一种基于忆容器的串联谐振电路制造技术

本发明专利技术涉公开了一种基于忆容器的串联谐振电路。该谐振电路包括输入电压源，忆容器，谐振电感和负载电阻，激励电压源的正极与忆容器的顶电极连接；忆容器的底电极接电容；电容串联负载电阻并接地。该谐振电路具有功耗小，集成密度高等优点。所述忆容器的顶电极连接电压源正极，底电极输出端连接谐振电感，谐振电感再与负载电阻串联接地，形成串联回路。此外，本发明专利技术公开的基于忆容器的串联谐振电路还可以实现谐振频率可变，适用于频率可变的频率选择电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，具体涉及一种基于忆容器的串联谐振电路。
技术介绍
谐振电路是一种含有电感、电容和电阻元件的单口网络，某一工作频率时，可出现 端口电压和端口电流波形相位相同的情况，此时称电路发生谐振，称为谐振电路。谐振电路 是各种复杂网络的基础，广泛应用于滤波整形电路、频率选择电路以及改善充放电波形电 路中。 在传统的谐振电路中，由于电容、电感值是固定的，所以谐振频率也是固定的，对 负载及输入源的变化无法做出调节，这会在某种程度上限制了谐振电路的应用。此外，传统 电容和电感体积较大，一定程度上增加了谐振电路的体积，忆容器是一个随着系统内状态 变量而变化的量，且是初值敏感的，可以在一定程度上实现谐振频率的变化，且纳米级的尺 寸，也减少了谐振电路的尺寸，提高了电路的功率密度，减少了电路的功耗。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种基于忆容器的串联谐振电 路，具体技术方案如下。 -种基于忆容器的串联谐振电路，该电路包括激励电压源，忆容器，谐振电容，和 负载电阻；激励电压源的正极与忆容器的顶电极连接；忆容器的底电极接电容；电容串联本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于忆容器的串联谐振电路，其特征在于：该电路包括激励电压源（v(t)），忆容器（CM），谐振电容（L），和负载电阻（R）；激励电压源的正极与忆容器的顶电极连接；忆容器的底电极接电容；电容串联负载电阻并接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：詹玉香，陈艳峰，张波，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44