一种金刚石膜抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种金刚石膜抛光方法，第一步制作一个密封容器；第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。本发明专利技术采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5μm的极薄金刚石膜，加工速度约为10～40nm/min。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金刚石加工
，具体属于。
技术介绍
近年来，低压化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜技术得到迅速发展，研究开发了诸如灯丝热解CVD法、微波等离子体CVD法、直流等离子体喷射CVD法和燃焰法等多种金刚石薄膜合成方法。根据不同的沉积方法和沉积条件，在1?980 μπι/h的沉积速度下，可得到厚度为0.5?1000 μ m的薄(厚)膜，可沉积出直径达300mm的大面积金刚石膜，为金刚石膜的广泛应用奠定了基础。由于气相沉积的金刚石膜为多晶膜，晶粒较多，表面凸凹不平，在许多情况下不能直接使用，因而金刚石膜的光整加工(抛光)是必不可少的重要工艺步骤。由于金刚石膜硬度高、厚度薄、整体强度低，因此抛光效率低，且膜极易破裂及损伤，加工难度较大。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的是提供了，采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5 μπι的极薄金刚石膜，加工速度约为10?40nm/min。本专利技术采用的技术方案如下:—种金刚石膜抛光方法，所述的方法，第一步制作一个密封容器；第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，圆弧直径为圆弧直径为72mm，曲率为200mm，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，阴极表面在加工中不断与腔内气体作用而发生氧化，由于阴极为圆弧面，所以等离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束；第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。所述的容器上端面上设有观察口。 所述的水冷装置为铜制成的冷却套，冷却套上设有进水口和出水口。所述的容器内设有压力传感器。与已有技术相比，本专利技术的有益效果如下:本专利技术采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5 μπι的极薄金刚石膜，加工速度约为10?40nm/min。【具体实施方式】—种金刚石膜抛光方法，所述的方法，第一步制作一个密封容器；容器上端面上设有观察口，便于观察容器内加工情况；第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，圆弧直径为圆弧直径为72mm，曲率为200mm，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；水冷装置为铜制成的冷却套，冷却套上设有进水口和出水口 ；第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，阴极表面在加工中不断与腔内气体作用而发生氧化，由于阴极为圆弧面，所以等离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束；第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。所述的容器内设有压力传感器，传感器连接控主制板，主控板连接气栗，并控制气栗。采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5 μπι的极薄金刚石膜，加工速度约为 10 ?40nm/mino以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【主权项】1.，其特征在于:所述的方法，第一步制作一个密封容器； 第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，圆弧直径为圆弧直径为72mm，曲率为200mm，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连； 第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，阴极表面在加工中不断与腔内气体作用而发生氧化，由于阴极为圆弧面，所以等离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束；第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。2.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述的容器上端面上设有观察口。3.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述的水冷装置为铜制成的冷却套，冷却套上设有进水口和出水口。4.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述的容器内设有压力传感器。【专利摘要】本专利技术公开了，第一步制作一个密封容器；第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。本专利技术采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5μm的极薄金刚石膜，加工速度约为10～40nm/min。【IPC分类】B24B1/00【公开号】CN105269413【申请号】CN201510624590【专利技术人】李凯 【申请人】安庆市凯立金刚石科技有限公司【公开日】2016年1月27日【申请日】2015年9月25日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金刚石膜抛光方法，其特征在于：所述的方法，第一步制作一个密封容器；第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，圆弧直径为圆弧直径为72mm，曲率为200mm，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，阴极表面在加工中不断与腔内气体作用而发生氧化，由于阴极为圆弧面，所以等离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束；第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，
申请(专利权)人：安庆市凯立金刚石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34