一种介质加压热退火混合键合方法技术

本发明专利技术涉及一种介质加压热退火混合键合方法。在常温常压下完成混合键合之后，进行特殊的介质加压热退火：在热退火环境中，使用良热导率的介质向键合后的晶圆施加压力，在完成热退火的同时，用压力抵消晶圆界面上的热膨胀所产生的内部压力，从而削弱晶圆表面不同介质热膨胀系数差异的影响。本发明专利技术可以削弱混合键合界面上金属和绝缘物质之间热膨胀系数的差异的影响，从而提高键合的成功率，同时提高混合键合技术在设计上的限制，例如：不需要考虑不同热膨胀系数材料在界面上的面积比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及半导体制造领域，具体设及。
技术介绍
在超大规模集成电路发展日益接近物理极限的情况下，于物理尺寸和成本方面都 具有优势的=维集成电路是延长摩尔定律并解决先进封装问题的有效途径。而晶圆键合技 术正是=维电路集成的关键技术之一，尤其是混合键合技术可W在两片晶圆键合的同时实 现数千个忍片的内部互联，可W极大改善忍片性能并节约成本。混合键合技术是指晶圆键 合界面上同时存在金属和绝缘物质的键合方式。 混合键合在界面上同时存在金属和绝缘物质，在键合技术中，要通过高溫退火才 能让金属与金属，绝缘物质与绝缘物质之间形成稳定的键合。表1:半导体行业常见物质的 热膨胀系数表，如表1所示金属和绝缘物质之间的热膨胀系数存在很大的差异。由于金属 和绝缘物质之间热膨胀系数的差异，在进行高溫退火后的晶圆上的金属部分比绝缘物质部 分要膨胀的高，从而导致混合键合失败。图1至图3为混合键合在高溫热退火中由于金属 和绝缘物质热膨胀系数差异而导致键合失败的实施例剖面示意图；如图1至图3所示，晶圆 1的键合界面上同时存在金属3和绝缘物质2 ;在高溫情况下，金属3部分比绝缘物质2部 分要膨胀的高，从而导致高溫退火后晶圆混合键合失败。 表1 :半导体行业常见物质的热膨胀系数表
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种混合键合技术W解决混合键合技术中由于热膨胀系数 的差异而在热退火过程中键合失败的问题。 为解决上述技术问题，本专利技术提供了，包括如 下步骤： 步骤1，提供两个待纔合键合的晶圆； 步骤2,在晶圆表面沉积介质层，并进行图形化处理，获得图形化结构； 步骤3，利用金属沉积方法沉积金属填充所述图形化结构； 步骤4,采用化学机械研磨方法对晶圆表面进行平坦化处理，使晶圆表面金属和介 质层表面在一个平面上； 步骤5,使采用W上方法制作的两晶圆相对放置，使两晶圆表面金属和介质层对 准，并在常溫常压环境下完成预键合，得到预键合晶圆； 步骤6,将预键合晶圆置于导热介质中进行热退火，利用通过导热介质向键合晶圆 施加压力的条件抵消热退火中晶圆键合界面的热膨胀力，使两晶圆稳定的键合。 优选的，所述将键合晶圆置于导热介质中进行热退火，利用通过导热介质向键合 晶圆施加压力的条件抵消热退火中晶圆键合界面的热膨胀力，实现两晶圆稳定的键合的步 骤中，导热介质的材质为金属铁、侣、铜、铁、银、鹤及其合金、化合物，非金属碳及其化合物， 施加压力为10~100KN。 优选的，所述使两晶圆表面金属和介质层对准，并在常溫常压环境下完成预键 合，得到预键合晶圆的步骤中，常溫常压环境的溫度范围在0~40°c，压强范围在0.9~ 1.3*10~5Pa。 优选的，所述将键合晶圆置于导热介质中进行热退火，利用通过导热介质向键合 晶圆施加压力的条件抵消热退火中晶圆键合界面的热膨胀力，实现两晶圆稳定的键合的步 骤中，热退火的工艺参数为：退火溫度范围在200~450°C，退火时间大于0. 15小时。 本专利技术的有益效果是：可W削弱混合键合界面上金属和绝缘物质之间热膨胀系数 的差异的影响，从而提高键合的成功率，同时提高混合键合技术在设计上的限制（不需要 考虑不同热膨胀系数材料在界面上的面积比）。【附图说明】 图1至图3为混合键合在高溫热退火中由于金属和绝缘物质热膨胀系数差异而导 致键合失败的实施例剖面示意图； 图4~图8为本专利技术提供的一个实施例对应的工艺流程剖面示意图。【具体实施方式】 W下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并 非用于限定本专利技术的范围。 本专利技术一种介质加压混合键合方法，在常溫常压下完成混合键合之后，进行特殊 的介质加压热退火：在热退火环境中，使用良热导率的介质向键合后的晶圆施加压力，在完 成热退火的同时，用压力抵消晶圆界面上的热膨胀所产生的内部压力；从而削弱晶圆表面 不同介质热膨胀系数差异的影响。 下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做进一步说明。 图4~图8为本专利技术提供的一个实施例对应的工艺流程剖面示意图，为更好说明 本专利技术，下面分步骤进行详细介绍。 (1)步骤1:如图4和图5所示，在待键合的晶圆101表面沉积介质层201，并进行 图形化处理，获得图形化结构；在本实施例中介质层201的材质为氧化娃，沉淀方式CVD方 式，图形化处理采用反应离子刻蚀的方式； (2)步骤2:如图6所示，在步骤I完成的晶圆101表面实施金属沉积方法沉积金 属填充所述图形化结构； 做步骤3 :如图7所示，采用化学机械研磨方式处理晶圆101表面，使金属301与 介质层201表面在平坦化处理后在一个平面上； (4)步骤4 :采用上述方法制作晶圆102,使晶圆102具有和晶圆101相似的结构， 晶圆102包括：晶圆102表面的介质层202和金属302 ;将晶圆101和晶圆102相对，使两晶 圆表面金属材料301、302和介质层201、202对准，并在常溫常压环境下完成预键合，得到预 键合晶圆；具体地，常溫常压环境的操作条件为：溫度范围在0~40°C，压强范围在0. 9~ 1. 3*10~5Pa。优选的实施例中，选择预键合溫度为20°C，压强为1. 0*10~5化，或者预键合溫 度为30°C，压强为1. 2*10、化。在实施预键合工艺之前，对待键合晶圆进行表面处理，如超 声清洗，等离子清洗等，去除表面颗粒和氧化层，保证键合界面性能。[002引 妨步骤5 :如图8所示，再将键合晶圆置于导热介质4中进行热退火；利用通过导 热介质4向键合晶圆施加压力的条件抵消热退火中晶圆键合界面的热膨胀力，实现两晶圆 稳定的键合。具体地，所述导热介质4的材质为金属铁、侣、铜、铁、银、鹤及其合金、化合物， 非金属碳及其化合物，根据选择材料的不同，所施加压力为10~IOOKN;所述热退火的工艺 参数为：退火溫度范围在200~450°C，退火时间大于0. 15小时。例如侣合金导热介质压 力设为10KN，退火溫度设为300摄氏度，退火时间为45分钟；如果采用石英作为导热介质， 压力可设置为50KN~100KN，退火溫度为350摄氏度，退火时间为60min。 本专利技术所述方法可W削弱金属和绝缘物质之间热膨胀系数的差异的影响，从而提 高键合的成功率，同时提高混合键合技术在设计上的限制，例如：不需要考虑不同热膨胀系 数材料在界面上的面积比。W上所述实施步骤和方法仅仅表达了本专利技术的一种实施方式，描述较为具体和详 细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。在不脱离本专利技术专利构思的前提下， 所作的变形和改进应当都属于本专利技术专利的保护范围。【主权项】1. ，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，提供两个待混合键合的晶圆； 步骤2,在晶圆表面沉积介质层，并进行图形化处理，获得图形化结构； 步骤3,利用金属沉积方法沉积金属填充所述图形化结构； 步骤4,采用化学机械研磨方法对晶圆表面进行平坦化处理，使晶圆表面金属和介质层 表面在一个平面上； 步骤5,使采用以上方法制作的两晶圆相对放置，使两晶圆表面金属和介质层对准，并 在常温常压环境下完成预键合，得到预键合晶圆； 步骤6,将预键合晶圆置于导热介质中进行热退火，利用通过导热介质向键合晶圆施加 压力的条件抵消热退火中晶圆键合界面的热膨胀力，使两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种介质加压热退火混合键合方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，提供两个待混合键合的晶圆；步骤2，在晶圆表面沉积介质层，并进行图形化处理，获得图形化结构；步骤3，利用金属沉积方法沉积金属填充所述图形化结构；步骤4，采用化学机械研磨方法对晶圆表面进行平坦化处理，使晶圆表面金属和介质层表面在一个平面上；步骤5，使采用以上方法制作的两晶圆相对放置，使两晶圆表面金属和介质层对准，并在常温常压环境下完成预键合，得到预键合晶圆；步骤6，将预键合晶圆置于导热介质中进行热退火，利用通过导热介质向键合晶圆施加压力的条件抵消热退火中晶圆键合界面的热膨胀力，使两晶圆稳定的键合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梅绍宁，程卫华，陈俊，朱继锋，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42