薄膜晶体管、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及液晶显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。所述薄膜晶体管设置在一衬底基板上，在垂直于所述衬底基板表面的方向上，其沟道的宽边轮廓具有上下起伏呈曲线变化的曲线段，从而薄膜晶体管在所述衬底基板上的投影面积一定的情况下，能够增加其沟道的宽长比，使得薄膜晶体管的开启电流越大，改善薄膜晶体管的性能。同时，还能够在保证薄膜晶体管性能的同时，减小薄膜晶体管的尺寸，提高显示装置的分辨率，并保证显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。阵列基板是薄膜晶体管-LCD的主体结构之一，包括横纵交叉分布的栅线和数据线，用于限定多个像素区域，每个像素区域对应一个薄膜晶体管，用于控制所述像素区域的显示。其中，薄膜晶体管沟道的宽长比(W/L)越大，开启电流越大，薄膜晶体管的性能越好。为了减小对开口率的影响，薄膜晶体管通常设置在栅线上。随着显示技术的不断发展，用户对分辨率的要求越来越高，这势必需要更高的开口率和更小的薄膜晶体管尺寸，对于小尺寸的薄膜晶体管，其沟道很难实现较大的宽长比，降低了薄膜晶体管的性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管，用以在投影面积一定的情况下，提高薄膜晶体管沟道的宽长比。本专利技术还提供一种阵列基板及显示装置，采用上述的薄膜晶体管，用以在提高分辨率的同时，保证显示品质。为解决上述技术问题，本专利技术实施例中提供一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的源电极、漏电极和有源层的图案，所述有源层位于源电极和漏电极之间的部分形成沟道，其中，在垂直于衬底基板表面的方向上，所述沟道的宽边轮廓具有上下起伏呈曲线变化的曲线段。如上所述的薄膜晶体管，优选的是，整个所述沟道在宽边的延伸方向上，上下起伏呈曲面变化。如上所述的薄膜晶体管，优选的是，所述沟道具有平行于衬底基板表面的部分。如上所述的薄膜晶体管，优选的是，所述薄膜晶体管还包括设置在衬底基板上的凸起结构；所述沟道的宽边具有沿着所述凸起结构表面轮廓延伸的曲线段。如上所述的薄膜晶体管，优选的是，所述薄膜晶体管还包括设置在衬底基板上的凹槽结构；所述沟道的宽边具有沿着所述凹槽结构表面轮廓延伸的曲线段。本专利技术实施例中还提供一种阵列基板，包括如上所述的薄膜晶体管。如上所述的阵列基板，优选的是，所述阵列基板包括设置在一衬底基板上、横纵交叉的栅线和数据线，用于限定子像素区域，每个子像素区域包括透射特定颜色光线的滤光层；所述薄膜晶体管的沟道的宽边轮廓具有沿着所述滤光层表面轮廓延伸的曲线段。如上所述的阵列基板，优选的是，相邻两个滤光层之间形成凹槽结构；所述薄膜晶体管的沟道的宽边轮廓具有沿着所述凹槽结构表面轮廓延伸的曲线段。如上所述的阵列基板，优选的是，所述薄膜晶体管设置在栅线和数据线的交叉处；所述栅线和数据线的交叉处具有两组在列方向上相邻的第一滤光层和第二滤光层，其中一组第一滤光层和第二滤光层之间形成第一凹槽结构，另一组第一滤光层和第二滤光层之间形成第二凹槽结构；所述薄膜晶体管的沟道的其中一个宽边轮廓具有沿着所述第一凹槽结构表面轮廓延伸的曲线段，另一个宽边轮廓具有沿着所述第二凹槽结构表面轮廓延伸的曲线段。本专利技术实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：上述技术方案中，薄膜晶体管设置在一衬底基板上，在垂直于所述衬底基板表面的方向上，其沟道的宽边轮廓具有上下起伏呈曲线变化的曲线段，从而薄膜晶体管在所述衬底基板上的投影面积一定的情况下，能够增加其沟道的宽度，获得较大的宽长比，增大开启电流，改善了薄膜晶体管的性能，从而在保证显示品质的同时，还能够减小薄膜晶体管的尺寸，提高显示器件的分辨率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示本专利技术实施例中薄膜晶体管的结构示意图一；图2表示图1沿A-A方向的剖视图；图3表示图1沿B-B方向的剖视图；图4表示本专利技术实施例中薄膜晶体管的结构示意图二；图5表示图1沿C-C方向的剖视图；图6表示图1沿D-D方向的剖视图；图7表示本专利技术实施例中薄膜晶体管的局部剖视图；图8本专利技术实施例中薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图9表示图8沿E-E方向的剖视图。具体实施方式随着薄膜晶体管液晶显示器的分辨率越来越高，势必需要更高的开口率和更小的薄膜晶体管尺寸。对于小尺寸的薄膜晶体管，其沟道很难实现较大的宽长比，降低了薄膜晶体管的性能。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种薄膜晶体管，其包括设置在衬底基板上的源电极、漏电极和有源层的图案，所述有源层位于源电极和漏电极之间的部分形成沟道。在垂直于衬底基板表面的方向上，设置所述沟道的宽边轮廓具有上下起伏呈曲线变化的曲线段，从而薄膜晶体管在所述衬底基板上投影面积一定的情况下，能够增加其沟道的宽度，获得较大的宽长比，增大开启电流，改善了薄膜晶体管的性能。通常，薄膜晶体管的源电极和漏电极结构对称。其沟道的宽度是指有源层和源电极交叠的区域靠近漏电极的边缘轮廓(宽边)的长度，或有源层和漏电极交叠的区域靠近源电极的边缘轮廓的长度，而薄膜晶体管沟道的长度是指有源层位于源电极和漏电极之间的部分在垂直于沟道的宽边延伸方向上的长度。下面将结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。图1-图3所示为本专利技术实施例中薄膜晶体管的一个结构示意图；图4-图6所示为本专利技术实施例中薄膜晶体管的另一个结构示意图。图中的W表示薄膜晶体管沟道的宽度，L表示薄膜晶体管沟道的长度。结合图1-图6所示，本专利技术实施例中提供一种薄膜晶体管，其包括设置在衬底基板10上的源电极1、漏电极2和有源层3的图案。有源层3位于源电极1和漏电极2之间的部分形成沟道。在垂直于衬底基板10表面的方向上，所述沟道的宽边轮廓具有上下起伏呈曲线变化的曲线段，从而薄膜晶体管在衬底基板10上投影面积一定的情况下，能够增加沟道的宽边长度，获得较大的宽长比，从而提供更大的开启电流，改善薄膜晶体管的性能。当薄膜晶体管应用到显示器件中时，为了不影响正常的显示，衬底基板10采用透明基板，如：玻璃基板、石英基板或有机树脂基板。上述技术方案中，设置在衬底基板上的薄膜晶体管，在垂直于所述衬底基板表面的方向上，其沟道的宽边轮廓上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的源电极、漏电极和有源层的图案，所述有源层位于源电极和漏电极之间的部分形成沟道，其特征在于，在垂直于衬底基板表面的方向上，所述沟道的宽边轮廓具有上下起伏呈曲线变化的曲线段。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的源电极、漏电极和有源层
的图案，所述有源层位于源电极和漏电极之间的部分形成沟道，其特征在于，
在垂直于衬底基板表面的方向上，所述沟道的宽边轮廓具有上下起伏呈曲线变
化的曲线段。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，整个所述沟道在宽
边的延伸方向上，上下起伏呈曲面变化。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道具有平行
于衬底基板表面的部分。
4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶
体管还包括设置在衬底基板上的凸起结构；
所述沟道的宽边具有沿着所述凸起结构表面轮廓延伸的曲线段。
5.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶
体管还包括设置在衬底基板上的凹槽结构；
所述沟道的宽边具有沿着所述凹槽结构表面轮廓延伸的曲线段。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体
管。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥春，曹占锋，张伟，张斌，何晓龙，高锦成，姚琪，李正亮，徐传祥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11