发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管封装结构，包括承载基座、覆晶式发光二极管以及封装体。承载基座包括本体以及内嵌于本体内的图案化导电层。本体是由高分子材料所组成。本体具有凹槽，且凹槽的底面与图案化导电层的上表面切齐。本体在橡胶态的热膨胀系数与图案化导电层的热膨胀系数的差异小于30ppm/℃。覆晶式发光二极管设置在承载基座的凹槽内且跨接于图案化导电层上。封装体配置于凹槽内且包覆覆晶式发光二极管。封装体的顶面至凹槽的底面的垂直距离小于或等于凹槽的深度。所述二极管封装结构具有较薄的封装厚度，可以符合现今薄型化的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装结构，尤其涉及一种发光二极体封装结构。
技术介绍
现有的凹杯型态的发光二极管封装结构，大都是将发光二极管配置在由陶瓷材料所形成的承载基座的本体上，其中发光二极管是位于凹槽内且通过打线接合的方式与承载基座的引脚电极电性连接。然而，打线接合所需要的打线高度会直接影响封装胶体的使用量以及整体发光二极管封装结构的厚度，因而导致封装胶体的使用量无法降低以及发光二极管封装结构无法满足现今薄型化的需求。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管封装结构，其具有较薄的封装厚度，可以符合现今薄型化的需求。本专利技术的发光二极管封装结构，其包括承载基座、覆晶式发光二极管以及封装体。承载基座包括本体以及内嵌于本体内的图案化导电层。本体是由高分子材料所组成。本体具有凹槽，且凹槽的底面与图案化导电层的上表面切齐。本体在橡胶态的热膨胀系数与图案化导电层的热膨胀系数的差异小于30ppm/°C。覆晶式发光二极管设置于承载基座的凹槽内且跨接于图案化导电层上。封装体配置于承载基座的凹槽内且包覆覆晶式发光二极管。封装体的顶面至凹槽的底面的垂直距离小于或等于凹槽的深度。在本专利技术的一实施例中，上述的覆晶式发光二极管与图案化导电层共晶接合。在本专利技术的一实施例中，上述的高分子材料包括环氧树脂或硅氧烷化合物。在本专利技术的一实施例中，上述的本体在橡胶态的热膨胀系数与本体在玻璃态的热膨胀系数的差值小于35ppm/°C。在本专利技术的一实施例中，上述的凹槽的侧壁环绕底面，而底面与侧壁之间具有夹角，且夹角介于95度至170度之间。在本专利技术的一实施例中，上述的凹槽的底面的中心点至底面的边缘相隔直线距离，且直线距离大于等于I毫米且小于等于2毫米。在本专利技术的一实施例中，上述的封装体的顶面至图案化导电层的上表面相隔垂直高度，且垂直高度与直线距离的比值介于0.15至0.25之间。在本专利技术的一实施例中，上述的封装体的顶面至覆晶式发光二极管的上表面相隔垂直距离，且垂直距离介于0.05毫米至0.3毫米之间。在本专利技术的一实施例中，上述的封装体掺杂有荧光材料，且荧光材料包括黄色荧光粉、红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉或钇铝石榴石荧光粉，且荧光材料的粒径介于3微米至50微米之间。在本专利技术的一实施例中，上述的荧光材料在封装体内的重量百分比浓度介于20%至40%之间。综上所述，由于本专利技术的覆晶式发光二极管是设置于承载基座的凹槽内，且封装体的顶面至凹槽的底面的垂直距离小于或等于凹槽的深度。因此，相较于现有的发光二极管通过打线接合来电性连接引脚电极而言，本专利技术的发光二极管封装结构具有较薄的封装厚度，可符合现今薄型化的需求。此外，由于本专利技术的承载基座的本体是由高分子材料所组成，且本体在橡胶态的热膨胀系数与图案化导电层的热膨胀系数的差异小于30ppm/°C，因此可有效避免温度冷却时本体与图案化导电层之间产生脱离而导致覆晶式发光二极管无法有效固定在图案化导电层上的情形产生。简言之，本专利技术的发光二极管封装结构可具有较佳的结构可靠度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。【附图说明】图1A为本专利技术的一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面不意图；图1B为图1A的发光二极管封装结构的俯视示意图；图2为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；图3为本专利技术的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；图4为本专利技术的再一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。附图标记说明:100a、100b、100c、10d:发光二极管封装结构；110:承载基座；112:本体；114:图案化导电层；114a:第一导电部；114b:第二导电部；115:上表面；117:侧表面；120:覆晶式发光二极管；122:上表面；130a、130b、130c、130d:封装体；132a、132b、132c:顶面；134d:荧光材料；B1、B2、B3:底面；C1、C2、C3:凹槽;D1、D2、D3:深度；L1、L2、L3:垂直距离；PH:垂直高度；PL:垂直距离；S1、S3:侧壁;SL:直线距离；α:夹角。【具体实施方式】图1A为本专利技术的一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。图1B为图1A的发光二极管封装结构的俯视示意图。请先参考图1A，在本实施例中，发光二极管封装结构10a包括承载基座110、覆晶式发光二极管120以及封装体130a。承载基座110包括本体112以及内嵌于本体112内的图案化导电层114。本体112是由高分子材料所组成，而本体112具有凹槽Cl，且凹槽Cl的底面BI与图案化导电层114的上表面115切齐。本体112在橡胶态的热膨胀系数与图案化导电层114的热膨胀系数的差异小于30ppm/°C。覆晶式发光二极管120设置于承载基座110的凹槽Cl内且跨接于图案化导电层114上。封装体130a配置于承载基座110的凹槽Cl内且包覆覆晶式发光二极管120。封装体130a的顶面132a至凹槽Cl的底面BI的垂直距离LI小于凹槽Cl的深度Dl。详细来说，在本实施例中，承载基座110是通过转注成型(transfer molding)的方式所形成，其中图案化导电层114被本体112所包覆且仅暴露出其上表面115与侧表面117。如图1A所示，本实施例中的图案化导电层114的侧表面117实质上切齐于本体112的周围表面。此处，本体112是由高分子材料所组成，其中高分子材料包括环氧树脂或硅氧烷化合物，而图案化导电层114的材质例如是金属材料或导电材料，且图案化导电层114可视为引脚电极，且图案化导电层114可包含第一导电部114a及第二导电部114b，其中第一导电部114a与第二导电部114b之间通过本体112相互隔离。覆晶式发光二极管120跨接于图案化导电层114上，换句话说，覆晶式发光二极管120的两引脚电极分别设置于第一导电部114a及第二导电部114b上，且覆晶式发光二极管120与图案化导电层114通过共晶接合的方式电性连接，因此覆晶式发光二极管120可有效地固定于承载基座110上，可具有较佳的稳定性。再者，本实施例的承载基座110的本体112是由高分子材料所组成，且本体112在橡胶态的热膨胀系数与图案化导电层114的热膨胀系数的差异小于30ppm/°C。较佳地，本体112在橡胶态的热膨胀系数与本体112a在玻璃态的热膨胀系数的差值小于35ppm/°C。因此，当共晶结合时，本体112由于自身的材料特性，不易因受热而产生较大的形变，且当温度冷却时，由于本体112与图案化导电层114之间的热膨胀系数相互匹配，可避免本体112与图案化导电层114之间因热胀冷缩产生脱离而导致覆晶式发光二极管120无法有效固定于图案化导电层114上的情形产生。换言之，本实施例的发光二极管封装结构10a可具有较佳的结构可靠度。如图1A及图1B所示，本实施例的凹槽Cl的侧壁SI垂直环绕底面BI，但并不以此为限。凹槽Cl的底面BI的中心点至底面BI的边缘相隔一直线距离SL，且直线距离SL大于等于I毫米且小于等于2毫米。此处，并不限定底面BI的俯视形状，只要其直线距离SL符合上述所界定的范围，皆属本专利技术的保护范围。再者，封装体130a的顶面132a至图案化导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：承载基座，包括本体以及内嵌于所述本体内的图案化导电层，所述本体是由高分子材料所组成，而所述本体具有凹槽，且所述凹槽的底面与所述图案化导电层的上表面切齐，其中，所述本体在橡胶态的热膨胀系数与所述图案化导电层的热膨胀系数的差异小于30ppm/℃；覆晶式发光二极管，设置在所述承载基座的所述凹槽内且跨接于所述图案化导电层上；以及封装体，配置于所述承载基座的所述凹槽内且包覆所述覆晶式发光二极管，其中，所述封装体的顶面至所述凹槽的所述底面的垂直距离小于或等于所述凹槽的深度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林育锋，郭柏村，蔡孟庭，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71