本发明专利技术涉及一种单个纳米颗粒粒径的测量方法，包括预估待测的纳米颗粒的种类及粒径的分布范围；制作标准纳米颗粒的样本；得到第一基板上一预定区域的每个标准纳米颗粒的粒径 大小，将获得的测量数据作为基准；获取所述预定区域内标准纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像；获得对应于每个标准纳米颗粒的散射光斑强度；建立起标准纳米颗粒的散射光斑强度与标准纳米颗粒粒径之间的对应关系；制作待测纳米颗粒的样本；获取待测纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像；以及获得对应于每个待测纳米颗粒的散射光斑强度，并根据建立起的纳米颗粒的标准散射光斑强度与标准纳米颗粒粒径之间的对应关系，得到暗场显微图像中待测纳米颗粒的粒径。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及光学测量领域，特别是利用暗场散射强度测量纳米颗粒，用于单个纳 米颗粒粒径快速测量的测量系统及测量方法。
技术介绍
由于金属纳米颗粒具有纳米量级的粒径，使其具有很多特殊效应，如小尺寸效应、 表面效应、量子效应、W及宏观量子隧道效应等，从而使其光、电、声、热和其它物理特性表 现出与传统块体材料截然不同的特殊性质。而金属纳米颗粒的很多特性均与其粒径大小有 密切关系，因此对金属纳米颗粒粒径的测量和表征有重要的科学研究和实用意义。 目前用于金属纳米颗粒粒径测量的主要方法是显微成像法和散射度量法。其中， 显微成像法是应用某种显微成像技术对纳米颗粒直接成像，进而在其显微图像上直接测量 颗粒尺寸的方法。显微成像法可W对单个金属纳米颗粒的粒径进行精确测量，但需要复杂 昂贵的仪器设备，且具有测量速度慢、效率低等缺点；有散射度量法又主要有分为动态光散 射法、小角度X射线散射法、散射光谱法等。散射度量法可W快速测得大样品量纳米颗粒的 尺寸及其分布，但无法对单个颗粒进行测量。 在实际应用中，人们希望实现对单个纳米颗粒进行快速测量，但目前的方法还不 能很好地满足运种需求。
技术实现思路
综上所述，确有必要提供一类仪器和测量成本相对较低、操作简单、测量速度快 的、可W对单个金属纳米颗粒粒径快速测量的测量装置及方法。 一种，包括W下步骤： 提供一种单个纳米颗粒粒径的测量系统，包括一光源，一暗场聚光器模组，一载物台， 一物镜，一凸透镜，一CCD及其控制器，一数据线W及一显示及处理单元依次间隔设置，其 中，所述光源发出的单色光经过暗场聚光器模组整形后成为中空光锥，照射到载物台上并 产生散射光，散射光经过物镜，凸透镜，最终在CCD及其控制器上成像，并通过数据线传输 给显示及处理单元； 步骤S10,预估待测的纳米颗粒的种类及粒径的分布范围； 步骤S11，将标准纳米颗粒分散在一第一基板上，制作标准纳米颗粒的样本； 步骤S12,采用显微成像法测量所述的标准纳米颗粒的样本，测量得到第一基板上一预 定区域的每个标准纳米颗粒的粒径。大小，将获得的测量数据作为基准； 步骤S13,将承载有标准纳米颗粒的第一基板放在载物台上，采用单个纳米颗粒粒径的 测量系统获取所述预定区域内标准纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像； 步骤S14,处理获取的标准纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像，获得对应于每个标准 纳米颗粒的散射光斑强度^円^^^^.; 步骤S15,根据获得的每个纳米颗粒的粒径的测量数据与对应的每个标准纳米颗粒的 散射光斑强度，建立起标准纳米颗粒的散射光斑强度iw/i与标准纳米颗粒粒径;g:之间的 对应关系； 步骤S16,将待测纳米颗粒分散在一第二基板上，制作待测纳米颗粒的样本； 步骤S17，将承载有待测纳米颗粒的第二基板放在载物台上，采用单个纳米颗粒粒径的 测量系统对承载有待测纳米颗粒的第二基板进行观测，获取待测纳米颗粒的散射光斑的暗 场显微图像；W及 步骤S18,根据获取的待测纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像，获得对应于每个待测 纳米颗粒的散射光斑强度:ft片I，并根据建立起的纳米颗粒的标准散射光斑强度^8/3%与 标准纳米颗粒粒径谊之间的对应关系，得到暗场显微图像中待测纳米颗粒的粒径凸I。 与现有技术相比较，本专利技术提供的，利用暗场散射 强度法，结合显微成像法能对单个纳米颗粒测量W及光散射法可实现快速测量的优点，基 于金属纳米颗粒的散射特性，利用标准纳米颗粒的样品的测量数据，建立起纳米颗粒的散 射光斑强度与纳米颗粒粒径之间的关系。通过测量单个颗粒在暗场显微条件下的散射光斑 强度，即可快速估计出其粒径大小，具有测量快速、测量成本低廉、操作容易等显著优点。【附图说明】 图1为本专利技术第一实施例提供的单个纳米颗粒粒径的测量系统的结构示意图。 图2标准纳米颗粒的样本原子力显微镜测量形貌图像。 图3对应于图2所示区域的标准纳米颗粒的样本的暗场显微图像。 图4为纳米颗粒暗场散射光斑的二值化图。 图5为经化U曲变换圆检测方法得到的颗粒散射光斑位置的检测结果。 图6为纳米颗粒的散射光斑强度与纳米颗粒粒径之间的关系。 图7为待测纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像。 图8为待测纳米颗粒粒径的分布直方图及局部放大图。 图9为本专利技术第二实施例提供的单个纳米颗粒粒径的测量系统的结构示意图。如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本专利技术。【具体实施方式】[001引W下将结合附图详细说明本专利技术提供的单个纳米颗粒粒径的测量系统及方法。为 方便描述，本专利技术首先介绍单个纳米颗粒粒径的测量系统。 请参阅图1，本专利技术第一实施例提供一种单个纳米颗粒粒径的测量系统100,所述 单个纳米颗粒粒径的测量系统100包括一光源1，一暗场聚光器模组20,载物台4,物镜5， 凸透镜6,CCD及其控制器7,数据线8W及显示及处理单元9。所述暗场聚光器模组20、载 物台4、物镜5、凸透镜6、CCD及其控制器7沿所述光源1输出的光路依次间隔设置。所述光 源1发出的光经过暗场聚光器模组20整形后成为中空光锥，照射到载物台4上的样品上， 样品会在入射光的照射下产生散射光，样品的散射光经过物镜5,凸透镜6,最终在CCD及其 控制器7上成像，并通过数据线8传输给显示及处理单元9。 所述的光源1用W产生单色光或近似单色光，作为系统的照明光。本实例中，所述 的光源1包括一光电二极管，W产生近似单色光源。所述的光源1还可W为其他单色光源 或近似单色光源。 所述的暗场聚光器模组20设置于从光源1出射的单色光的光路上，用W将光源1 输出的单色光和近似单色光整形成为中空光锥，W实现暗场照明。本实施例中，所述的暗场 聚光器模组20包括一光阔2和聚光器3依次设置。所述的暗场聚光器模组20的数值孔径 配合物镜5的参数进行选择，W实现暗场照明。本实例中，组成暗场聚光器模组20的所述 的光阔2为直径为21mm的圆形铜片，所述的聚光器3的数值孔径为0. 9。 所述的载物台4设置于从暗场聚光器模组20出射的光的光路上，用于承载样品和 调整样品的位置，具体的，所述的载物台4上可W包括一基板（图未示)用W承载纳米颗粒的 样品。所述的载物台4可W实现对样品的位置的调整。本实例中，所述纳米颗粒的样品为 球形金属纳米颗粒。所述的基板可W根据具体实验进行选择，本实施例中采用了矩形的石 英玻璃作为基板。 所述的物镜5设置于从载物台6出射的光的光路上，用于对纳米颗粒的散射光的 收集和成像，所述物镜5的具体的参数可W根据实验的要求和暗场聚光器模组20的数值孔 径进行选择。本实例中，所述的物镜5的放大率为100倍，数值孔径为0. 8。 所述的凸透镜6设置于从物镜5出射的光路上，并起到场镜的作用，W将物镜5收 集到的纳米颗粒的散射光成像在CCD及其控制器7上，所述的CCD及其控制器7就可W得 到纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像。 所述的CCD及其控制器7用于对纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像进行获取， 并将得到的包含纳米颗粒的散射光斑的暗场图像转化为电信号，最终所述的电信号经过数 据线8到达显示及处理单元9。 所述的显示及处理单元9用于接受数据线8输出的电信号，转化为数字图像数据， 并对数字图像进行处理，进而得到每个纳米颗粒对应的散射光斑的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种单个纳米颗粒粒径的测量方法，包括以下步骤：提供一单个纳米颗粒粒径的测量系统，包括一光源，一暗场聚光器模组，一载物台，一物镜，一凸透镜，一CCD及其控制器，一数据线以及一显示及处理单元依次间隔设置，其特征在于，所述光源发出的单色光经过暗场聚光器模组整形后成为中空光锥，照射到载物台上并产生散射光，散射光经过物镜，凸透镜，最终在CCD及其控制器上成像，并通过数据线传输给显示及处理单元；预估待测的纳米颗粒的种类及粒径的分布范围；将标准纳米颗粒分散在一第一基板上，制作标准纳米颗粒的样本；采用显微成像法测量所述的标准纳米颗粒的样本，测量得到第一基板上一预定区域的每个标准纳米颗粒的粒径大小，将获得的测量数据作为基准；将承载有标准纳米颗粒的第一基板放在载物台上，采用单个纳米颗粒粒径的测量系统获取所述预定区域内标准纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像；处理获取的标准纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像，获得对应于每个标准纳米颗粒的散射光斑强度；根据获得的每个纳米颗粒的粒径的测量数据与对应的每个标准纳米颗粒的散射光斑强度，建立起标准纳米颗粒的散射光斑强度与标准纳米颗粒粒径之间的对应关系；将待测纳米颗粒分散在一第二基板上，制作待测纳米颗粒的样本；将承载有待测纳米颗粒的第二基板放在载物台上，采用单个纳米颗粒粒径的测量系统对承载有待测纳米颗粒的第二基板进行观测，获取待测纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像；以及根据获取的待测纳米颗粒的散射光斑的暗场显微图像，获得对应于每个待测纳米颗粒的散射光斑强度，并根据建立起的纳米颗粒的标准散射光斑强度与标准纳米颗粒粒径之间的对应关系，得到暗场显微图像中待测纳米颗粒的粒径。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：白本锋，肖晓飞，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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