线BL1与晶体管210的第一端之间，用以接收一位信号VBL。晶体管210的第二端耦接源极线SL1，用以接收一源极信号VSL。在本实施例中，解码单元110、120与控制检测单元130先对存储单元M11进行一设定动作。在一设定期间，控制检测单元130令源极信号VSL为一固定电平，解码单元120令位信号VBL不为固定电平。位信号VBL的电平为任何适当的电平。在一可能实施例中，固定电平为一接地电平。此时，可变电阻220具有低阻抗。接着，解码单元110、120与控制检测单元130对存储单元M11进行一重置动作。在一重置期间，控制检测单元130令源极信号VSL不为固定电平，解码单元120令位信号VBL为固定电平。此时，可变电阻220具有高阻抗。源极信号VSL的电平可为任何适当的电平。接着，解码单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式存储器，其特征在于，该电阻式存储器包括：一第一解码单元，通过至少一字线，传送至少一字信号；一第二解码单元，通过至少一位线，传送至少一位信号；一控制检测单元，通过至少一源极线，传送至少一源极信号；以及多个存储单元，每一存储单元包括一晶体管以及一可变电阻，该可变电阻耦接于该晶体管的一第一端与该位线之间，该晶体管的一第二端耦接所述源极线；其中在一设定期间，该控制检测单元令所述源极信号为一固定电平，该第二解码单元令所述位信号不为该固定电平；在一重置期间，该控制检测单元令所述源极信号不为该固定电平，该第二解码单元令所述位信号为该固定电平；在一读取期间，该控制检测单元令所述源极信号不为该固定电平，该第二解码单元令所述位信号为该固定电平。

【技术特征摘要】
1.一种电阻式存储器，其特征在于，该电阻式存储器包括：
一第一解码单元，通过至少一字线，传送至少一字信号；
一第二解码单元，通过至少一位线，传送至少一位信号；
一控制检测单元，通过至少一源极线，传送至少一源极信号；以及
多个存储单元，每一存储单元包括一晶体管以及一可变电阻，该可变电阻耦接于
该晶体管的一第一端与该位线之间，该晶体管的一第二端耦接所述源极线；
其中在一设定期间，该控制检测单元令所述源极信号为一固定电平，该第二解码
单元令所述位信号不为该固定电平；在一重置期间，该控制检测单元令所述源极信号
不为该固定电平，该第二解码单元令所述位信号为该固定电平；在一读取期间，该控
制检测单元令所述源极信号不为该固定电平，该第二解码单元令所述位信号为该固定
电平。
2.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，该设定期间早于该重置期
间，该重置期间早于该读取期间。
3.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，在该读取期间，判断该可
变电阻的阻抗是否等于一预设值，当可变电阻的阻抗不等于该预设值时，该控制检测
单元令所述源极信号不为该固定电平，该第二解码单元令所述位信号为该固定电平。
4.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，在该读取期间，该控制检
测单元检测流过所述源极线的一电流，当流过所述源极线的该电流大于一参考值时，
该可变电阻具有一第一阻抗，当流过所述源极线的该电流不大于该参考值时，该可变
电阻具有一第二阻抗，该第一阻抗小于该第二阻抗。
5.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，在一形成期间，该控制检
测单元令所述源极信号为该固定电平，该第二解码单元令所述位信号不为该固定电平，
在一初始化期间，该控制检测单元令所述源极信号不为该固定电平，该第二解码单元
令所述位信号为该固定电平，该形成期间早于该设定期间，该初始化期间位于该形成
期间与该设定期间之间。
6.一种控制方法，适用于一电阻式存储器，该电阻式存储器具有一晶体管以及
一可变电阻，该可变电阻耦接于该晶体管的一第一端与一位线之间，其特征在于，该

\t控制方法包括：
执行一设定动作，该设定动作是令该位线的电平不为一固定电平，以及令该晶体
管的一第二端为该固定电平；
执行一重置动作，该重置动作是令该位线的电平为该固定电平，以及令该晶体管
的该第二端不为该固定电平；
执行一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孟弘，吴健民，吴伯伦，黄科颖，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71