【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种加热电源电路，具体是指一种节能型大功率IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型功率管)串联谐振中频感应 加热电源电路。
技术介绍
近年来，随着电子技术的发展，可控硅中频电源在透热领域内逐渐的占 据了主导地位，其应用相当的广泛。图1为现有的可控硅并联谐振式电流型 逆变器的电路结构示意图，从图中可知，直流电源的一端通过电感LI后分 别与可控硅Dl和D3的一端相连接，可控硅Dl的另一端经可控硅D2后与 直流电源的另一端相连接。可控硅D3的另一端经可控硅D4后也与直流电源 的另一端相连接。同时，电容C3与电感L并联后，其一端接于可控硅Dl 与D2的连接点，另一端则接于可控硅D3与D4的连接点。由于可控硅D1 D4均为半控器件，其开关损耗非常大，因此在实际应 用时其自身的能耗就非常大。同时，由于其他的功率器件的存在，其总的能 耗就非常大，使得每加热一吨料就需要消耗至少400度电以上的电能，从而 极大的浪费了能源，不能很好的满足节能的要求。因此，要提高可控硅中频 电源的加热效率，就只能从减少可控硅自身的能量消耗...
【技术保护点】
节能型大功率ＩＧＢＴ串联谐振中频感应加热电源电路，主要由直流电源ＤＣ组成，其特征在于，还包括有电容Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３，电感Ｌ，以及ＩＧＢＴ模块Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３、Ｊ４；所述直流电源ＤＣ的一端分别与ＩＧＢＴ模块Ｊ１和Ｊ３的一端相连，ＩＧＢＴ模块Ｊ１的另一端经ＩＧＢＴ模块Ｊ２后与直流电源ＤＣ的另一端相连，ＩＧＢＴ模块Ｊ３的另一端则经ＩＧＢＴ模块Ｊ４后与直流电源ＤＣ的另一端相连；所述的电容Ｃ１和Ｃ２并联后接于直流电源ＤＣ的两端；电容Ｃ３与电感Ｌ串联后，其一端接于ＩＧＢＴ模块Ｊ１与Ｊ２的连接点，另一端则接于ＩＧＢＴ模块Ｊ３与Ｊ４的连接点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾晓林，
申请(专利权)人：成都多林电器有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]
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